EG44273:高性能单通道高速低侧栅极驱动器,专为MOSFET和IGBT电源开关设计

B站影视 2025-02-24 21:07 2

摘要:EG44273单通道高速低侧栅极驱动器,可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管,绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。EG44273的电源电压范围宽4V~20V,静态功耗小于1uA。当VCC

EG44273单通道高速低侧栅极驱动器,可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管,绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。EG44273的电源电压范围宽4V~20V,静态功耗小于1uA。当VCC=12V时,EG44273可提供峰值为2A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力;采用SOT23-5封装。

芯片特点

VCC电压范围4V-20V输出电流能力IO+/-2A/2A输入输出延时短当输入引脚悬空时,输出保持在低电平外围器件少静态电流小于1uA,非常适合电池场合封装形式:SOT23-5无铅绿色环保,符合ROHS报告

来源:BAISEHN电子

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