摘要：本月，铠侠宣布推出 332 层 3D NAND 内存，因此韩国的 SK 海力士无法声称创下纪录，尽管它确实在 11 月推出了 321 层内存，更不用说中国的 294 层长江存储了。现在众所周知，三星和 SK 海力士都必须获得长江存储技术许可，才能生产 400

本月，铠侠宣布推出 332 层 3D NAND 内存，因此韩国的 SK 海力士无法声称创下纪录，尽管它确实在 11 月推出了 321 层内存，更不用说中国的 294 层长江存储了。现在众所周知，三星和 SK 海力士都必须获得长江存储技术许可，才能生产 400 层 3D NAND 存储器。

图片来源：三星电子

至少，这就是 ZDNet Korea 所声称的，它报道了三星电子与 YMTC 之间成功完成谈判的情况。中国制造商将向韩国制造商提供使用混合拼接技术生产第 10 代 3D NAND 内存的许可权，该技术在长江存储术语中称为 Xtacking，较早前已获得专利。更准确地说，长江存储本身早在 2021 年就获得了 Xperi 使用这种将两个硅片组合在一起的方法的许可证，并且是第一家开始在实践中使用它的闪存制造商。

三星电子预计从今年下半年开始，将这项技术用于生产自己的 400 多层 3D NAND 存储芯片，因此提前与长江存储签署了相应的许可协议。

竞争对手 SK 海力士要到明年才会推出 400 层内存，但它已经在去年 11 月开始生产 321 层芯片，因此目前它领先于三星的 286 层内存。预计韩国制造商需要获得长江存储的技术许可，才能将层数增加到 400 件以上。

来源：A7a369