SiC开年大动作！8家企业&机构宣布最新进展

摘要：春节期间，碳化硅产业同样精彩纷呈，英飞凌、三菱电机、悉智科技等企业&机构相继宣布喜讯，彰显着SiC材料在航空航天、电动汽车、光储充等领域的蓬勃发展，接下来，让我们一同盘点春节期间SiC应用的高光时刻：

春节期间，碳化硅产业同样精彩纷呈，英飞凌、三菱电机、悉智科技等企业&机构相继宣布喜讯，彰显着SiC材料在航空航天、电动汽车、光储充等领域的蓬勃发展，接下来，让我们一同盘点春节期间SiC应用的高光时刻：

英飞凌：

新增汽车领域SiC合作

1月29日，据Power Electronics World报道，国际汽车供应商 Forvia Hella 已选择英飞凌1200V 汽车级 SiC MOSFET作为其下一代 800V DC/DC 充电解决方案。

据了解，英飞凌的 CoolSiC MOSFET 采用 Q-DPAK 封装，专为 800 V 汽车架构中的车载充电器和 DCDC 应用而设计，该封装的爬电距离为 4.8 mm，无需额外的绝缘涂层即可实现超过 900 V 的工作电压，基于 Gen1p 技术，0V关断可实现单极栅极控制，从而通过减少 PCB 中的元件数量来简化设计。

三菱电机：

研发风电系统SiC应用

1月30日，三菱电机宣布，他们已经加入欧盟的“FLAGCHIP”项目，将开发新的SiC功率模块技术及进行测试应用。

据了解，“FLAGCHIP”项目由欧洲9个国家的11个合作伙伴（包括企业和学术机构）组成，旨在开发创新的功率半导体模块及其状态监测技术，并研究利用可再生能源（如风能和太阳能）的发电系统在初始投资和维护方面的成本效率，以实现成本削减。

接下来，三菱电机将负责开发和验证功率半导体模块内部半导体芯片（SiC-MOSFET）的温度估计技术，尝试利用半导体芯片表面的内建门极电阻的电阻值随温度变化的特性，通过测量门极电流产生的电压值来计算电阻值，从而准确估计半导体芯片的温度，并计划从2026 年 10 月开始验证模块原型，以将直流 (DC) 电压转换为风力发电系统的特定直流电压。

悉智科技：

SiC模块进入工商储应用

1月22日，悉智科技在官微透露，他们在星星充电的供应链伙伴大会上被授予2024年度“突出贡献奖”。据悉，悉智科技配合配合星星充电的全球化战略，为欧美市场开发并量产全球首款高温SiC塑封功率模块，显著提升了工商业储能充放电效率。

值得注意的是，目前工商储市场上100kw-150kw主要采用壳封模块、单管方案，而悉智科技推出全SiC塑封模块，其核心优点包括高效率、高结温、高可靠、低成本，采用全SiC器件实现TNPC拓扑，内置解耦电容提⾼开关性能，实现超低开关损耗，半载效率高达99%。

宝马、保时捷

即将发布新SiC车型

2月初，据多家媒体透露，自 2025 年 3 月起，宝马集团旗下的BMW 5 系轿车和 BMW 5 系旅行车的全电动车型将开始采用SiC逆变器，其能耗有望减省至9%，WLTP续航里程最多增加47公里。而前不久发布的新款iX也全系采用碳化硅逆变组件，其高端型号iX M70的零百成绩提高到3.6秒。

另一方面，保时捷的718 Cayman GT4 ePerformance原型车的谍照也被多家媒体曝光。据保时捷电动出行负责人Stefan Weckbach透露：“为了抵消电池重量（预计约600kg），新车采用了镁合金轮毂与碳化硅逆变器，使得整车质量控制在1600kg以内，仅比燃油版增重8%。”

值得关注的是，据调研发现，2024年，全球SiC乘用车的车型数量累计超过了222款，比2023年增量又新增61款，全球SiC车型销量预计约为280万台，预计2025年仍有进一步提升。

中国科学院：

自研SiC器件通过航空验证

1月23日，中国科学院微电子研究所在官微透露，旗下刘新宇与汤益丹团队，联合空间应用工程与技术中心刘彦民团队研制的SiC载荷于2024年11月15日搭乘天舟八号货运飞船飞向太空，并顺利完成应用验证。

文章进一步说明，本次搭载的SiC载荷系统主要任务为国产自研高压抗辐射SiC功率器件（SiC二极管和SiC MOSFET器件）的空间验证及其在航天电源中的应用验证、SiC功率器件综合辐射效应等科学研究，有望逐步提升航天数字电源功率，支撑未来单电源模块达到千瓦级。

通过一个多月的在轨加电试验，SiC载荷测试数据正常，高压400V SiC功率器件在轨试验与应用验证完成，在电源系统中静态、动态参数符合预期。本次搭载第一阶段任务完成，实现了首款国产高压400V抗辐射SiC功率器件空间环境适应性验证及其在电源系统中的在轨应用验证，标志着在以“克”为计量的空间载荷需求下，SiC功率器件将成为大幅提升空间电源效率的优选方案，牵引空间电源系统的升级换代。

南方电网、Fraunhofer iSE：

加速电网设施SiC研发应用

1月18日，据国家知识产权局信息显示，中国南方电网有限责任公司申请一项名为“基于高速光耦的SiC-MOSFET有源串扰抑制电路”的专利，公开号CN 119315819 A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本发明公开了基于高速光耦的SiC-MOSFET有源串扰抑制电路，根据驱动模块获取开关控制模块输出信号生成电气隔离模块的控制信号PWM信号，以通过电气隔离模块生成快速放电模块的驱动信号，基于该控制信号调整快速放电模块的导通和断开，调节电路电压，保护高压和低压部分的安全和稳定；并通过快速放电模块泄放Miller电流，减少在开关过程中的振荡现象。

该技术旨在通过各个模块之间的协同工作，确保从电源供应到信号传输和控制的全过程得到优化，抑制栅极串扰振荡，提高了系统的性能和可靠性。

此外，Fraunhofer iSE（弗劳恩霍夫太阳能能源系统研究所）在1月也公布了其用于快速充电站的中压系统技术，该技术将在未来实现数兆瓦的峰值负载。据悉，该技术采用高效的碳化硅半导体和更高的电压，可减少快速充电站的材料使用量和成本，在更高的电压水平可以在相同电流下实现更高的输出，而无需增加电缆横截面积。