天津工业大学《自然·通讯》:膜材料器件研究有新进展!

B站影视 2025-02-06 14:42 3

摘要:近日,天津工业大学纺织科学与工程学院谭明教授团队在Nature子刊《自然-通讯》(Nature Communications)以“Enabling ultra-flexible inorganic thin-film-based thermoelectric

近日,天津工业大学纺织科学与工程学院谭明教授团队在Nature子刊《自然-通讯》(Nature Communications)以“Enabling ultra-flexible inorganic thin-film-based thermoelectric devices by introducing nanoscale titanium layers”为题,发表了关于超柔性高热电性能的膜材料器件的创新研究成果。天津工业大学纺织科学与工程学院为第一完成单位,谭明教授为第一作者。

热电材料和器件可以实现热能与电能的相互转换,在废热回收、特殊电源、固态制冷、热管理系统、生命健康及可穿戴传感器等诸多领域展现出广阔的应用前景。近年来,基于无机材料的柔性器件发展迅速,但刚性材料与柔性基底和电极之间的界面问题,依然制约着这些器件的柔性与应用范围。谭明教授团队通过巧妙的界面设计,成功攻克这一难题。他们在PI基板与Cu电极之间引入约10nm厚的Ti接触层,以及在Cu电极与热电薄膜之间加入约10nm厚的Ti阻挡层,这一创新举措显著增强了界面的结合力,大幅减少了接触电阻,从而显著提升了器件的柔性与热电输出性能。162对p/n薄膜器件在弯曲半径r为10mm时,经过超过100次循环弯曲后,电阻变化率(ΔR/R₀)仅为3.3%;在仅有5K温差条件下,实现了108μWcm⁻²的高功率密度,标准化功率密度超过4μWcm⁻²K⁻²;当器件连接到50°C不规则热源时,三个串联连接的器件能够产生1.85V的电压,成功驱动一个发光二极管(LED),无需任何额外的散热器或升压器。

图1(a)柔性器件制备过程;(b)p-Bi₀.₅Sb₁.₅Te₃和n-Bi₂Te₂.₇Se₀.₃热电薄膜性能的理论与实验值比较;(c)文献报道与本工作的标准化发电功率密度对比,其中插图为三个串联连接的器件贴在约50°C不规则热源时的应用,充分展示了其卓越的发电性能。

该研究通过磁控溅射沉积方法、掩模辅助沉积技术以及倒装芯片键合技术,成功制备出性能优异的p型BST和n型BTS热电薄膜与162对p/n柔性热电器件。这些薄膜室温ZT值分别达到了1.39和1.44,首次实现了柔性器件无需额外散热器或升压器即可直接驱动LED发光。这一超高的器件性能得益于PI基板/Ti接触层/Cu电极/Ti阻挡层/热电薄膜的独特界面设计。超薄纳米Ti层为PI基板、Cu电极及热电薄膜之间的键合提供了更多的有效键。此外,通过球差电镜观察发现,Ti接触层处的晶格存在梯度特征,这一特征表明Cu和PI之间的结合是逐渐发生的,没有明显的界面,从而使得Cu电极与PI基底之间形成了非常紧密的结合。这项工作极大地拓展了柔性热电器件的应用场景。

图2(a,b)PI/Ti-2/Cu/Ti-1/BST断面的Cs-STEM-HAADF和相应EDS图;(c)局部PI/Ti-2/Cu放大的EDS图;(d,e) PI/Ti-2/Cu/Ti-1/BTS断面的Cs-STEM-HAADF和相应EDS图;(f)局部PI/Ti-2/Cu放大的EDS图;(g)PI/Ti-2/Cu/Ti-1/BST样品中PI/Ti-2/Cu的高分辨 Cs-STEM-BF图;(h-i) PI/Ti-2/Cu/Ti-1/BTS样品中PI/Ti-2/Cu的高分辨 Cs-STEM BF和HAADF图

本研究得到了国家自然科学基金项目、天津市自然科学基金重点项目及天津工业大学科研启动经费等支持。

来源:林少涵说科学

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