摘要：聚焦离子束（FIB）技术是一种先进的纳米加工和分析工具。其基本原理是在电场和磁场作用下，将离子束聚焦到亚微米甚至纳米量级，通过偏转和加速系统控制离子束扫描运动，实现微纳图形的监测分析和微纳结构的无掩模加工。与传统的光刻技术不同，FIB无需掩模，直接在材料上进行
技术原理与背景
聚焦离子束（FIB）技术是一种先进的纳米加工和分析工具。其基本原理是在电场和磁场作用下，将离子束聚焦到亚微米甚至纳米量级，通过偏转和加速系统控制离子束扫描运动，实现微纳图形的监测分析和微纳结构的无掩模加工。与传统的光刻技术不同，FIB无需掩模，直接在材料上进行修改，特别适合高精度任务。
在电场和磁场的精准调控下，离子束如同一支无形的纳米画笔，在材料表面勾勒出所需的微纳结构。这种技术的独特之处在于其无需掩模的特性，使得在进行高精度加工时，能够摆脱传统光刻技术中掩模制作和对准的繁琐过程，直接在材料上进行精确的成像和修改，极大地提高了加工的灵活性和精度。
与传统光刻技术的比较
1.光刻
光刻技术是半导体制造中广泛使用的一种图案转移方法。它通过光源和掩模将图案转移到感光材料上，适合大规模生产。然而，光刻技术的分辨率受限于光波长，通常在微米级，灵活性较低，难以应对小批量定制需求。
在大规模生产中，光刻技术能够高效地将图案复制到大量的晶圆上，但当涉及到高精度、小尺寸的图案时，其分辨率的限制就显得尤为突出。而且，一旦掩模制作完成，修改图案就需要重新制作掩模，这不仅增加了成本，也延长了生产周期，对于小批量、定制化的生产需求来说，显得不够灵活。
2.电子束光刻
电子束光刻使用电子束直接在抗蚀剂上书写图案，提供更高的分辨率（可达纳米级）。但速度较慢，且电子束对某些非导电材料可能引发充电效应，影响成像质量。电子束光刻在分辨率上有着显著的优势，能够满足纳米级精度的加工需求。不过，其加工速度相对较慢，对于大规模生产来说效率较低。此外，电子束与非导电材料相互作用时容易产生充电效应，这会导致成像质量下降，从而影响加工的精度和可靠性。
3.聚焦离子束（FIB）
FIB使用离子束（通常为镓离子），质量更高，适合铣削和沉积。FIB既能成像也能修改，特别适用于需要高精度和灵活性的任务，如电路修改和缺陷分析。
研究表明，FIB的离子束能更有效地与材料交互，但速度较慢，不适合大规模图案化生产。这一比较显示，FIB在小批量、高精度任务中具有独特优势，但在大规模生产中可能效率较低。FIB技术以其离子束的质量优势，在铣削和沉积方面表现出色。它能够同时进行成像和修改，这使得在进行电路修改和缺陷分析等任务时，可以实时观察加工效果并进行调整。
在半导体量产中的应用
1.缺陷分析
在半导体器件的生产过程中，缺陷分析是确保产品质量的关键环节。FIB技术在缺陷分析中的应用主要体现在以下几个方面：
使用电子束定位缺陷：通过电子束扫描，可以快速找到可能存在缺陷的区域，为后续的详细分析提供目标。
离子束高分辨率成像：利用离子束的高分辨率成像能力，对缺陷区域进行详细的观察，获取缺陷的形态、尺寸等信息。
若需，铣削暴露缺陷：对于一些隐藏在材料内部的缺陷，可以通过离子束铣削的方式，去除表面材料，暴露缺陷，以便进行更深入的分析。
分析成像结果：通过对成像结果的分析，确定缺陷的类型、产生的原因以及对器件性能的影响，为改进生产工艺和提高产品质量提供依据。
2.电路修改
电子束定位电路区域：首先利用电子束定位需要修改的电路区域，确保修改的准确性。
离子束铣削或沉积：根据修改的需求，使用离子束进行铣削或沉积材料。例如，可以通过铣削切断不需要的连接，或者通过沉积添加新的金属连接。
成像验证修改：修改完成后，再次使用离子束进行成像，验证修改的效果是否符合预期，确保电路的功能得到正确的调整。
3.光掩模修复
电子束识别缺陷：利用电子束扫描光掩模，识别出缺陷的位置和类型。
离子束铣削或沉积修复：根据缺陷的性质，使用离子束进行铣削或沉积材料，修复缺陷。例如，对于多余的材料可以通过铣削去除，对于缺失的材料可以通过沉积补充。
检查修复效果：修复完成后，对光掩模进行检查，确保缺陷得到有效的修复，不影响后续的光刻过程。
4.TEM样品制备
选择区域：根据研究目的，选择需要制备TEM样品的区域。
离子束铣削形成薄层：利用离子束的铣削功能，将选定区域的材料加工成薄层，厚度通常在几十纳米到几百纳米之间。
机械臂取出安装：使用机械臂将制备好的薄样品取出，并安装到TEM网格上，以便进行后续的观察和分析。
若需，进一步薄化：如果样品的厚度仍然不够薄，可以进一步使用离子束进行薄化处理，直至达到TEM观察的要求。
故障分析
定位故障区域：首先确定出现故障的器件或区域，为后续的分析提供目标。
离子束横截或铣削：使用离子束对故障区域进行横截或铣削，暴露故障部位，以便进行详细的观察和分析。
成像分析故障原因：通过对暴露的故障部位进行成像分析，找出故障的具体原因，如短路、断路、材料缺陷等，为故障排除和质量改进提供依据。
操作程序与最佳实践
1.操作程序
机器设置与校准：确保FIB系统稳定运行，检查并调整离子束和电子束的对齐。参考制造商指南，如FEI Helios操作手册，按照要求进行系统的设置和校准，确保离子束和电子束的性能达到最佳状态。
样品准备与加载：清洁样品以去除污染物，安装到适当的样品夹。然后将样品加载到FIB腔室，抽真空至所需水平，为后续的操作创造良好的环境。
导航与成像：使用电子束定位感兴趣区域，调整离子束参数以优化成像或修改。通过电子束的扫描和成像功能，快速找到需要操作的区域，并根据具体任务的要求，调整离子束的参数，以获得最佳的成像效果或加工效果。
修改技术：铣削时，设置合适的离子束电流和电压，以确保铣削的效率和精度；沉积时，使用气体注入系统沉积特定材料，如碳或钨，根据需要选择合适的气体和沉积参数，实现精确的材料沉积。
安全预防措施：在操作过程中，佩戴防护装备，如手套和安全眼镜，以防止可能的辐射和化学危害。小心处理样品，避免污染或损坏，确保操作过程的安全性和样品的完整性。在设备维护时，遵循锁闭/标签程序，防止误操作导致的安全事故。
2.最佳实践表
结论
FIB技术是半导体量产中不可或缺的工具，其高精度和灵活性在缺陷分析、电路修改等任务中表现卓越。深入理解其技术原理、应用范围以及操作程序，能够帮助操作人员更好地发挥FIB技术的优势，提高生产的质量和效率，为半导体产业的发展提供有力的支持。
来源：金鉴实验室