摘要：国家知识产权局信息显示，山东华光光电子股份有限公司申请一项名为“一种优化ESD的外延结构及制备方法”的专利，公开号CN 119364944 A，申请日期为2024年9月。

金融界2025年1月29日消息，国家知识产权局信息显示，山东华光光电子股份有限公司申请一项名为“一种优化ESD的外延结构及制备方法”的专利，公开号CN 119364944 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示， 本发明涉

及一种优化ESD的外延

结构及制备方法，属于

发光二极管技术领域，

其在衬底上依次生长

buffer，DBR布拉格反

射镜，N型限制层，N型

阻挡层，有源发光层，P

型阻挡层，P型限制层，P型电流扩展Gap(其中包括低温低速层，

渐变式高温高速层)；其中本文的发明为对于Gap层的设计，通

过对生长速度及生长温度的精准控制，可最大限度提升Gap的

生长质量，进而在III掺比例不变的情况下提升Gap中Mg掺水

平，从而提升外延片ESD性能。

天眼查资料显示，山东华光光电子股份有限公司，成立于1999年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6264.6666万人民币，实缴资本6264.6666万人民币。通过天眼查大数据分析，山东华光光电子股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目419次，知识产权方面有商标信息8条，专利信息702条，此外企业还拥有行政许可14个。

来源：金融界