摘要：全球存储芯片三巨头分别是三星、SK海力士和美光，其中前两家为韩国企业，占据存储芯片市场大部分份额。另一家为美企，多年来排名全球第三，近几年很不厚道。

全球存储芯片三巨头分别是三星、SK海力士和美光，其中前两家为韩国企业，占据存储芯片市场大部分份额。另一家为美企，多年来排名全球第三，近几年很不厚道。

之所以这么说，是因为三星、SK海力士都在大陆建有多个晶圆厂，而美光不仅解散了上海研发中心，还游说美方制裁大陆存储。如今，中企继续硬拼，美光将被越过。

存储芯片的用量非常大，从进口芯片的占比就能看出，基本上占到三分之一左右。尽管存储芯片制程不太先进，但我们在这方面的差距也不小，多年来也主要依赖进口。

全球存储芯片市场经过几多变局，基本被韩美日企业垄断。存储芯片中用量最大的主要是两类，即内存DRAM和闪存NAND，如今随着AI不断火热， HBM也很重要。

从近几年市场份额来看，三大系列存储芯片排名前三的还是三星、SK海力士和美光。

之前，三星DRAM和NAND两大系列市场份额都是第一，今年第一季度的DRAM市场，三星被SK海力士超过，SK海力士以36.9%份额排名第一，三星第二34.4%。

美光依然排名全球第三，占据28.7%的份额。NAND闪存市场三星继续领跑，市场份额达到31.9%，SK海力士排名第二占16.6%份额，美光第三占据15.4%的份额。

在HBM市场上，SK海力士最为厉害，HBM3占比超90%，三星和美光都有差距。

三星和SK海力士能够稳居全球前两名，很大程度上跟他们重视大陆市场有关，毕竟大陆是全球最大的芯片市场，两家早就在大陆进行布局，建有多个存储芯片晶圆厂。

反观美光，仅仅看中大陆庞大的市场，这么多年来仅在西安建有一座芯片封测厂，并且还解散了上海的DRAM存储芯片研发中心，甚至想把相关的研发人才也打包带走。

更令人不耻的是，五年支出954万美元游说美方政府，对我们大陆存储芯片进行制裁。

这种“吃饭砸锅”的行为自然不会有好的结果，很快就遭到我们相关部门的调查，被禁止重要基础设施部门采购，结果让美光损失巨头，即使多次沟通，也没给它解封。

我们之所以有底气这么做，主要还是因为近几年国产存储芯片发展起来了，尽管还有差距，但也能顶上来。其中长江存储主攻闪存NAND，长鑫存储主攻内存DRAM。

值得一提的是，长江存储的3D NAND技术已经全球领先，不亚于全球存储三巨头。

这也是为什么美光要花钱游说，美方近几年芯片限制还针对存储芯片，因为我们存储技术突破了，需要大量建厂提升产能，但还要用到他们的设备，所以就开始限制了。

不过，存储芯片制程要求并不太高，国产相关的芯片制造设备已经能够国产替代了。

然而，存储芯片实现突围相当不易，历经了很多波折，只能先从低端做起，用低成本优势打开市场。就比如DRAM内存，国产先从DDR3做起，再DDR4，后DDR5。

就这样，国产存储芯片凭借我们大陆制造的成本优势，逐步打开了存储芯片市场。在低成本DDR3和DDR4这些低端产品上，三星、SK海力士都拼不过，逐步放弃了。

三星、SK海力士开始全力转向DDR5、HBM这些高端内存产品，想要以此保存存储芯片竞争优势。我们当然也不能仅守着低端，自然也要向高端前进，毕竟利润更高。

据了解，长鑫存储也计划全面转向DDR5、HBM高端产品，和巨头们硬碰硬竞争。

相关数据显示，目前长鑫存储的市场份额已经占到全球8%-10%左右，预计今年年底或最晚2026年将达到15%-20%左右，接下来继续增长的话，将可能超过美企美光。

对此，有外媒直接评价道，存储芯片情况也开始反转了！美光妄图用制裁阻挠我们国产存储芯片的前进步伐，没想到自己反而受损不少，还可能失去全球第三名的地位！

来源：科技强哥说一点号