摘要：随着人工智能、大数据和物联网等技术深入发展驱动存储芯片复苏增长，NOR Flash正呈现快速发展态势。然而，多年来NOR Flash的核心技术已经止步不前，且MCU E-Flash在28nm以下节点，全球尚未有可行的解决方案。针对这些关键痛点，领开半导体携AT

随着人工智能、大数据和物联网等技术深入发展驱动存储芯片复苏增长，NOR Flash正呈现快速发展态势。然而，多年来NOR Flash的核心技术已经止步不前，且MCU E-Flash在28nm以下节点，全球尚未有可行的解决方案。针对这些关键痛点，领开半导体携ATopFlash©技术横空出世，从底层架构攻破行业壁垒，对NOR Flash进行颠覆性创新，推动产业继续前进。

在NOR Flash技术类型中，ATopFlash©技术采用的是先进的电荷陷阱机制（目前广泛应用于3D NAND），相比竞争对手的传统浮栅机制具有多重技术和性能上的优势，该核心技术具备双重成本优势：一是芯片存储单元面积缩减约50%，使单位晶圆可产出芯片数量倍增；二是光罩数量减少近30%，显著降低晶圆制造成本。这两大优势共同提升了产品的市场竞争力。在打造具有颠覆性的优质技术并取得“0到1”的阶段性成功背后，领开半导体专业过硬的研发团队功不可没。而通过集结“世界顶尖技术+世界顶尖专家”以及资本市场支持，领开半导体不断对产品研发进行迭代，目前已将产品技术布局推进至量产前夜，并制定了三大阶段性的明确目标，以呈现来自中国的“世界性创新”，并向真正做到全球领先持续迈进。

抢抓机遇卡住“世界脖子”

得益于全球半导体产业历经调整后复苏，存储芯片市场正在持续向好。CFM闪存市场数据显示，在AI服务器的强劲需求带动下，2024年全球存储市场规模达1670.00亿美元，创出历史新高。其中，NAND Flash市场规模696.00亿美元，DRAM市场规模973.00亿美元。

然而，存储芯片作为“兵家必争之地”，随着多家半导体龙头强化布局、大批中小企业争相涌入，已形成较稳定且竞争激烈的行业格局。但这并不意味着市场饱和、机会渺茫。

凭借丰富的行业经验和技术积累，领开半导体创始人兼CEO金波敏锐发现，NOR Flash是一个年产值40亿美元的市场，保持着每年15%的增速，对初创企业空间较大。“其市场定义非常清楚，但核心技术多年来发展势头缓慢，长期没有取得重大突破，即目前NOR的主流技术还是浮栅/ETOX，但ETOX浮栅技术小于45nm已经没有设计空间，达到了物理极限，导致行业技术进展五年来徘徊不前。同时，MCU E-Flash小于28nm在全球没有解决方案。”

但NOR Flash仍有其独特价值。在技术路径方面，NOR的非易失性、超高任意读取速度、可片上执行、写入速度慢、和价格昂贵等独特的特性决定了其不适合做大容量存储。不过，当前系统的代码存储和预设信息存储媒介成为对NOR的刚需，促使NOR Flash势必会快速增长。

作为初始代码的载体，NOR Flash被广泛应用于各个智能化领域，包括主板BIOS、数字机顶盒、家庭网关、路由器、IoT、汽车电子、穿戴式设备、安防监控等，并在人工智能、大数据、物联网等新兴技术推动下加速增长。其中，NOR在智能穿戴、AMOLED屏、手机摄影、IoT设备、汽车电子、5G基站、增强现实、虚拟现实、AI用户端等具备较大增长空间。

目前，鉴于需求变化、技术路线和成本效益等考量，全球三大存储芯片厂商相继减产并退出NOR Flash，同时部分国内和中国台湾存储厂商已经占据行业主导地位。金波指出，在主流技术已到极限且无更先进的解决方案情况下，“卡全世界脖子的问题，就是我们的机会。”而他的信心源自领开半导体ATopFlash©技术，这是满足将来产业新产品唯一的技术选择。

底层创新铸就“六大优势”

正如摩尔定律所揭示的，半导体行业的本质在于持续的技术迭代，而创新正是推动产业发展的核心动力。回归初心，敢于创新、而非内卷，掌握基础核心黑科技才是硬道理。基于这一理念，领开半导体立足于从底层架构攻破行业壁垒，从而对NOR Flash进行颠覆性创新。金波认为，领开半导体是一家半导体技术公司，而不仅仅是一家芯片设计公司。随着中国半导体制造水平的持续提升和国内市场规模的快速扩张，过去五到十年间，国内首批芯片设计企业实现了跨越式发展。但若未能掌握核心技术，企业终将面临发展瓶颈，靠内卷和压榨供应链而取得的成本优势，不可持续。毕竟，依靠挤压国内供应链取得优势成本对中国半导体产业来说是一场零和游戏。

据悉，ATopFlash©技术是领开自有知识产权，独立于工艺的非挥发性存储芯片的底层设计架构的发明，可用于量产之 55/40/28nm以及扩展至FinFET 20/14/10/ 7nm 以下逻辑工艺制程，由于该技术对逻辑工艺包容度高，非常适合应用于嵌入式Flash IP。

对于其关键创新，金波阐释道，ATopFlash©技术是NOR架构的全新突破，同时沿用了传统的电压控制而非MRAM/RRAM尝试的电流控制。其物理机制是现在最新的电荷陷阱（Charge Trap，广泛用于3D NAND），并通过多维创新，实现面积可以继续微缩，并填补了嵌入式在28nm以下的真空。

目前，在NOR Flash技术类型中，全球采用电荷陷阱技术的仅有英飞凌(Cypress)、普冉和领开半导体。金波指出，“英飞凌(Cypress)的MirrorBit技术方案采用45m单晶体管，是将电荷放置在两个角落，但已达到物理极限不能再微缩，否则两个电荷将触碰在一起。而普冉的SONOS 2T1b技术源自于英飞凌(Cypress)授权，采用Memory+NMOS选择管架构，可以做到40nm。但由于单位位节面积较大，只适用于低容量产品，并且由于NMOS选择管的耐高压特性，继续微缩会直接影响晶体管可靠性，因此SONOS 2T1b技术继续微缩性价比不高。”

相较Cypress SONOS 2T1b而言，ATopFlash©技术采用基于电荷陷阱机制的“双存储组对”架构，可以运用(但不局限于)先进的逻辑工艺平台，且具有多重技术和性能优势。

第一，全世界最小的架构之一，比ETOX 的1T1bit小半个contact。第二，节省了一层 金属层。第三，单一器件，使工艺更加统一&简洁。第四，大幅提高读取电流。第五，彻底避免了潜在的NMOS选择管的可靠性问题。第六，微缩路径仅受制于第一金属层的间距大小，随着工艺节点推进，进一步微缩的路径通畅。

正是基于ATopFlash©技术的这些特点和性能优势，领开半导体才有了底气“卡全世界的脖子”。而让金波尤为自豪的是，作为技术研发的老兵，无论SONOS 2T1b还是ATopFlash©技术，他均是技术架构发明人。

关键特性形成“降维打击”

“技术创新永无止境”，这是金波在半导体行业摸爬滚打多年体现出的重要信条和特征。因此，他以极大勇气和信心创立领开半导体，决心将ATopFlash©技术从理念转化为现实。

“存储是一个老实人的行业，只能老老实实的开发技术，取得成本优势。目前我们的技术毫无疑问是世界领先的。”金波自信地表示，一旦领开的技术优势保持下去、扩展开来，就能弯道超车、热刀切黄油，在行业竞争中形成降维打击。

据悉，领开于2025年5月实现55nm出片技术验证成功，并力争在今年下半年实现新产品流片，从而成为行业崭新的行业标杆。

ATopFlash©技术的核心优势包括两大成本优势。芯片的成本包含两大部分，分子是晶圆价格/成本，分母是单位晶圆芯片颗粒数。首先，领开半导体的芯片单元存储面积较同行小了近一半，意味着在一片晶圆上可以大幅增加芯片颗粒数。其次，制造工艺简单。在芯片制造环节中，光罩通常占据不菲成本，而ATopFlash©技术的光罩经实测仅需22层，大幅少于主流技术的30层。

至于可靠性，ATopFlash©达到10万次擦写和十年数据保存的业界JEDEC标准，前期产品的温度范围为-40C–85C，满足消费和工业应用。通过微调工艺和设计，将来可达125C车轨标准。

金波指出，“ATopFlash©技术还可以满足端侧AI芯片的更高需求。特别是高容量和高速读取，接下来可以做不少文章”。正因如此，ATopFlash©技术很可能成为未来产业新产品的唯一技术选择。

专业过硬团队“一马当先”

众所周知，存储芯片行业竞争向来尤为激烈且格局已较稳固，但“后来者总有机会”。

如今，通过集结“世界顶尖专家打造世界顶尖技术”以及数千万元研发投入，领开半导体熬过了起步的艰难阶段，达成了“从0到1”的发展目标，即将迎来产品市场化的爆发期。而在打造具有竞争力的优质产品并取得阶段性成功背后，领开半导体的研发团队功不可没。

据金波介绍，领开半导体规模虽然不算大，但已拥有15位专业过硬的研发人员，其中包括刷新过全球存储芯片研发速度记录的“行业大拿”，以及拥有30年以上的半导体行业产品研发和工程管理经验的外籍专家。与此同时，领开半导体还在不断向海外知名企业和国内一流大学伸出橄榄枝，“两条腿走路”持续保持高层次人才浓度、世界级和旺盛活力水准。

其中，作为从业近三十年的行业老兵及领开半导体掌舵人，金波曾在多家半导体企业任职高管，在综合管理、技术开发、生产线管理、晶圆行业经验和产业投资等方面具有一系列显著成果，同时也是全球所有65nm以下独立以及MCU嵌入式SRAM 6T cell通用架构的发明人。

至于人才引进标准方面，在金波看来，具备真本事和强执行力至关重要，好的结果往往源自于此。而这在内部共同讨论形成的核心价值观和企业文化中有所体现，其中包括三项执行力：做得出来，卖得出去；执行力：没有测量，没有性能；执行力：提前计划&快速行动。

“除了执行力，我们还看重是否注重团队精神，是否笃信技术才是核心竞争力等。”他说。

阶段目标剑指“全球领先”

鉴于具有竞争力的优质产品以及专业过硬的团队“齐聚”，领开半导体已经制定了三大阶级性的明确目标，即2026年打造全线产品，2028年尝试登陆科创板，真正做到全球领先。

金波表示，“通常一项芯片技术需要5-10年的研发。但凭借厚积薄发，领开半导体在短短两年之内，已经实现55nm技术验证，同时40nm先导产品设计已完成80%，处于量产前夜阶段。另外，存储芯片是标准件芯片，具有相同的接口和操作命令，客户可以即插即用，这使得具备核心技术和成本优势的ATopFlash©技术能实现快速推广和起量，未来前景广阔。”

无疑，半导体作为高科技行业，依靠核心技术突破才是正道。而凭借原创技术打造的核心优势，领开半导体在营收利润和毛利率上有望处于“高位预期”，同时在行业价格竞争中更加富有弹性。这使得ATopFlash©技术相关项目容易受资本青睐，并成为上市公司优先并购标的。

如今，随着半导体行业不断深入发展，更多投资人开始关注这家实力不凡的初创企业。例如具有清华背景的飞图创投连续领投两轮。在领开半导体总部迁至宁波后，宁波天使投资引导基金、镇海产业投资基金、甬股交的润宁基金均以真金白银给予支持，助力其企业规模不断扩大、产品研发和市场推广的后劲更加充足。

在给企业命名时，金波便赋予了其愿景：领先潮流、开拓未来，以及使命：自主、自强和创新。在使命践行方面，如今刚完成技术积累的领开半导体，已经取得了17项国内技术专利，另有多项专利正在申请中。而在此举背后，金波坚信，中国的半导体肯定将成全世界第一，而专利注册在国内寓意着这是来自中国的“世界性创新”。同时，依托中国工程师的辩证思维天然优势，领开半导体将来也势必能平稳快速地“壮大”，从而站上世界之巅。

来源：集微网