摘要：昨天，全球存储巨头铠侠在战略会议上正式公布其面向AI时代的中长期增长战略，核心聚焦于下一代SSD技术的突破与生态协同。公司计划通过融合高性能XL-FLASH存储芯片与全新控制器设计，推出一款革命性固态硬盘，目标实现超过1000万IOPS的随机读写性能，预计20

昨天，全球存储巨头铠侠在战略会议上正式公布其面向AI时代的中长期增长战略，核心聚焦于下一代SSD技术的突破与生态协同。公司计划通过融合高性能XL-FLASH存储芯片与全新控制器设计，推出一款革命性固态硬盘，目标实现超过1000万IOPS的随机读写性能，预计2026年下半年完成样品开发。

铠侠表示这款突破性SSD将采用XL-FLASH(SLC)，搭配定制化控制器，专为小规模数据操作优化，显著降低延迟并提升效率。公司代表强调：“这一组合将在企业级存储市场树立新标杆，尤其适合AI训练、实时分析等高并发场景。”此外，铠侠正与多家GPU厂商深度合作，针对性优化硬件协同，进一步释放AI及图形密集型应用的算力潜力。

在现有产品线方面，铠侠已全面推出基于第八代BiCS FLASH技术的CM9与LC9系列SSD。其中，CM9系列面向AI服务器与高性能计算场景，顺序读取速度高达14.8GB/s，随机读取性能达340万IOPS，并支持双端口2.5英寸及E3.S规格，最高容量达61.44TB。而LC9系列则主打超大容量存储，单盘容量突破122TB，适用于AI推理、大规模数据库等需要海量数据存储的场景。

第八代BiCS FLASH通过CBA，也就是CMOS直接键合阵列技术实现性能与能效双提升，接口速度达4.8Gb/s，输入功耗降低10%，输出功耗减少34%。铠侠计划扩大该技术的产能，覆盖从高端SSD到AI智能手机的多领域应用。

展望未来，铠侠采取“双轨并行”策略：一方面推进传统堆叠层数升级，如第十代BiCS FLASH（332层）；另一方面深化CBA技术迭代，第九代产品将结合成熟单元设计与先进CMOS工艺，平衡性能与成本。

随着AI基础设施需求激增，铠侠正通过技术创新与生态合作，加速抢占存储市场高地，为全球数据中心提供高效、可靠的存储解决方案。

来源：超能网