摘要：基于石墨烯的自旋电子器件，需要有效的自旋注入，并且通常使用电介质隧道势垒，以促进自旋注入。然而，在二维表面上，直接生长超薄电介质是极具有挑战性和不可靠的。

基于石墨烯的自旋电子器件，需要有效的自旋注入，并且通常使用电介质隧道势垒，以促进自旋注入。然而，在二维表面上，直接生长超薄电介质是极具有挑战性和不可靠的。

今日，英国剑桥大学（ University of Cambridge）Soumya Sarkar，Yan Wang & Manish Chhowalla等，在Nature Electronics上发文，报道了在石墨烯横向自旋阀中，利用铟和钴（In–Co）铁磁范德华接触的自旋注入，并且没有沉积电介质隧道势垒。

通过这种方法，获得了1.5%±0.5%磁电阻值（自旋信号约为50Ω），这与最先进具有氧化物隧道势垒的石墨烯横向自旋阀相当，工作器件的成品率超过70%。相比之下，具有仅包含钴的非范德瓦尔斯接触的横向自旋阀是低效的，并且最多表现出大约0.2%的磁电阻（大约3Ω的自旋信号）。这铁磁铟钴范德瓦尔斯接触的接触电阻为2–5kΩ，并且兼容于互补金属氧化物半导体器件。

Spin injection in graphene using ferromagnetic van der Waals contacts of indium and cobalt.

在石墨烯中，利用铟和钴的铁磁性范德华接触进行自旋注入。

图1: 具有反铁磁FM 范德瓦尔斯Van der Waals，vdW接触的石墨烯横向自旋阀lateral spin valves，LSV。

图2: 取决于温度的电输运。

图3: 范德瓦尔斯vDW 反铁磁FM接触的自旋输运。

图4: 取决于偏压的磁输运。

来源：今日新材料

来源：石墨烯联盟