摘要：国家知识产权局信息显示，ASM IP控股有限公司申请一项名为“用于制造半导体器件的方法”的专利，公开号CN120072630A，申请日期为2018年10月。
金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，ASM IP控股有限公司申请一项名为“用于制造半导体器件的方法”的专利，公开号CN120072630A，申请日期为2018年10月。
专利摘要显示，一种用于制造半导体器件的方法包括：在基板上形成SiN膜。使用含He气体对SiN膜应用等离子体处理。
来源：金融界
摘要：国家知识产权局信息显示，ASM IP控股有限公司申请一项名为“用于制造半导体器件的方法”的专利，公开号CN120072630A，申请日期为2018年10月。
金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，ASM IP控股有限公司申请一项名为“用于制造半导体器件的方法”的专利，公开号CN120072630A，申请日期为2018年10月。
专利摘要显示，一种用于制造半导体器件的方法包括：在基板上形成SiN膜。使用含He气体对SiN膜应用等离子体处理。
来源：金融界
