摘要：聚焦离子束（FIB）技术在半导体芯片制造领域扮演着至关重要的角色。它不仅能够进行精细的结构切割和线路修改，还能用于观察和制备透射电子显微镜（TEM）样品。

聚焦离子束（FIB）在芯片制造中的应用

聚焦离子束（FIB）技术在半导体芯片制造领域扮演着至关重要的角色。它不仅能够进行精细的结构切割和线路修改，还能用于观察和制备透射电子显微镜（TEM）样品。

金属镓作为离子源的优势

在FIB技术中，金属镓被广泛用作离子源，这与其独特的物理特性密切相关。镓的熔点仅为29.76°C，这意味着在室温稍高的情况下，镓就能保持液态，便于操作。此外，液态镓的蒸气压极低（小于\(10^{-13}\) Torr），即使在高真空环境中也能保持稳定，不易挥发，从而避免了对真空腔的污染。

镓的表面张力与Taylor锥的形成

镓的表面张力较高，这使得它能够稳定地形成Taylor锥，这对于精确提取离子至关重要。Taylor锥的形成是FIB技术中的关键步骤，它涉及到液态镓在电场作用下的形状变化。

镓离子束的产生过程

镓离子束的产生是一个复杂而精细的过程。首先，液态镓被存储在一个被称为Ga Reservoir的容器中，并通过加热线圈（heater wires）保持液态。随后，液态镓通过毛细作用流向W针尖（W needle）的表面。在钨针尖和提取电极之间施加数十千伏的强电场，这个电场集中在针尖处，使得液态镓受到电场力的拉伸。

在电场的作用下，液态镓被拉伸成一个曲率半径非常小的锥形，即Taylor锥。在Taylor锥的尖端，液态镓的原子被强电场游离，形成镓离子。这些离子以大约50°的初始发射角射出，并在下游的电磁透镜的作用下被聚焦。

经过聚焦后的镓离子束形成了一个高亮度、高精度的高斯分布束斑（Gaussian Profile）。这种分布使得FIB技术在微纳加工中能够实现极高的加工精度，通常小于10纳米，这对于芯片制造中的精细操作至关重要。

结论

聚焦离子束技术因其独特的物理特性和精细的加工能力，在芯片制造领域发挥着不可替代的作用。金属镓作为离子源的选择，不仅因其低熔点和低蒸气压，还因为其高表面张力和在电场中形成的Taylor锥，这些都是实现高亮度、高精度离子束的关键因素。通过精确控制电场和电磁透镜，FIB技术能够产生具有高斯分布的聚焦离子束，为微纳加工提供了强有力的工具。

来源：金鉴实验室