摘要：国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“改善中高压器件可靠性的方法”的专利，公开号CN 119133105 A，申请日期为2024年9月。

金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“改善中高压器件可靠性的方法”的专利，公开号CN 119133105 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种改善中高压器件可靠性的方法，将Spacer1工艺、IOR工艺和SAB工艺三张光罩版图优化，在不增加成本的前提下，能提高器件性能，改进在于利用第一隔离光罩保护高压区的栅极开槽,同时定义中压区源漏到沟道宽度，源漏到沟道宽度大于第二隔离的宽度，执行隔离刻蚀，保留高压区栅极开槽和中压区源漏靠近沟道的第一隔离；按现有技术执行后续至执行至IOR工艺时，利用IOR光罩遮盖住低压区和高压区，中压区打开，对中压区有源区氧化层进行刻蚀，利用中压区第一隔离作为硬掩模，去除源漏注入区氧化层；按现有技术执行后续至执行至SAB工艺，利用SAB光罩遮挡高压区的栅极开槽。

来源：金融界