摘要：不过芯片行业的应该都知道，用百分比来衡量良品率其实并不准确。毕竟大芯片良品率低，小芯片良品率高。芯片真正的良率应该用缺陷密度D0来衡量。

据 Wccftech 报道，英特尔 18A制程良率不足10%，这将导致该工艺无法进入批量生产阶段。

不过芯片行业的应该都知道，用百分比来衡量良品率其实并不准确。毕竟大芯片良品率低，小芯片良品率高。芯片真正的良率应该用缺陷密度D0来衡量。

即便如此，由于良率不足的问题，博通也取消了英特尔的订单，寻找可行的替代的供应商。对于现在的英特尔来说，无疑是雪上加霜。

图源：路透社

英特尔对18A工艺一直基于厚望，之前还有报道称，英特尔已经取消了客户的20A制程，并将资源转移到18A制程。

18A制程也是继20A制程后，第二个RibbonFET全环绕栅极晶体管和Power Via背面供电技术。

与20A制程相比，18A制程优化了RibbonFET设计，提高了10%的性能功耗比。

英特尔18A制程的首批产品是Clearwater Forest 服务器芯片、Panther Lake CPU，接下来还有Diamond Rapids。另外微软和美国国防部也将使用该制程节点。

此前，英特尔预计，到2025年年中，内部和外部共有大概8款采用18A工艺的产品。由于良率过低，原定的计划大概率会被推迟。

图源：法新社

相比之下，台积电就顺利太多了。

虽然在“节点尺寸”上台积电稍微落后，但台积电N2制程的晶体管密度远胜英特尔的18A。

英特尔的18A工艺采用了高密度SRAM位单元，尺寸为0.021微平方米（从而实现约31.8Mb/mm²的SRAM密度），明显低于台积电的N2，与台积电的N3E和N5相当。

据悉，台积电的 2nm 工艺引入了一种新的晶体管结构 — 环绕栅极（GAA），GAA 晶体管通过垂直排列的水平纳米片，在四个侧面包围通道，而前代的鳍式场效应晶体管（FinFET）仅能覆盖三面。

GAA 晶体管具有更低的漏电率和更高的驱动电流，从而提升了性能。

图源：彭博社

目前，台积电的2nm 试产良率已达60%，并有望在明年量产时突破70%。

当然英特尔也不是孤单一人。据悉，三星的2nm工艺也在10-20%之间，和英特尔算是难兄难弟。

早在2022年，三星在生产骁龙 8 Gen 1 芯片时低良率，导致高通将订单转交台积电。此次英特尔良率低，高通寻找替代供应商，仿佛旧事重演。

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来源：GEEK极客力量