摘要：当前周期阶段与起始点: 当前存储行业处于上行阶段，本轮周期起始于2025年9月中旬。国庆长假后，市场自9月中旬开始大幅上涨，至今已持续约半个多月，呈现火爆态势。
1、当前存储行业周期状态与驱动
当前周期阶段与起始点: 当前存储行业处于上行阶段，本轮周期起始于2025年9月中旬。国庆长假后，市场自9月中旬开始大幅上涨，至今已持续约半个多月，呈现火爆态势。
本轮周期核心驱动因素: 本轮市场上涨由AI服务器需求带动。AI服务器需求长期向好，存储原厂此前已基于此做了隔年度乐观产能规划，但本次客户需求超预期，导致供需失衡。以OpenAI为代表的客户为锁定存储量及产能供给，不仅对2025年第四季度有需求，还下达了2026年的预测及部分订单。这使上游存储原厂信心增强，预计2025年第四季度和2026年市场将延续涨势。
2、存储行业历史周期对比
疫情前周期规律: 疫情前，存储行业虽有上下波动，但规律较易预测，约一年有一个完整的上下周期，最长不超一年半。
疫情后周期变化: 疫情打乱存储行业原有周期节奏。2020 - 2022年，因居家办公使存储需求上升，出现长达两年多的上涨周期，之后是一年多的下跌周期。2024年呈短周期特征，上半年涨、下半年跌，延续至2025年。从驱动因素看，疫情前行业上涨主要由两方面推动：一是新产品上市（如手机迭代、平板电脑、智能音箱等）带来需求增长；二是原厂因供过于求进行产能调剂。疫情后，新产品亮点减少，手机换机周期延长，需求趋弱，市场涨跌多由供给端驱动（如减产推动价格上涨）；近期，AI服务器成为新需求亮点，推动行业再次上涨。
3、存储上游产业链格局
DRAM产能与厂商份额: DRAM产能分布以三星、海力士、美光为主力厂商。三星在DRAM领域占据相对较大份额，其月产能超20万片wafer，换算市占率近35%；海力士市占率约20%，美光约15%，三家合计市占率近70%。若加上长鑫产能，四者合计占比达90%，剩余份额来自DDR3、DDR4等立即型应用。从资本支出方向看，HBM是当前DRAM扩产主力，即便无近期涨价，厂商仍以HBM为最大扩产方向。以2025年和2024年为例，三星与海力士在DRAM的资本支出约140 - 150亿美金，美光至少100亿美金，这些支出多用于HBM准备。标准型DRAM扩产少，主要是技术更新迭代，如从E阿尔法纳米向E贝塔纳米升级，但整体扩产速度较缓。
NAND产能与厂商份额: NAND资本支出因缺乏HBM强驱动相对较少。产能分布上，三星是最大单一晶圆厂，市占率约20%；铠侠与闪迪合计占25%（二者共用工厂，实际各自份额约13%）；海力士市占率约15%，美光约10%；长江存储因市场情况变化，份额从8%升至10%。资本支出方面，三星2025年约100亿美金，其他厂商仅20 - 30亿美金。竞争格局上，NAND上游厂商有6家（三星、美光、海力士、长江存储、铠侠、闪迪），而DRAM仅4家（三星、美光、海力士、长鑫）。因NAND厂商数量多且策略差异大，在控制市场价格、同步扩产或减产方面难协调，NAND价格拉涨猛烈程度弱于DRAM。
4、存储下游应用市场分析
服务器需求状况: 服务器存储需求中，AI服务器当前为小众市场，占所有服务器约10%，传统服务器或数据中心需求是核心。过去几年服务器需求保持稳定增长，年增长率从15%-20%放缓至约10%，是唯一维持年增长率正数的存储应用领域，即便增长幅度较小，也持续为正增长。
手机与PC需求状况: 手机与PC存储需求面临相似挑战，因缺乏杀手级应用刺激消费者换机，均处于高原期。手机全球年出货量维持在12亿部左右，呈现个位数衰退，无明显增长；PC年出货量约两三亿台，同样因缺乏新概念刺激换机而处于高原期。尽管为存量市场，但对存储厂商而言仍至关重要，因其体量大（手机单一年出货量12亿级，PC两三亿台）。此外，手机单位存储容量持续提升，2024年主流为256G，2025年主流升级至512G，带动存储消耗量增加，这对存储厂商具有重要意义。服务器、手机、PC三大领域是存储厂商关注的最重要领域，当前格局为服务器增长，PC与手机维持持平的高原期阶段。
5、存储技术发展路径解析
DRAM技术发展瓶颈: DRAM技术发展相对缓慢，原因有二：一是资源被HBM挤压；二是维持在2D制程，目前大致处于10纳米左右，处于从2D向3D跨越的关卡，跨越需大量资本和资源。技术迭代小步放缓，从14纳米降至12纳米再到10纳米后可能停滞。受HBM火热影响，标准型DRAM在2026年甚至2027年的技术发展可能较缓慢。
NAND技术发展趋势: NAND Flash已进入3D制程，技术发展以提升堆叠层数为主。自2024年起已进入200层以上，预计2026年将进入300层或接近300层，这是明确规划。300层后继续堆叠可能因良率和风险提升而放缓，但过去不到5年已从32层、64层发展至即将进入300层。此外，SSD从PCIe 4.0向5.0过渡趋势明确，虽当前缺货可能使过渡时间延迟，但进程不变。
6、手机存储市场细分讨论
手机存储容量分级: 手机存储容量分高阶、中阶、低阶三级。高阶手机存储主力为512G（部分1TB），占出货量30%；中阶集中在128 - 256G，占30%；低阶跨度16 - 64G，占40%。低阶主要在新兴国家市场，如非洲、东南亚，涉及传音、小米等厂商。
手机存储供应格局: 手机存储供应中，原厂与模组厂占比为7:3。原厂是有晶圆厂的存储厂商（DRAM 4家、NAND 6家），占70%。其中，三星占原厂供应的40%，海力士占20%，美光占10%（因国内手机品牌减少用美系资源，市占率下降）。模组厂占30%，包括江波龙、百维等国内厂商。长鑫和长江存储刚起步，受益于国产化及补贴政策，市占率正上升，未来体量有望扩大。
7、存储厂商战略与利润分析
厂商战略侧重点: 存储厂商战略优先级围绕不同产品线利润展开。HBM利润最高，此前约70%，三星虽遇技术瓶颈欲以价格抢份额，但预计利润至少50%，是原厂最侧重领域。其次是服务器用SSD和内存条，处于上升阶段，因质量和规格要求严，进入障碍高，利润约40%。手机和PC等消费级存储需求疲软、价格竞争激烈，原厂利润约20%-25%，模组厂约10%-15%，在战略优先级中排最后。
8、存储技术关键点解析
NAND的QLC发展趋势: NAND Flash的TLC正逐步向QLC迭代，这是除3D制程堆叠外的另一技术演进趋势。QLC与TLC相比，价格优势显著，2025年市场上行周期中，两者价差约10%；若市场下行，价差可扩大至20%。但QLC存在寿命劣势，其使用寿命约为TLC的一半，以消费级SSD为例，TLC盘寿命约10年，QLC则约5年。尽管QLC寿命缩短一半，但消费级需求对寿命实际接受度较高——消费级SSD保护期通常为3 - 5年，QLC的5年寿命已足够覆盖。QLC成为主流的驱动因素包括：原厂可通过共用TLC既有工厂及机台设备生产QLC，在不增加大量资本支出的情况下提升20%产能，进而增加收入；同时，QLC技术经过多年发展已相对稳定，客户接受度良好。
存储主控格局分析: SSD的核心组成包括NAND Flash与主控，其中主控（尤其是固件）是决定SSD性能的关键。全球主控市场头部格局稳定，台湾群联与美国上市的慧荣两家厂商占据近70%份额，凭借多年技术积累形成不可撼动的T1梯队。国内主控市场方面，消费级领域发展较好的是总部位于杭州的连云科技，其受益于国产化浪潮及国内消费者对新兴SSD品牌的尝鲜需求（国内存在数十个SSD品牌），通过服务尾部SSD品牌客户，在国内市占率表现突出；其他如英韧、特拉菲等厂商则落后于连云。企业级存储主控市场相对单纯，主要由原厂主导（原厂SSD配套自身主控），服务器端通常使用原厂产品而非模组厂产品，国内企业级SSD主控厂商如大普维拉等份额极小。
9、行业热点问题问答讨论
稼动率与供需关系: 从当前时间看，三大原厂的稼动率在9月份上涨前约为8成。由于市场极度缺货，其他厂已开始提升稼动率，可能拉至90%或100%，短期增加产能的主要方式即为提升稼动率。回顾历史周期，过去几次稼动率通常在70%左右，因过去需求上涨力道较弱（多为一个季度或两个季度），稼动率短期上升后会因需求转弱回落至7成左右。未来几个月，稼动率将呈现逐步上升的趋势。
HBM供需与泡沫风险: 当前HBM市场热度高，三大原厂均积极扩产。对于2026年HBM的供需情况，存在供应过剩的讨论，市场认为HBM存在泡沫成分，因当前对HBM的预期已乐观到极致，需天时地利人和才能实现，且AI服务器尚未找到如苹果手机般具体可落地或获利的模式。不过，泡沫短期内不会破裂，至少维持到2026年第二季度结束，需求不如预期的情况可能出现在2026年下半年。若铺陈良好，2026年全年或保持上升。新应用领域的泡沫有一定健康性，但需关注泡沫中的水分。
产能消耗与替代趋势: 从产能消耗看，HBM占DRAM消耗率已接近一半，且每生产一单位HBM消耗的DRAM原材料是标准型的3倍。NAND方面，TLC正往300层演进，成本随之下降；QLC当前占比约2层，未来几年可能爬升至一半，逐步成为主流。HDD与SSD的替代关系上，AI服务器因运算需求100%使用SSD；传统服务器因HDD缺货且不再扩产，会加速转向SSD。但HDD因可存储15 - 20年以上数据的优势不会完全消失，最终可能形成70% SSD与30% HDD的平衡，这一下坡过程可能持续5 - 10年。
库存与涨价幅度: 当前库存水平较低，模组厂正常库存约4个月，目前仅2个月；客户正常库存3 - 4个月，目前不到2个月。企业级存储的满足率不到50%，消费级（手机、PC）满足率仅30%。第四季度，企业级存储涨幅至少30%，乐观情况下消费级SSD或DRAM涨幅可达50%。明年第一季度，企业级因数据中心、服务器等基础建设需求，涨幅将持续；消费级因终端（手机厂商或消费者）需吸收涨价成本，可能出现调高售价或降规应对的情况。
利基存储与HBM技术: 利基存储方面，DDR3价格稳定，因需求刚需且客户数量稳定；DDR4与LPDDR4年初至9月涨幅已翻倍，受DDR5涨价带动，第四季度或再涨25% - 30%。NOR Flash与小容量NAND因产能切换需求，年初至2026年上半年涨幅接近翻倍，后续季度涨幅约20%。HBM技术上，三星HBM3E面临英伟达验证问题，降价30%主要影响自身份额，HBM利润仍远高于DDR5；高通3D堆叠DRAM技术商业化需较长时间。DDR4与DDR5转换受主芯片支持、客户验证等因素影响，当前客户已有DDR5方案，价差（正常20%，极端50%）会影响切换方向，整体仍向DDR5切换。
Q&A
Q：当前三大原厂的稼动率水平如何？上一轮周期中，原厂的稼动率处于什么位置？
A：本轮周期中，9月上涨前三大原厂的稼动率约为80%；当前因市场极度缺货，其他厂商已规划将稼动率提升至90%-100%。上一轮周期中，原厂稼动率通常在70%左右，因过去上涨周期较短，稼动率难以大幅提升，短期冲高后常因需求转弱回落至约70%。当前及未来数月稼动率将逐步上升。
Q：展望2026年，HBM供需是否会出现供应过剩，是否会对其他领域产生连锁反应？
A：HBM市场存在泡沫成分，当前预期已达乐观极致，其实现需完全符合规划的理想条件，但实际通常难以达到。原厂积极锁定HBM产能，但因AI服务器及相关AI应用尚未形成明确的获利模式，泡沫成分不可避免。短期来看，泡沫不会破裂，存储需求支撑至明年第二季度结束；若需求不及预期，可能出现在明年下半年。泡沫风险将在2026年下半年升高，若行业铺陈良好，2026年全年或维持上升趋势。新应用领域的泡沫具有一定健康性，但需关注其水分含量。
Q：从产能消耗角度看，先进产品相较旧产品的产能消耗是否更多？
A：HBM的产能消耗显著高于标准型DRAM，主要体现在两个维度：一是当前HBM占DRAM总消耗率已接近一半，需求快速拉升；二是单颗HBM消耗的DRAM原材料为标准型的3倍，因高密度特性导致原材料消耗更高。NAND Flash方面，QLC与TLC处于转换期，TLC正通过向300层演进降低成本，当前QLC占比仍较低，未来几年其占比将快速提升至约一半，逐步成为NAND Flash主流产品。
Q：当前市场认为HDD两大原厂不会扩产，未来随着AI推理、图文视频等AI应用发展，HDD与企业级SSD的替代趋势如何？HDD可存储数据15-20年而QLC/TLC仅5-10年，是否会使后者成为易耗品？未来替代前景如何？A：AI服务器因以快速运算为核心，100%采用SSD，与HDD缺货关联性低；传统服务器则因HDD缺货且原厂不扩产，加速向SSD迁移。当前SSD同样缺货，二者形成替代关系。HDD与SSD本质差异显著，各有优劣：HDD因具备15-20年以上长期存储优势不会完全消失，最终或形成70% SSD+30% HDD的平衡结构，HDD在服务器领域呈现长期长尾特征。尽管HDD产业呈下行趋势，但因不可替代优势，下行周期可能长达5-10年。当前SSD侧重降本，未重点优化使用寿命，从TLC向QLC演进进一步凸显HDD在使用年限上的优势。近期因双方均缺货，替代方向尚不明确。
Q：当前模组厂能否顺利获取企业级颗粒？各家模组厂囤货时企业级颗粒的存货占比情况如何？
A：受HBM及AI服务器需求超预期影响，存储行业自今年3月起价格上涨。因Q3时市场预期第四季度价格回落，行业整体库存水平较低，当前运营主要依赖即时供给。HBM优先级最高，企业级SSD及DRAM供应满足率较低。市场混乱下，除AI服务器外，服务器需求优先级高但满足率不足50%，手机与PC满足率约30%。由于优先级别划分及终端客户、模组厂库存均处低位，上游供货紧张，中间模组厂无货可售，推动价格快速上涨，企业级产品实际分到的供应满足率不足50%。
Q：从企业级与消费级维度，当前对四季度存储产品涨价幅度的展望如何？明年企业级是否会虹吸消费级产能，导致消费级涨幅超预期？
A：第四季度行业价格处于变动周期中，走势尚不明朗。与第三季度相比，企业级存储涨幅至少30%，乐观情况下可能达50%；消费级SSD或DRAM涨幅可能更高，预计达50%。当前距四季度结束还有两个月，价格存在修正可能。若涨幅持续，明年一季度价格将继续上涨，但企业级与消费级表现分化：企业级因作为基础建设部件的实际需求支撑，涨幅将持续；消费级涨幅可能大于企业级，但终端需通过调整售价、下修需求或降规等方式消化成本，可能在某一时间点涨势放缓，需持续关注。
Q：存储在手机BOM成本中的占比在涨价前后的变化情况如何？
A：存储在手机BOM成本中的占比主要取决于使用的存储容量。标准机型中，存储占BOM成本的25%，因主芯片等其他部件成本相对稳定且价格波动较小，存储价格波动对BOM成本影响显著。若存储价格持续上涨，其占BOM成本的比例将进一步增加。
Q：当前AI服务器中DRAM的配置容量情况如何？
A：ASIC因定制化程度及技术含量较高，不同类型的ASIC存储配置差异较大，其使用的存储容量通常不大，但对存储厂商而言售价利润较好。不过由于容量较小，其利润对整体影响有限。此外，ASIC存储使用策略随市场行情波动：市场缺货时，厂商因采购能力不足，新设计项目可能选择降规减少存储配置；市场稳定或过剩时，则会增加存储容量或提升规格。
Q：英伟达H系列服务器通常配置多少容量的DRAM及NAND？升级至Blackview后容量有何变化？
A：英伟达H系列服务器DRAM通常配置16G或32G，SSD与服务器为独立配置。因AI服务器定制化程度较高，一般可能搭配18G或20G的SSD，具体配置存在差异，主要依据客户需求调整。关于升级至Blackview后的容量变化，未提及具体信息。
Q：当前市场库存变化情况如何？
A：正常市场状况下，模组厂平均库存水平约为4个月，供过于求时可达到10-12个月。当前模组厂因保守备货、观望情绪浓厚，库存水平仅约2个月；客户库存水平同样不足2个月。受市场情况不明朗影响，模组厂与客户当前库存均处于较低水平。
Q：今年利基存储中DDR4、DDR3及LPDDR的涨幅情况如何？后续预计涨幅及价格持续性如何？
A：通常按产品代际划分，DDR4与LPDDR4归为同一产品组，DDR3与LPDDR3归为另一产品组。今年利基存储价格上涨主要由两阶段驱动：年初因利基型DDR4及LPDDR4进入EOL，拉动至少两个季度价格上涨，甚至出现DDR4价格高于DDR5的市场倒挂现象；随后AI服务器需求爆发推动DDR5价格快速回升，市场回归正轨。DDR3因长期处于利基状态，客户群体稳定且需求刚性，价格持续上涨但波动较小。DDR4及LPDDR4年初至9月涨幅已翻倍，后续受DRAM强联动性影响，若第四季度DDR5价格上涨50%，DDR4预计至少还有25%-30%涨幅，涨幅持续性与DDR5价格走势高度正相关，直至DDR5价格涨势停滞。
Q：目前8GB DDR4的大致价格是多少？如何看待当前DDR4与DDR5价格倒挂的状态？
A：当前市场已长期停止报价，难以明确DDR4具体价格。参考来看，2GB DDR4颗粒价格约7元，DDR5颗粒因价格回归正轨，当前约8.5元，但市场无实际开盘及现货，上述价格仅为参考。此前因利基型DDR4及LPDDR4产能快速减少，导致DDR4价格一度高于DDR5出现倒挂；随着AI服务器需求拉动DDR5价格上涨，目前已回归正常价差关系。
Q：今年年初台湾厂商及下半年国内厂商先后启动Norflash涨价，如何看待Norflash涨价的持续性？
A：Norflash涨价与小容量Nandflash需求绑定，主要因年初DDR4、LPDDR4产能减少，叠加小容量NAND产能向大容量切换，导致小容量NAND需求转向Norflash，推动其涨价。当前NOR及小容量NAND涨幅已接近翻倍，后续单季度涨幅将放缓至约20%，预计第四季度至明年上半年持续上涨，且与小容量NAND呈正相关，持续上涨概率较高。
Q：三星HBM 3E降价30%对下一代HBM 4E市场格局有何影响？若HBM 4E降价6%-8%抢占份额，其价格是否会与高等级DDR5趋同？高通计划推出的3D堆叠DRAM技术是否会对HBM形成冲击？若HBM价量受冲击，是否会进一步拉动DRAM需求？
A：三星HBM 3系列技术验证未通过英伟达是关键障碍，价格并非唯一准入条件。假设其通过验证，HBM 3E降价30%将主要影响自身利润率，但海力士、美光未必跟随降价，市场份额将在三者间转移。HBM利润仍显著高于DDR5，且需求能见度更优，原厂扩产仍优先HBM，因此HBM降价不会影响DDR5策略。关于高通3D堆叠DRAM技术，当前HBM市场处于极度缺货状态，且新技术面临良率低、商业化难度大等问题，短期内难以大规模应用并冲击HBM市场。HBM价量若受冲击，对DRAM需求的拉动作用有限。
Q：DDR4与DDR5的转换速度是否较快？不同制程是否支持直接转换？
A：DDR4与DDR5的转换速度较慢，这是今年DDR4价格大幅上涨的主要原因。转换难度并非源于技术本身，而是受两方面因素制约：一是主芯片支持情况，二是终端客户需完成周边验证，无法随意切换。今年客户被迫推进DDR5方案，目前约半数客户已逐步采用DDR5。由于当前已同时具备DDR4与DDR5方案，后续从DDR5切换回DDR4的难度降低，两者价格将呈现正相关波动，客户切换复杂度较年初显著下降。
Q：DDR4向DDR5的切换是否会持续推进，还是可能出现反向切换？
A：正常趋势是DDR4向DDR5切换，若DDR5价格未出现极端上涨，该趋势将持续。当前因DDR4与DDR5均涨价且DDR4缺货，暂未出现反向切换情况。
来源：全产业链研究一点号