摘要：BL34C04A-NTRC是一款512字节的ROM设备，旨在在1.7V - 3.6 V电压范围内（最大1 MHz）运行MBus接口。RST BL34C04A包括一个4 Kbit序列EEPRAM，分为两个存储库，每个存储库256字节，即总存储器512字节。每个库

介绍

BL34C04A-NTRC是一款512字节的ROM设备，旨在在1.7V - 3.6 V电压范围内（最大1 MHz）运行MBus接口。RST BL34C04A包括一个4 Kbit序列EEPRAM，分为两个存储库，每个存储库256字节，即总存储器512字节。每个库由两个128字节的块组成。该设备能够选择性地锁定四个128字节块中的任何或所有块中的数据。专为在具有串联存在检测功能的动态随机存储器（双列行存储器模块）中使用而设计，有关动态随机存储器模块配置的所有信息（例如其访问速度、大小、组织）都可以在一个或多个存储块中保持写保护。单独锁定128字节块可以使用软件写保护机制结合输入A0上的高输入电压V高压来实现。通过向设备发送特定的MBus序列，可以保护每个块免受写操作，直到使用单独的MBus序列对写保护进行电逆转，该序列还需要输入A0上的V高压。所有四个块的写保护同时清除。

- 传输速率高达1 MHz 内存阵列： - 4 Kbit组织为两个存储库，每个存储库256字节 - 每个页面由两个128字节的块组成 每个128字节块的软件数据保护 硬件写保护
写： - 3 ms内的字节写入 - 3 ms内16字节页面写入 施密特触发器，用于噪音抑制的过滤输入 单电源电压： - 1.7 V至3.6 V 高可靠性 - 耐久性：100万次写入周期 - 数据保留：100年 增强的静电放电/闩锁保护 - HBM 6000 V

The BL34C04A is a 512-byte EEPROM device designed to operate the SMBus bus in the 1.7 V - 3.6 V voltage range, with a maximum of 1 MHz.  The BL34C04A includes a 4-Kbit serial EEPROM organized as two banks of 256 bytes each, or 512 bytes of total memory. Each bank is composed of two 128-byte blocks. The device is able to selectively lock the data in any or all of the four 128-byte blocks. Designed specifically for use in DRAM DIMMs (Dual Inline Memory Modules) with Serial Presence Detect, all the information concerning the DRAM module configuration (such as its access speed, its size, its organization)can be kept write-protected in one or more memory blocks.  Individually locking a 128-byte block may be accomplished using a software write protection mechanism in conjunction with a high input voltage VHV on input A0. By sending the device a specific SMBus sequence, each block may be protected from writes until the write protection is electrically reversed using a separate SMBus sequence which also requires VHV on input A0. The write protection for all four blocks is cleared simultaneously

来源：泰德兰电子