摘要：光刻机与光刻胶作为半导体制造的核心环节，其国产化进程是推动我国芯片产业自主可控的关键。以下从产业链细分领域出发，梳理核心概念股及技术突破点：（仅供参考）

光刻机与光刻胶作为半导体制造的核心环节，其国产化进程是推动我国芯片产业自主可控的关键。以下从产业链细分领域出发，梳理核心概念股及技术突破点：（仅供参考）

一、光刻机核心概念股

1. 整机系统

张江高科：作为上海微电子第一大股东（持股10.78%），深度绑定国内唯一光刻机整机研发平台。上海微电子28nm浸没式光刻机预计2025年交付超10台，产能利用率超90% 。

2. 光源系统

福晶科技：全球非线性光学晶体龙头，KBBF、ABO晶体是深紫外激光“转换器”，直接影响光刻机分辨率。上海微电子等国产厂商的激光模块均依赖其技术 。

科益虹源（未上市）：国产ArF/KrF光源领军企业，产品覆盖上海微电子产线，EUV光源进入实验室验证阶段 。

3. 光学系统

茂莱光学：为大宇量昇开发的300mm大口径镜头通过中芯国际验证（支持28nm），同时为上海微电子供应投影物镜，技术精度达纳米级 。

波长光电：国内DUV光刻镜头量产龙头，110nm分辨率物镜稳定用于上海微电子产线，EUV级物镜进入中试阶段 。

4. 控制系统

电科数字：高精度运动控制器打破进口垄断，近期获国内光刻机厂商订单，实现“神经中枢”国产化 。

5. 精密部件

富创精密：全球少数通过ASML认证的精密结构件供应商，产品覆盖腔体、支架等核心部件，国产光刻机结构件国产化率超50% 。

新莱应材：7nm/5nm制程级超高纯气体输送管路系统供应商，客户包括新凯来等头部设备商 。

6. 洁净与真空

蓝英装备：为上海微电子等厂商提供洁净室系统与清洗设备，保障光刻环境“无菌化” 。

美利信：真空腔体泄漏率达国际先进水平（1×10^-10 Pa·m³/s），支撑国产光刻机真空环境需求。

7. 涂胶显影设备

芯源微：国内唯一能量产前道涂胶显影机的厂商，产品覆盖28nm及以上制程，ArF浸没式机型通过客户端验证，显影温度控制精度达±0.1℃ 。

二、光刻胶核心概念股

1. 高端半导体光刻胶

南大光电：国内唯一实现ArF光刻胶（适配28nm）规模量产的企业，客户覆盖中芯国际、长江存储，2025年产能计划提升至500吨 。

彤程新材：KrF光刻胶国内市占率30%，ArF胶通过中芯国际28nm验证并量产，EUV封装光刻胶进入研发阶段 。

晶瑞电材：KrF光刻胶覆盖90nm-55nm制程，ArF胶送样中芯国际测试，G线/I线胶国内市占率超70% 。

2. 核心原材料

久日新材：全国最大光引发剂生产商，完成从焦性没食子酸到光刻胶的全产业链布局，光敏剂已形成规模化销售 。

华特气体：全球仅两家通过ASML认证的光刻混合气供应商之一，产品覆盖5nm先进制程，国内90%以上12英寸晶圆厂使用其气体。

3. 配套材料

安集科技：光刻胶配套抛光液龙头，产品用于存储与逻辑芯片制造，14nm制程渗透率超60% 。

三、掩膜版与设备协同

路维光电：向新凯来批量供应40-55nm掩膜版，28nm产品进入验证阶段，是光刻“底片”的关键供应商 。

冠石科技：联合新凯莱研发SAQP工艺所需高精度掩膜版，28nm产品验证中，若工艺量产将成关键耗材 。

四、技术突破与产业趋势

1. 光刻机国产化：上海微电子28nm浸没式光刻机进入量产，结合多重曝光技术可延伸至14nm/7nm。福晶科技、茂莱光学等企业在激光晶体、镜头等环节实现技术突破，推动国产设备从“可用”向“好用”迈进 。

2. 光刻胶高端化：南大光电、彤程新材等企业在ArF光刻胶领域取得量产突破，EUV光刻胶研发加速（如清华大学碲基胶技术）。久日新材、华特气体等原材料供应商通过全产业链布局提升国产替代率 。

3. 产业链协同：芯源微涂胶显影机与北方华创刻蚀设备整合，提供全环节国产解决方案；茂莱光学、福晶科技等部件供应商深度绑定上海微电子、新凯来等整机厂商，形成“设备-材料”协同效应 。

五、风险提示

技术验证周期长：高端光刻胶和光刻机部件需通过晶圆厂严格验证，从送样到量产可能耗时2-3年 。

国际竞争压力：ASML、JSR等海外巨头在EUV光刻机和ArF光刻胶领域仍占据主导地位，国产替代任重道远 。

政策不确定性：半导体产业受国际贸易政策影响较大，技术封锁或限制可能延缓国产化进程。

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来源：沐南财经