摘要：随着数据中心扩张的加速，云端服务供应商将重点从人工智能（AI）应用从训练转向推理，对大容量存储产品的需求激增，推动了全球NAND闪存市场的快速复苏，也导致了NAND闪存供应开始收紧。

随着数据中心扩张的加速，云端服务供应商将重点从人工智能（AI）应用从训练转向推理，对大容量存储产品的需求激增，推动了全球NAND闪存市场的快速复苏，也导致了NAND闪存供应开始收紧。

据TrendForce报道，有消息人士透露，三星已经扩大了其位于平泽的主要NAND闪存工厂的生产，2025年第三季度第8代V-NAND闪存产线利用率比上一季度提高了超过10%，由过去的60%至70%之间攀升至80%左右，预计第四季度也会持续提升。事实上，自今年年中以来，三星用于NAND闪存生产的材料和组件订单也在不断增加。

三星是在2022年11月，开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，层数达到了236层，相比第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。其基于最新NAND闪存标准的Toggle DDR 5.0接口，I/O速率达到了2.4 Gbps，比上一代产品提高了1.2倍。这使得新款闪存芯片能够满足PCIe 4.0/5.0产品的性能要求，成为了存储配置的基石，不但扩展了企业存储容量，同时还拓展至可靠性要求较高的汽车市场。

第8代V-NAND闪存间接受益于AI驱动的存储需求反弹，由于QLC eSSD供应有限，TLC eSSD也成为了争抢的目标。第8代V-NAND闪存采用了TLC设计，至今没有QLC版本，平时主要用于消费类产品，现在供应已经逐步转向eSSD，消费端SSD库存正在迅速下降。

来源：超能网