摘要：三星电子近期已显著提高了其位于平泽园区内的主力NAND Flash产线的稼动率。 V8 NAND Flash产线的稼动率在2025年第二季仍维持在60%至70%的平均水平。 然而，进入第三季之后，该生产线的稼动率已快速提升至80%的水平，这代表第三季的稼动率较

据报道，三星电子近期已显著提高了其位于平泽园区内的主力NAND Flash产线的稼动率。 V8 NAND Flash产线的稼动率在2025年第二季仍维持在60%至70%的平均水平。 然而，进入第三季之后，该生产线的稼动率已快速提升至80%的水平，这代表第三季的稼动率较前一季提高了超过10%。

与之相应，供应链活动也反映了产能的复苏迹象。 其中，用于制造相关NAND Flash的材料与零件订单量，从2025年年中开始也同步增加了数量。 对此，韩国半导体业相关人士指出，由于市场情况持续改善，下半年V8 NAND的库存出现急剧下降的情况，促使三星电子重新增加生产量。业界预计，第三季的稼动率至少将维持在80%以上，且第四季市场预期也将持续保持。

V8 NAND是三星电子从2022年底开始量产的主力内存产品。 它的堆叠层数高达236层，目前与第六代（V6）NAND共同做为三星电子的核心产品线。 V8 NAND的生产能力估计约为每月10万片晶圆。 现阶段，市场上推动整体NAND Flash情况快速改善的主要动力，源于AI基础设施对储存设备的强劲需求。 目前NAND Flash需求的成长，主要由服务器用的企业级SSD领域所主导。

服务器用的SSD主要搭载QLC NAND Flash。 QLC的优势在于每个单元可储存4个位，相较于TLC仅能储存3个位，这更有利于在高容量储存设备的使用。 三星电子的V8 NAND Flash主要由TLC构成，主要用于消费级应用。 虽然QLC产品尚未发布，然而随着整个NAND Flash供应链转向SSD，据报道消费级SSD的库存正在迅速减少。 因此，三星电子的V8 NAND Flash虽然是间接间接于这一整体趋势，但市场改善带来的效应十分显著。

研究机构的调查也印证了这一趋势。根据TrendForce调查，NAND Flash市场历经2025年上半年的减产与库存去化，供需失衡情况已明显改善。随着原厂转移产能至高毛利产品，市场流通供给量缩减。需求面则有企业加码AI投资，以及NVIDIA（英伟达）新一代Blackwell芯片大量出货支撑。展望第三季NAND Flash价格走势，预估平均合约价将季增5%至10%，但eMMC、UFS产品因智能手机下半年展望不明，涨幅较低。

NVIDIA Blackwell平台出货量逐季升高，且北美地区通用型Server需求正在扩大，中国一线客户的强劲订单动能可望延续至下半年，将激励第三季Enterprise SSD需求持续增长。然而，因订单增长过快，部分供应链厂商交货未能跟上，加上原厂于年初下修产能，第三季Enterprise SSD合约价将上涨5%至10%。

今年第二季因原厂优先释放产能至终端应用，模组厂出货空间受挤压、Wafer库存增加。考虑终端市场对消费电子用NAND Flash产品需求转弱，部分模组厂第三季Wafer备货趋于保守。供给端则有整体NAND Flash产出下降及原厂着重高毛利产品、减少Wafer供应等因素，预估第三季Wafer价格将季增8%至13%。

TrendForce在另一份报告中表示，AI推理(AI Inference)应用快速推升实时存取、高速处理海量数据的需求，促使机械硬盘(HDD)与固态硬盘(SSD)供应商积极扩大供给大容量存储产品。由于HDD市场正面临巨大供应缺口，激励NAND Flash业者加速技术转进，投入122TB、甚至245TB等超大容量Nearline(近线) SSD的生产，原先对未来需求不确定的状况获得缓解。

NAND Flash通过3D堆栈技术的演进，产能提升速度远快于HDD。此外，随着堆栈层数从上百层迈向200层以上或更高，晶圆的储存位元密度不断提升。预期2026年2Tb QLC芯片的产出将逐步放量，成为降低Nearline SSD成本的主力。

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来源：半导体产业纵横