摘要：在半导体领域，中国一直面临着国外技术封锁的困境，尤其是 EUV 光刻机的限制，让中国半导体产业的发展举步维艰。

在半导体领域，中国一直面临着国外技术封锁的困境，尤其是 EUV 光刻机的限制，让中国半导体产业的发展举步维艰。

然而最近一项来自中国科研团队的突破，却让人们看到了希望的曙光。

复旦大学研究团队成功开发出全球首款全功能 2D 闪存芯片，这一消息犹如一颗重磅炸弹，在全球半导体界引起了巨大轰动。

2025 年 10 月《自然》期刊发表了复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室周鹏 - 刘春森团队的最新研究进展。

他们研发的 “长缨（CY - 01）” 架构，将此前的 “破晓” 二维闪存原型器件与成熟硅基 CMOS 工艺深度融合，率先研发出全球首颗二维 - 硅基混合架构芯片。

这可不是一件容易的事。

二维半导体材料与传统硅材料在物理特性上存在着巨大差异。硅晶片通常厚达数百微米，而二维半导体材料的厚度仅在原子级别，不足 1 纳米。

这就好比要在一座崎岖不平的山上铺设一层薄如蝉翼的薄膜，难度可想而知。此前，全球研究者只能在极其平坦的原生基底上处理二维材料，而复旦团队却另辟蹊径。

他们选择了具有一定柔性的二维材料，通过模块化的集成方案，先将二维存储电路与成熟 CMOS 电路分离制造，再与 CMOS 控制电路通过高密度单片互连技术实现完整芯片集成。

经过 5 年的探索试错，团队在单个器件、集成工艺等多点协同攻关，最终实现了超过 94% 的芯片良率。

“长缨（CY - 01）” 芯片的性能指标十分亮眼。

它支持 8 位指令操作与 32 位高速并行处理，能耗低至 0.644 皮焦耳 / 比特，较传统闪存降低了 60%。

其擦写速度更是达到了 400 皮秒，较传统闪存提升了 100 万倍，创下了半导体电荷存储技术的最快纪录。

这样的性能提升，对于当前的 AI 计算系统来说，无疑是一场及时雨。

随着 AI 模型规模的不断扩大，对数据存储速度和功耗的要求也越来越高。传统存储技术的速度和功耗限制，已经成为制约 AI 计算系统发展的关键瓶颈。

而 “长缨（CY - 01）” 芯片的出现，正好解决了这个问题。

不仅如此该芯片还具备良好的环境适应性，能扛住 - 40℃到 85℃的温度变化以及电气干扰。

而且，它无需重建生产线，现有硅基工厂稍微改改就能生产，这对于技术的推广应用来说，是一个巨大的优势。

在全球存储芯片市场，一直呈现出高度垄断的格局。

2025 年第二季度数据显示，NAND 闪存领域前五大品牌厂总市占率达 93%，DRAM 领域三星、SK 海力士、美光合计垄断超 92% 市场份额。

中国厂商长期处于被动地位，但复旦团队的这项技术突破，有望打破这一格局。

这项研究被周鹏称为中国集成电路领域的 “源技术”，使中国在下一代核心存储技术方面占据了领先地位。

从材料研究到工艺落地，中国形成了完整的链条，不再是 “跟跑”，而是真正的 “领跑” 了。

上海已经在建二维半导体的示范生产线了，计划 2029 年量产。

未来随着试点生产线的建立和工程项目的推进，这一技术有望在全球范围内产生示范效应，推动二维半导体材料在更多领域的产业化应用。

未来中国的二维芯片技术有望在全球市场上占据重要份额，为全球信息技术产业的发展注入新的动力。

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来源：聆听娱纪一点号