摘要：OpenAI的Stargate项目每月消耗高达90万片DRAM晶圆，相当于全球产量的40%，这一惊人需求正在触发一场全球性的存储芯片供应危机。

一场席卷全球的存储芯片供应风暴，正在成为新一轮科技竞争的核心焦点。

OpenAI的Stargate项目每月消耗高达90万片DRAM晶圆，相当于全球产量的40%，这一惊人需求正在触发一场全球性的存储芯片供应危机。

自2025年第四季开始，DRAM合约价格预计上涨10-30%，NAND闪存价格攀升5-10%，而高容量硬盘交货期已延长至52周以上。

就连以亲民价格著称的树莓派也无奈宣布涨价，其CEO埃本·厄普顿坦言：“目前内存成本比一年前高出约120%。”

01 万亿赛道：存储芯片的全球供需失衡

全球存储市场正经历从严重过剩到短缺的戏剧性逆转，背后的推动力量令人震惊。

曾经充足的存储芯片，如今被AI数据中心的饥渴需求卷入一场前所未有的供应风暴。

就在一年前，固态硬盘的价格还处于历史低位，高性能NVMe硬盘的售价曾一度仅相当于一块普通的机械硬盘。

然而，市场风向在2024年彻底扭转，一场由AI驱动的供应风暴正在降临。

供需失衡的局面极为严重。AI巨头们的采购规模令人瞠目——OpenAI的“星门”项目近期与三星和SK海力士签署了每月高达90万片DRAM晶圆的供应协议。

仅这一数字，就接近全球DRAM月产量的40%。TechInsights数据显示，2025年全球DRAM产能预计达2,250,000片晶圆月产能，这意味着单单一项目就占据了全球产量的巨大份额。

云服务提供商也在以同样激进的方式锁定供应。高密度NAND产品实际上已被提前数月预订一空。

美光的高带宽内存产品在2026年前的产能几乎已全部售罄。合同期限从过去的一季度延长至数年，巨头们正在源头进行直接采购。

02 算力驱动：AI如何吞噬存储芯片

AI算力的迅猛发展对存储芯片提出了前所未有的需求。训练和部署大语言模型需要海量的内存和存储，数据中心内的每一个GPU节点都能消耗数百GB的DRAM和数TB的闪存。

半导体行业观察指出，过去几年，AI的飞速发展让算力成为全球争夺的核心，但很多人忽视了一个同样至关重要的环节——存储。

没有存储的支撑，算力就像没有燃料的引擎，再强大也难以释放全部潜能。

尤其是在大模型和生成式AI的浪潮下，数据体量和推理场景不断膨胀，存储的需求也随之水涨船高。

HBM已成为AI芯片的关键组件。从H100的80GB容量、3.4TB/s带宽，到GB300的288GB容量、8.0TB/s带宽，不到三年时间里，HBM实现了容量超过两倍、带宽约2.5倍的惊人提升。

HBM的惊人利润率正在重塑整个内存产业的生产优先序。SK hynix在2025年9月宣布完成HBM4内部认证并建立量产系统，抢在三星和美光之前占据市场领先地位。

根据Meritz分析师的预测，SK hynix预计在2026年维持约60%的HBM市场占有率。

全球HBM市场规模将6年翻5倍，2030年突破980亿美元，这场由人工智能引爆的存储革命正重塑全球半导体版图。

Yole的预测显示，HBM将以21.7%的年复合成长率从2024年延续至2028年。

03 汽车增量：智能汽车的存储新需求

汽车芯片含量随着智能化升级成倍增长。天风电子研究显示，电动车半导体含量约为燃油车2倍，智能车为8-10倍。

需求增量端，2020年全球约需要439亿颗汽车芯片，2035年增长为1285亿颗。价值增量端，2020年汽车芯片价值量为339亿美元，2035年为893亿美元。

电动化、信息化、智能化、网联化发展推动汽车存储革命，将由GB级走向TB级别。举例来看，L4级别传感器因数量及分辨率需求的提升每两小时就需要存储2TB场景记录数据。

根据西部数据，到2030年，常见型号的自动驾驶汽车代码量将达到3亿行，约为当前智能手机的12倍。

各类车型的存储需求翻倍增长。根据Yole，轿车、货车和公共汽车的DRAM平均存储容量将以35%的复合增速增长（2020-2026），并在2026年达到平均每车约27GB，翻6倍。

各车型NAND平均存储容量将以57%的复合增速增长（2020-2026），并在2026年超过500GB，翻15倍。

一辆L5级的全自动驾驶汽车估计需要74GB DRAM和1TB NAND。

04 技术解析：三大存储技术破局

HBM、HBF和GDDR7——这三种存储技术正在重新定义AI基础设施的未来格局。它们的竞合演进，不仅关乎存储产业数千亿美元的市场格局，更决定着人工智能能否真正突破当前的技术天花板。

HBM：高带宽的王者之战

HBM已不仅仅是高性能AI芯片的标配组件，更演变为存储行业激烈角逐的战略制高点。这种通过3D堆叠技术实现的超高带宽存储，已经成为决定AI芯片性能上限的关键因素。

当前的市场格局呈现出明显的分化态势。SK海力士凭借技术和市场的双重优势，稳居霸主地位。

据最新报道，SK海力士和美光已进入第六代高带宽存储器（HBM4）的最终测试阶段。

特别值得关注的是，SK海力士在质量测试方面遥遥领先，目前已宣布完成下一代HBM4内存开发，并已具备全球首个大规模量产条件。

HBF：NAND闪存的新冒险

随着AI基础设施对存储需求的指数级增长，传统存储的局限性日益凸显。高带宽闪存（HBF）作为一种全新的技术路径，正试图在带宽与容量之间找到新的平衡点。

与用DRAM层叠而成的HBM不同，HBF是将NAND闪存层叠而成的产品，利用NAND闪存的特性实现更大的存储容量。

今年2月，美国闪存企业Sandisk率先宣布正在开发HBF技术，将其定位为“结合3D NAND容量和HBM带宽”的创新产品。

HBF在成本控制方面也具有潜在优势。NAND闪存的每GB成本远低于DRAM，这使得HBF在需要大容量但对带宽要求相对宽松的应用场景中具有明显的经济性。

GDDR7：推理架构的“降配”与新机遇

GDDR7在成本与性能之间找到了巧妙的平衡点，为AI推理的普及化铺平道路。今年9月10日，英伟达推出Rubin CPX GPU，这款专为长上下文AI工作负载设计的处理器采用了128GB GDDR7显存，而非更高端的HBM4。

这一决定背后，体现了英伟达对AI推理架构的全新思考。英伟达提出了“解耦推理”的创新理念，将推理过程拆分为两个阶段：计算型GPU负责处理庞大的“上下文阶段”，高带宽GPU则专注于“生成阶段”的吞吐量密集计算。

在这种架构下，Rubin CPX主要承担上下文构建任务，此时GDDR7的带宽和延迟已完全足够。

05 产业链机遇：存储芯片的国产化进程

全球半导体行业迎来史诗级涨价潮。9月24日，存储芯片板块以5%涨幅领跑A股，通富微电、江丰电子等十余只个股封死涨停，资金涌入量突破120亿元。

这场狂欢的导火索源自美光科技最新财报：Q4营收同比暴增46%至113.2亿美元，其中AI专用存储芯片HBM收入激增至20亿美元。

更令人振奋的是，这家存储巨头给出下季度125亿美元营收指引，预示着半导体行业正式进入“价量齐升”的超级周期。

在供需缺口与国产替代的双重机遇下，国内核心企业凭借技术积累与产能布局持续突破。

澜起科技作为全球仅三家内存接口芯片供应商之一，其DDR5 RCD芯片全球市占率提升至45%-50%，HBM配套接口芯片通过美光、SK海力士验证，已实现小批量供货。

据澜起科技2025年Q3预告，当期实现净利润8.6亿元，同比增幅达152%，毛利率稳定在65%以上。

深科技旗下沛顿科技是国内少数实现HBM封装量产的企业，掌握TSV、micro-bumping等核心工艺，为SK海力士、美光提供高端封测服务，2025年HBM封装产能占全球12%，良率已追平行业头部水平。

半导体设备集群也在快速发展。北方华创市值突破3300亿创历史新高，12英寸刻蚀机市占率突破35%，14纳米以下制程设备批量交付中芯国际。

中微公司TSV深硅通孔设备量产，盛美上海KrF涂胶显影设备打入头部晶圆厂。前道设备国产化率突破45%，2026年设备市场规模预计达1800亿元。

06 价格趋势：存储市场的周期律动

存储芯片价格正经历过山车式的波动。据行业数据显示，2023年下半年，曾跌至历史低点的512Gb TLC NAND闪存现货价格在六个月内上涨超过100%，合约价也随之跟进。

该媒体监测的市场价格显示，到2024年初，西部数据2TB Black SN850X的售价已突破150美元，而三星990 Pro 2TB则从假日期间的约120美元低点跃升至175美元以上。

DRAM市场的复苏比NAND晚了一个季度，但模式如出一辙。据调研机构TrendForce预测，2025年第三季度，PC级DDR4产品的价格预计将环比猛涨38-43%。

甚至连显卡用的GDDR6显存也因供应短缺，据报道价格上涨了约30%。

根据TrendForce最新报告，8GbDDR4合约价格在2025年7月至8月期间从3.90美元飙升至5.70美元，涨幅高达46%。

更严峻的是，群联电子行政总裁潘健成在近期访谈中明确表示：“NAND将在明年面临严重短缺，我认为供应将在未来十年保持紧张”。

供需紧张局面很可能将持续较长时间。建造新晶圆厂是解决方案，但代價高昂且周期漫长。

一座全新的存储器晶圆厂需要数百亿美元的投资和数年时间才能达到量产规模。此外，地缘政治为供应链增添了更多复杂性，用于硬盘的稀土磁铁供应也受到贸易摩擦的影响。

因此，对于消费者而言，超廉价PC升级的时代可能暂告一段落。对于企业客户，则意味着需要准备更庞大的基础设施预算。

市场最终会重新平衡，但无人能预测何时到来。综合各方分析认为，存储芯片的价格很可能将持续高企至2026年及以后。

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存储芯片的短缺暴露了全球半导体供应链的深层矛盾。群联电子CEO潘健成的警告言犹在耳：“NAND供应紧张将持续十年，因为制造商在2023年惨赔后不再盲目扩产，转而将资本投入高利润的HBM内存。”

未来的存储芯片市场，将不再是统一的周期性波动，而是高端与主流产品的分化——HBM继续扛高端，HBF补大容量的缺，GDDR7拉低门槛。

对企业来说，无需再局限于一种技术，根据需求选择即可；对整个AI产业来说，这种多元化的存储方案，才能支撑AI向更多行业深入。

（风险提示：股市有风险，投资需谨慎！本文仅为个人观点，交流经验，内容仅供参考，不构成投资建议，也不作推荐，投资者据此买卖，风险自担！）

来源：邱邱老师