摘要：近日，存储行业传出重磅信号：全球模组龙头威刚宣布自9月29日起暂停报价，这一举动被业内视为存储芯片价格即将全面上调的强烈信号。据财联社最新调研，预计今年第四季度至2026年，存储芯片价格将进入持续上升通道。
【价格风暴来袭】存储芯片开启新一轮涨价周期
近日，存储行业传出重磅信号：全球模组龙头威刚宣布自9月29日起暂停报价，这一举动被业内视为存储芯片价格即将全面上调的强烈信号。据财联社最新调研，预计今年第四季度至2026年，存储芯片价格将进入持续上升通道。
深层解读：此次涨价并非短期波动，而是行业三大拐点叠加的结果：
· 供给端：原厂持续减产，库存水位已降至健康水平以下
· 需求端：AI服务器、智能汽车、端侧AI终端拉动高带宽内存(HBM)和大容量存储需求
· 技术端：HBM3E、QLC NAND等新一代技术迭代推动价值量提升
【全球格局】三大巨头垄断，韩美主导市场
当前全球存储芯片市场呈现“三足鼎立”格局：
1. 三星电子（韩国）
· DRAM全球市占率：约42.5%
· 技术领先：率先量产HBM3E，2025年资本支出重点投向HBM产线
· 战略布局：平泽P4工厂成为全球最大半导体生产基地
2. SK海力士（韩国）
· HBM市场垄断地位：全球市占率高达62%
· 客户绑定：英伟达HBM核心供应商，HBM3E产能已被预订至2026年
· 技术突破：下一代HBM4研发进度领先业界
3. 美光科技（美国）
· DRAM市占率：约22.9%
· 业绩爆发：2025财年Q4营业利润同比增长126.6%
· 中国市场：积极争取中国大陆市场准入资格
【国产突围】长江存储、长鑫存储双雄并起
在巨头垄断的存储领域，中国厂商正实现从0到1的突破：
长江存储：中国3D NAND闪存之光
· 技术突破：率先量产200层以上3D NAND，缩短与国际差距至1-1.5代
· 资本进程：完成股份制改革，估值超1600亿元，科创板上市在即
· 生态建设：与华为、小米等国内手机厂商深度合作
· 参股公司：养元饮品、南方传媒等通过产业基金间接持股
长鑫存储：中国DRAM的希望之星
· 市场份额：2025年Q1全球DRAM市占率达6%，实现从无到有突破
· 技术路线：采用19nm工艺量产DDR4，下一代17nm研发中
· IPO进展：已完成辅导备案，预计2026年前后登陆科创板
· 合作伙伴：兆易创新、上峰水泥等上市公司深度参与产业链
【产业链全景】国产替代核心标的深度梳理
存储芯片设计
· 兆易创新：NOR Flash全球第三，DRAM自研产品已量产
· 北京君正：车载存储芯片国内领先，收购ISSI跻身全球汽车存储第一梯队
存储模组制造
· 江波龙：嵌入式存储eMMC市场份额国内第一
· 佰维存储：信创市场占有率领先，覆盖华为、中兴等主流客户
配套产业链
· 设备领域：中微公司、北方华创的刻蚀设备已进入长江存储产线
· 材料领域：雅克科技、华特气体的前驱体、电子气体实现国产替代
· 封测领域：长电科技、通富微电布局存储芯片先进封装
【技术演进】HBM成为存储芯片新战场
随着AI算力需求爆发，高带宽内存(HBM)成为技术竞争制高点：
· 性能需求：AI训练集群需要TB级存储带宽，HBM3E带宽已达1.2TB/s
· 技术壁垒：TSV硅通孔工艺、芯片堆叠技术构成极高门槛
· 市场前景：2025年HBM市场规模预计突破150亿美元，年增长率超50%
国产HBM进展：长鑫存储已组建HBM研发团队，预计2026年推出样品。
【投资逻辑】三重驱动力支撑长期增长
1. 周期反转：存储价格进入上行周期，厂商盈利能力将大幅改善
2. 国产替代：长江存储、长鑫存储上市将带动整个产业链价值重估
3. 技术升级：AI驱动HBM、大容量SSD等高端产品需求爆发
风险提示：
· 全球半导体周期波动风险
· 技术迭代不及预期风险
· 地缘政治对供应链的影响
存储芯片作为数字时代的“粮食”，正迎来周期反转与技术升级的共振。在国产替代的大潮下，中国存储企业有望在全球市场占据一席之地。不过，投资者需清醒认识到，存储行业技术壁垒高、周期性强，需要仔细甄别真正具备技术实力的企业。
本文基于公开资料梳理分析，数据来源：TrendForce、各公司财报、行业调研。内容仅供参考，不构成任何投资建议。市场有风险，投资需谨慎。
来源：有趣的科技君
