摘要：使用自产氧化镓衬底，取自进化半导体独特的“无铱工艺”氧化镓晶体，晶片尺寸为2英寸，晶面为(100)偏6度
2025年9月，进化半导体（深圳）有限公司的氧化镓技术布局取得阶段性进展。
进化半导体制备的氧化镓厚膜同质外延片，有如下特色：
1、使用自产氧化镓衬底，取自进化半导体独特的“无铱工艺”氧化镓晶体，晶片尺寸为2英寸，晶面为(100)偏6度
2、使用自主开发的科研级HVPE外延设备，支持2~4英寸衬底
3、外延层厚度为40μm，表面光滑，无色通透。
这是国内首次报道超过20μm厚度的氧化镓同质外延成果，进化半导体将继续潜心研发，支持氧化镓产业的发展和完善。
为何采用(100)偏6度面？
氧化镓（100）面晶体易生长易加工，可以制造大尺寸晶片，但是因无法做外延及芯片而无实际应用价值，(010)和(001)晶面是目前用于芯片制造的主要晶面，但是晶片有解理面，较易在表面加工以及芯片制程和封装环节中破碎，影响产业链多个环节的良率和成本。(100)偏6度面的晶片无解理面，制程适配性更好。
为何采用HVPE外延？
相较于MOCVD外延方式，HVPE一方面使用的气源不燃不爆，安全性非常高；一方面设备和所用气源都更为廉价，研发和产业化的投入低；一方面目前HVPE是唯一的商业化，且唯一能制备超过10μm高品质厚膜的方式。
进化半导体已可供应
(100)偏6度及各种定制晶面的科研级衬底蓝宝石衬底HVPE异质外延片氧化镓衬底HVPE同质外延片科研级HVPE设备欢迎感兴趣的研究团队咨询合作，共同为氧化镓的发展添砖加瓦。
联系方式：sales@evolusia.cn
关于进化半导体：
进化半导体创立于2021年，致力于“第四代”新型半导体材料产业化，是“无贵金属工艺制备氧化镓”理念的倡导者、实践者。公司立足于自主研发，坚持产业创新，已有多项授权的发明专利，是国内少有的拥有单晶炉设计、热场设计、晶体生长、超精密平坦化等全系列自主知识产权的半导体电子材料生产商之一。
来源：宽禁带联盟
