摘要:股权 + 代工 + 代销三重绑定:持有长鑫存储 1.88% 股权,DRAM 产品由长鑫存储独家代工(2025 年关联交易预计达 11.61 亿元),并代销其 DRAM 产品。
一、核心业务绑定企业
1. 兆易创新(603986.SH)
关联逻辑:
股权 + 代工 + 代销三重绑定:持有长鑫存储 1.88% 股权,DRAM 产品由长鑫存储独家代工(2025 年关联交易预计达 11.61 亿元),并代销其 DRAM 产品。
技术协同:双方联合开发 DDR4、LPDDR5 产品,兆易创新的车规级存储芯片通过 AEC-Q100 认证,适配长鑫存储的先进制程。
2. 北方华创(002371.SZ
关联逻辑:
核心设备供应商:刻蚀机已批量导入长鑫存储产线,支持 5nm 以下先进制程,在长鑫产线市占率超 50%。
技术合作:合作开发 3D NAND 堆叠技术,直接受益于长鑫存储 HBM(高带宽存储)扩产,2025 年 HBM 设备收入占比预计显著提升。
3. 深科技(000021.SZ)
关联逻辑:
最大委外封测供应商:子公司沛顿科技承担长鑫存储约 60% 的封测业务,覆盖 17及以下先进制程芯片的封装测试及模组生产。
产业链闭环:形成 “晶圆制造 - 封装 - 模组” 完整链条,直接受益于长鑫存储产能扩张(2025 年 DRAM 产能预计跃升至月产 20 万片)。
4. 雅克科技(002409.SZ)
关联逻辑:
核心材料供应商:通过收购韩国UP Chemical,成为长鑫存储半导体前驱体核心供应商(占其采购量的 15%-20%),产品覆盖 DDR4、LPDDR5 及 HBM 堆叠材料研发。
技术适配性:前驱体材料纯度达 99.9999%(6N 级),适配长鑫存储 17 及以下先进制程。
5. 太极实业(600667.SH)
关联逻辑:
核心基建服务商:子公司十一科技中标长鑫新桥存储二期 FAB A2B 厂务机电工程 EPC 总承包项目(金额 26.15 亿元),深度参与长鑫存储产能扩张的核心基建。
业务持续性:洁净厂房建设需求与长鑫存储扩产直接挂钩,2025 年工程服务收入占比预计提升至 25% 以上。
二、技术协同与设备供应商(关联度 TOP 6-10)
6. 中微公司(688012.SH)
关联逻辑:
先进刻蚀设备:TSV 深孔刻蚀设备(深宽比 > 50:1)用于长鑫存储 HBM 芯片的垂直互连,合作开发 3D NAND 堆叠技术,设备进入长鑫产线并获重复性订单。
技术壁垒:刻蚀精度达 0.02 纳米,技术对标国际龙头应用材料(AMAT),支持长鑫存储向更高密度存储结构升级。
7. 华海清科(688120.SH)
关联逻辑:
唯一量产 CMP 设备厂商:12 英寸 CMP 设备已批量导入长鑫产线,用于 DRAM 芯片制造中的晶圆表面平坦化工艺,2025 年 CMP 设备收入占比预计超 30%。
双向合作:签订商业备忘录,华海清科采购长鑫存储 8Gb DDR4 晶圆用于内存条生产,形成 “设备供应 + 材料采购” 的协同。
8. 拓荆科技(688072.SH)
关联逻辑:
关键薄膜沉积设备:PECVD 设备批量导入长鑫存储 DRAM 产线,用于沉积绝缘介质薄膜,适配 DDR4/LPDDR5 等主流产品的制造工艺,2025 年设备收入预计增长 50% 以上。
技术适配性:设备支持 HBM 3D 堆叠需求,直接受益于长鑫存储先进制程研发与量产。
9. 彤程新材(603650.SH)
关联逻辑:
光刻胶核心供应商:i 线光刻胶批量供货长鑫存储 28 及以上制程,KrF 光刻胶已量产应用,ArF 光刻胶处于验证阶段,是长鑫存储光刻胶领域的主要国产替代选择。
技术突破:光刻胶纯度达 99.999%(5N 级),可满足 DRAM 制造中高分辨率图形化需求。
10. 商络电子(300975.SZ)
关联逻辑:
核心代理商:长鑫存储前五大供应商,负责 DRAM 产品在消费电子、工业控制领域的分销,2025 年代理收入占比预计提升至 20% 以上。
渠道优势:覆盖小米、传音等终端厂商,与长鑫存储联合开发定制化存储解决方案,适配移动设备、AI 服务器等场景
三、材料与工程配套企业(关联度 TOP 11-15)
11. 安集科技(688019.SH)
关联逻辑:
CMP 抛光液供应商:覆盖长鑫存储 14及以上制程,提供铜、钨、介质层等全品类抛光解决方案,在长鑫产线市占率超 30%,2025 年抛光液收入预计增长 40%。
技术适配性:抛光液颗粒控制达 0.01 微米,可满足先进制程中晶圆表面平整度要求
12. 柏诚股份(601133.SH)
关联逻辑:
洁净厂房建设:作为长鑫存储长期合作客户,参与其无尘室系统包项目(如 2024 年中标 7.28 亿元项目),业务关联度与产能扩张直接挂钩,2025 年工程收入预计增长 35%。
技术壁垒:洁净室等级达 ISO 1 级(颗粒数≤1 个 / 立方米),适配长鑫存储先进制程生产环境需求。
13. 博敏电子(603936.SH)
关联逻辑:
IC 载板供应商:IC 载板产品已为长鑫存储打样试产,应用于 DRAM 封装环节,随着长鑫存储 HBM 扩产,载板需求有望快速增长,2025 年载板收入占比预计提升至 15%。
技术突破:载板厚度控制在 0.1-0.2mm,支持 HBM 芯片高密度堆叠(如 16 层)。
14. 京仪装备(688656.SH)
关联逻辑:
半导体设备供应商:为长鑫存储提供半导体专用温控设备、工艺废气处理设备等,设备已通过长鑫存储验证并进入量产阶段,2025 年设备收入预计增长 50%。
技术适配性:温控设备精度达 ±0.1℃,可满足长鑫存储产线对环境稳定性的严苛要求
15. 晶瑞电材(300655.SZ)
关联逻辑:
光刻胶及湿电子化学品:i 线光刻胶向长鑫存储大批量供货,KrF 光刻胶量产供应,同时高纯双氧水、氨水等产品进入长鑫供应链,覆盖半导体制造全流程材料需求,2025 年半导体材料收入预计增长 40%。
技术指标:湿电子化学品纯度达 99.99999%(7N 级),适配长鑫存储先进制程清洗工艺。
四、资本关联与潜在协同企业(关联度 TOP 16-20)
16. 合肥城建(002208.SZ)
关联逻辑:
资本运作预期:母公司合肥建投是长鑫存储重要股东,通过直接控股子公司和主导的有限合伙企业实现对长鑫科技集团的双层持股,存在参与长鑫存储 IPO 战略配售或资产注入的可能性。
业务协同:若长鑫存储在合肥进一步扩产,合肥城建有望承接相关配套地产项目。
17. 朗迪集团(603726.SH)
关联逻辑:
财务投资收益:通过宁波燕创德鑫基金间接持股长鑫存储约 5.95%,若长鑫存储成功上市,其持股价值有望显著增值,但业务协同性较弱,主要受益于资本增值。
关联逻辑:
先进封装合作:与长鑫存储合作开发 HBM 芯片样品,具备 2.5D 封装产线,南通工厂新建 HBM 封装产线主要承接长鑫存储订单,2025 年 HBM 封装收入预计增长 100%。
技术壁垒:TSV 密度达 106/cm,支持 HBM 芯片垂直互连,但目前订单规模较小(占营收不足 5%)。
关联逻辑:
技术互补:CXL 控制器芯片有望进入长鑫存储 HBM 供应链,与长鑫存储的 DRAM 芯片形成 “存储 + 控制” 协同,适配 AI 服务器高带宽需求。
技术验证:CXL 3.0 控制器芯片已通过长鑫存储初步测试,预计 2026 年量产。
关联逻辑:
潜在业务协同:联合 SK 海力士成立合资公司,代理海力士企业级 SSD 在我国区的设计、生产与销售,未来可能基于长鑫存储的 DRAM 芯片开发国产存储模组,适配 AI 服务器需求。
来源:财经大会堂