摘要：近年来，随着人工智能、大数据等应用飞速扩张，全球对高性能存储芯片的需求急剧上升。以DRAM（动态随机存取存储器）为主的存储芯片被广泛应用于服务器、AI加速卡、智能手机和汽车电子等领域。
近年来，随着人工智能、大数据等应用飞速扩张，全球对高性能存储芯片的需求急剧上升。以DRAM（动态随机存取存储器）为主的存储芯片被广泛应用于服务器、AI加速卡、智能手机和汽车电子等领域。
在AI趋势下，高带宽存储（如堆叠式DRAM）需求正以指数级增长，而传统DRAM等标准产品由于产能被挤占而趋于紧张。
表：DRAM标准类型
面对供不应求，各大存储巨头陆续提价：三星电子宣布DRAM、NAND闪存合约价高达20%~30%的涨幅；美光、SK海力士也紧跟其后，传出谈判涨价20%-30%的消息。
据了解，这轮涨价主要集中在旧制程（DDR4/LPDDR4X）和工业、汽车级产品，反映出市场供给结构性收紧。
高带宽存储（HBM）成为行业升级的重点，突破了传统DRAM的带宽瓶颈。通过多层芯片垂直堆叠及TSV（硅通孔）互联，带宽和能效显著提升。
图：一张图看懂HBM
在AI服务器领域，HBM几乎成为标配。厂商也在加快迭代，SK海力士已量产HBM4，I/O通道提升至2048条，带宽和能效均大幅升级。
在这一趋势下，全球主要存储芯片厂商正加快技术布局，围绕AI、云计算、智能终端等核心场景不断完善产品线。SK海力士、三星电子和美光科技三大巨头在高端DRAM、HBM、NAND等领域展开激烈竞争，同时也通过与上下游众多合作伙伴、供应商、模组厂的深度协作，进一步巩固自身在全球和中国市场的产业链优势。
本期我们将围绕三大厂商的最新进展及其中国产业链合作格局展开梳理。
一、SK海力士
韩国巨头SK海力士是全球前三大DRAM和NAND厂家之一，在高性能存储领域优势明显。
该公司2021年率先开发出16GB容量的HBM3 DRAM，并已量产供应NVIDIA等大厂；其最新HBM4也已于2025年9月完成开发并进入量产前验证。
SK海力士在定价策略上也与行业步调一致，近期已与美光、三星同步上调DRAM和NAND报价，涨幅基本保持在同一水平。
SK海力士在HBM领域拥有超过60%的全球市占，从而对传统DRAM产能形成了“虹吸”效应——HBM每片所需资源是普通DRAM的2~3倍，使得SK海力士的制造产能更为紧张。
这一现象意味着SK海力士能够在价格谈判中获得更多主动权，同时也为其他厂商让出了一定的普通DRAM市场份额。
在中国市场，SK海力士积极通过产业合作保证供应链稳定。其与中国封测企业海太半导体（无锡工厂）续签长期合同，加速后端封装和测试产能扩张。
另外，国内材料厂商雅克科技通过子公司UP化学为SK海力士供应HBM制造所需的前驱体材料；而代理分销商香农芯创的子公司联合创泰则成为SK海力士的正式代理商，参与高性能存储器产品的分销。
此外，香农芯创联合SK海力士和芯片设计厂商大普微电子出资成立了海普存储（Hippstor）公司，进军国产企业级SSD领域，目标整合全球资源、打造自主可控的存储解决方案。
在封装和测试方面，国内JCET（长电科技）等企业也长期与SK海力士合作，具备为HBM等高端存储器提供先进封测服务的能力。
得益于这些本土合作，SK海力士得以在全球化布局的同时，降低成本和政策风险，形成了一套横跨韩国、中国、美国的多地生产体系。
二、三星电子
三星电子是全球最大的存储芯片制造商（DRAM市占约33%，NAND市占约33%），其在DRAM和闪存技术上同样持续投入。
面对AI时代，三星在2025年先后推出了通过NVIDIA认证的12层HBM3E产品；目前其5代HBM3E样品已进入预生产阶段，下一代HBM4也在联手NVIDIA测试中，并已达到了每秒11Gbps的数据率。
业内预测，随着三星HBM4量产，其明年的HBM市场份额有望超过30%。
与SK海力士一样，三星也将AI/高带宽存储视为未来增长重点。
有消息称，由于老制程产品减产和云服务商需求激增，三星已大幅上调LPDDR4X、5/5X等DRAM产品价格15%-30%，以及5%-10%的NAND涨幅。这显示三星正在同步拉动DRAM与NAND涨价，应对市场供需结构性改变。
相比竞争对手，三星继续保持全线存储产品的完整供应：其2022年收购了英特尔的NAND闪存及SSD业务后，NAND产能大增，使三星成为全球第四大半导体厂商。
虽然苹果等手机厂商在2025年启动2TB旗舰机的换机潮，但三星对UFS和eMMC等移动存储的定价策略显得谨慎，此前其固态存储报价已开始上扬，以匹配数据中心和AI市场需求。
在中国层面，三星多通过本地封测和供应链伙伴布局，比如与长江存储（CXMT）等国产厂商尚未形成直接合作，但三星自己的制造主要在韩国和中国无锡、苏州等地工厂进行。
总体来看，三星正在加速其AI存储战略升级，同时借价格与产能优势强固全球市场地位。
三、美光科技
美光科技作为全球三大存储芯片厂（与SK海力士、三星齐名），近年来业绩也呈现出AI带动的上行走势。
2025财年第四季度（截至8月）美光营收达113.2亿美元，同比大增46%，其中DRAM业务90亿美元（占比79%）环比增27%，NAND业务23亿美元环比增5%。
美光方面表示，这是AI和云计算需求强劲的直接反映，其高带宽存储产品HBM需求尤为旺盛。在财报电话会上，美光CEO披露第四季HBM收入接近20亿美元，年化已达80亿美元，未来几个月将敲定2026年全部HBM产品的销售协议。
美光目前是唯一一家总部位于美国的主流内存制造企业，随着AI投资持续加码，这一身份有望带来更多本土市场和政策层面的独特优势。
据市场消息，美光正在调整产品组合：公司宣布将停止新一代移动存储（如UFS 5.0）研发，逐步退出手机UFS/eMMC市场。由于苹果、华为等手机厂商加大高容量需求，一方面这是美光战略聚焦高端AI市场的体现，另一方面为国产厂商腾出了市场空间。
国内消息称，随着美光退出，中国本土NAND及eMMC芯片厂商（如长江存储等）将有机会分得这块市场蛋糕。同时，美光也在与中国本地生态合作：其在2025年中国链博会上主张“深耕存储，赋能数字中国”，并与国内伙伴共建生态。
总体而言，美光保持对AI与HBM领域的大力投入，其在定价上曾因供不应求暂停部分报价并计划上调20%-30%。截至最近，外媒亦认为美光将因AI热潮继续受益，中国市场虽受政策限制但仍具合作潜力。
四、定制化存储与国产供应链
随着传统存储厂商逐渐向高端产品倾斜，一个新兴领域：“定制化存储”也在崛起。
这类技术主要指将已有的利基DRAM颗粒通过特殊封装和架构形成超高带宽的存储模组，专为AI终端和专用计算设计。
国内公司兆易创新（GigaDevice）是这方面的先锋，其自研的3D DRAM堆叠产品采用15/17nm先进制程，较传统台资方案（25nm）领先一代。
该产品逻辑芯片放置在存储模组下方、靠近基板处，可在性能提升的同时大幅降低功耗；实测功耗大约为台湾方案的一半。
兆易的3D DRAM可实现至少500GB/s的传输带宽，为台资产品（最高约250GB/s）的两倍。这种性能水准已经接近HBM2E级别。
公司已送样八层堆叠产品，每层2.5GB，大约20GB容量级别，并具备进一步增加层数和容量的潜力。投资界普遍看好这一领域：据业内分析，随着首款定制化存储产品陆续落地，具备先发优势的厂商将深度受益产业浪潮。
在存储模组和配套芯片层面，国产企业的参与度持续提升。A股上市公司中，聚辰股份在SPD控制芯片和EEPROM等领域具备领先地位，并已与澜起科技协作推出DDR5模组相关产品。澜起科技则是全球少数能够量产DDR5内存接口芯片的企业。
图：澜起科技近年来总营收/净利润(亿元)及毛利率/净利率(%)
测试装备环节，赛腾股份的高端晶圆检测设备已获得国际客户订单，实现批量供货。联瑞新材、华海诚科等企业则深度参与HBM相关的堆叠材料供应链，为高端存储产品的国产替代提供支持。
比如聚辰的工业级存储芯片如今已广泛用于机器人、高速光模块等领域，并与多家全球设备商建立了长期合作，正准备迎接存储行业回暖的契机。
此外，许多国产存储企业（普冉、东芯等）正加速产能爬坡，希望在利基DRAM和模组市场赢得更多份额。
可以看出这段时间SK海力士、三星和美光的新产品节奏明显提速，整个存储市场的变化也更加明显。
AI和云计算场景对高带宽、低功耗内存的需求持续释放，推动HBM4、3D DRAM等新一代技术加速落地，也带动市场价格企稳回升
在这一过程中，国内产业链企业的参与度也是有很明显的提升。无论是上游材料设备的技术突破，还是中游模组、配套芯片的协同配套，都为中国企业深度融入全球市场提供了新的机遇。
展望后市，AI存储应用仍处于扩展初期，行业竞争格局、政策环境和市场节奏都有待进一步观察。
建议持续关注具备技术积累、协同能力和稳定客户资源的龙头公司，把握结构性变化带来的新机会。
来源：行业调研报告
