摘要：台积电2nm制程价格相比3nm至少上涨50%，而末代3nm CPU价格已较前代上涨约20%。

全球半导体行业，正迎来一轮涨价潮。

1、台积电2nm制程价格相比3nm至少上涨50%

周二，据媒体报道，台积电2nm制程价格相比3nm至少上涨50%，而末代3nm CPU价格已较前代上涨约20%。

据业界消息，台积电最新2nm制程将于本季度开始量产，但由于先进制程资本支出庞大，台积电暂无打折及议价策略。供应链推估，采用2nm制程的旗舰芯片单价可能上看280美元。

据Economic News Daily报道，苹果已将其在台积电2nm产能的预订份额从此前的近50%进一步提升至超过50%。

2、存储芯片厂商集体涨价

受AI数据中心推升的存储器强劲需求，存储芯片巨头三星、SK海力士、美光科技等厂商已调涨产品售价。

据CFM闪存市场数据显示，9月初至今，NAND Flash wafer价格普遍呈个位数涨幅。

价格预期全面上修

2024Q4 LPDDR5合约价涨幅上修至6-8%，LPDDR4暴涨40-50%，NAND Flash合约价涨幅预期升至15%。市场已全面上修价格预期，2026Q1传统淡季价格继续看涨。

供给侧改革深化：海外原厂战略转向明确，持续退出。

DDR4/LPDDR4产能（导致涨幅最大），将资源倾斜至DDR5/HBM等高端产品。但高端产能瓶颈突出：DDR5/HBM产能利用率持续打满，新增产能到2025年底前有限；NAND产能利用率仍低于80%但无大规模扩产，供给弹性严重不足。

需求端：AI驱动从“训练”走向“推理”，需求逻辑发生根本性转变。

存储器下游需求中，手机/PC/服务器占比超80%，其中服务器占比约30%。当前需求侧正经历范式转换：

• 核心驱动：AI应用正从训练侧（消耗HBM）向推理侧/边缘侧扩散，驱动移动设备（LPDDR5x）、通用服务器（DDR5）、高带宽内存（HBM）及企业级SSD（eSSD）需求迎来爆发式增长。

• 数据中心需求最强：北美云厂商加大AI数据中心投入，存储池扩容与升级（HDD→SSD）为企业级SSD及高性能DRAM带来持续需求增量。

存储芯片，重点关注三条主线

1）布局DDR5/HBM先进技术的龙头；

2）受益DDR4/LPDDR4涨价的利基存储厂商；

3）企业级SSD替代受益标的。

相关企业：

• 存储模组：开普云（金泰克）、德明利、江波龙（信创SSD龙头）、佰维存储（华为生态）、香农芯创（SK海力士代理）；

• 存储芯片：兆易创新（DRAM设计）、澜起科技（内存接口芯片）、东芯股份（SLC NAND）、普冉股份（Nor Flash）。

3、半导体硅片价格有望上涨

半导体硅片价格有望在25Q4起大幅上涨，AI芯片带动巨大增量需求之外，非AI族群强势复苏，具体包括：

1、通用服务器25年增长20%；

2、成熟制程方面，台积电、联电25Q4稼动率持平，中芯国际25H2增长未放缓，表现超预期。

半导体硅片：沪硅产业、立昂微、神工股份

涨价的背后，主要是由于下游客户的需求大幅增长，像存储芯片就因为受AI数据中心推升对存储器强劲需求。

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来源：晋小乐