摘要：铁电存储器公司(FMC) 已与Neumonda联手在德国重新建立所谓的 DRAM+ 生产。英飞凌和奇梦达在德国开发和生产动态随机存取存储器已有一段时间了，因为在欧洲生产商品存储器变得特别无利可图。然而，新的 FMC 和 Neumonda 合资企业将专注于针对特

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铁电存储器公司(FMC) 已与Neumonda联手在德国重新建立所谓的 DRAM+ 生产。英飞凌和奇梦达在德国开发和生产动态随机存取存储器已有一段时间了，因为在欧洲生产商品存储器变得特别无利可图。然而，新的 FMC 和 Neumonda 合资企业将专注于针对特定应用的非易失性 FeRAM。

FMC 专注于存储器，该存储器使用铁电氧化铪 (HfO₂) 来创建无需电源即可保留数据的 DRAM+。该技术用非易失性电容器取代了 DRAM 中的典型电容器，在保持高性能的同时提高了能效和数据保留率。FMC 认为其存储器可用于广泛的应用，包括人工智能、汽车、消费、工业和医疗。

较旧的 FeRAM 技术（通常使用锆钛酸铅 (PZT) 作为铁电层）容量有限。大多数商用产品最多只有几兆字节，4MB 或 8MB 相当常见。PZT 无法随着工艺节点的缩小而很好地扩展，并且与标准 CMOS 工艺的集成既困难又昂贵。因此，像 1T1C（一个晶体管，一个电容器）这样的单元结构比 DRAM 或 NAND 占用更多的面积。

转向氧化铪将改变游戏规则。HfO₂ 与 CMOS 兼容，可远低于 10nm，并可与现有的半导体制造工艺集成。因此，使用氧化铪可实现更高的密度和性能，可能达到千兆位到千兆字节的范围，使其更接近 DRAM。

FMC 首席执行官 Thomas Rueckes 解释道：“FMC 成立的目的是利用 HfO2 铁电效应这一颠覆性发明来开发半导体存储器。应用于 DRAM 后，DRAM 电容器会变成低功耗、非易失性存储设备，同时保持高 DRAM 性能，从而生产出适用于 AI 计算的颠覆性非易失性 DRAM 存储器。由于我们的技术在市场上独一无二，因此对我们的存储器产品进行经济高效的测试对于我们的产品供应至关重要。借助 Neumonda 及其全新的测试方法，我们找到了可以帮助我们加快产品开发的合作伙伴。我们也很高兴与 Neumonda 合作，因为我们有着共同的愿景，那就是让存储器重返欧洲。”

Neumonda 将通过咨询和提供其先进测试系统 Rhinoe、Octopus 和 Raptor 的使用权来支持 FMC。这些平台专为低成本、节能和独立的内存测试而设计。Neumonda 的系统提供传统设备无法实现的详细分析，并且成本显著降低。

两家公司携手合作，共同开发一款新型内存产品，并为欧洲半导体产能的全面复苏奠定基础。双方共同努力旨在重建本地先进内存设计和测试生态系统。

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来源：科技前沿