摘要：4月1日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”或“公司”）发布公告，宣布与意法半导体签署氮化镓技术联合开发协议。根据联合开发协议，英诺赛科可使用意法半导体在中国以外地区的制造产能生产其氮化镓晶圆，意法半导体也可利用英诺赛科在中国的制造产能生产
4月1日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”或“公司”）发布公告，宣布与意法半导体签署氮化镓技术联合开发协议。根据联合开发协议，英诺赛科可使用意法半导体在中国以外地区的制造产能生产其氮化镓晶圆，意法半导体也可利用英诺赛科在中国的制造产能生产其自有的氮化镓晶圆。此次战略合作标志着全球GaN产业链进入深度整合新阶段，双方将通过技术协同、产能共享与场景创新，加速下一代GaN技术开发，为全球能源转型与智能化革命提供核心技术支撑。同时，英诺赛科（02577.HK）也于近日发布了2024年年报。年报显示，英诺赛科2024年完成营业收入8.29亿元，同比增长39.8%。利率持续大幅改善，毛损率由2023年的-61.6%缩减至2024年的-19.5%，提升42.1个百分点。全年交付晶片6.6亿颗，出货量呈几何级数增长态势。报告期内，公司产品在消费电子应用领域占比持续增长，收入同比增长48%。在新能源汽车、AI以及人形机器人领域取得重大突破：车规级芯片交付量同比增长986.7%，AI及数据中心芯片交付量同比增长669.8%。在人形机器人方面，推出150V/100V全系列氮化镓产品，覆盖关节及灵巧手电机驱动、智慧电源转换及电池管等各类应用，其中100W关节电机驱动产品已经量产。
AI算力、人形机器人等多管齐下氮化镓技术实现全场景覆盖在半导体行业，产品质量和交付周期是影响企业竞争力的关键因素之一。作为行业“优等生”，英诺赛科实现了从设计、制造、封装到测试的全产业链布局，确保产品质量的稳定性和交付效率的提升。通过全产业链的自主掌控，保证产品的高质量输出。报告期内，英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产能达到每月13000片晶圆，良率超过95%，制造成本下降近40%。更低的生产成本和更高的产品竞争力，为企业带来了更大的利润空间。凭借这一技术优势，英诺赛科在市场竞争中牢牢占据有利地位。此外，英诺赛科是目前全球唯一具备全电压谱系产品矩阵的硅基氮化镓功率芯片企业，提供从15V到1200V的全电压范围氮化镓器件，广泛应用于消费电子、数据中心、汽车电子等多个领域。从下游来看，2024年公司积极推进在新能源汽车、AI以及人形机器人领域的发展并取得重大突破。在新能源汽车方面，公司已获多个国内外主机厂客户导入，并深化与全球大型厂商的合作，开发车规级氮化镓芯片，简化功率器件拓扑设计、提升汽车整体能效、降低整车制造成本、延长续航里程，实现下一代电动汽车智能化、轻量化发展。在数据中心方面，公司已向全球多家厂商量产交付服务器电源芯片，并推出了650V和100V的氮化镓功率器件，可应用于数据中心的服务器电源和主板48V转12V的高功率密度电源。大幅提升了数据中心供电链路的效率和功率密度，降低了AI计算的运营成本，并提高服务器的可靠性及稳定性。在人形机器人方面，公司推出了全系列的氮化镓产品，主要包括150V和100V的氮化镓功率器件。可广泛应用于机器人的充电、电池电源管理、内部电源转换模块以及关节的电机驱动。推动机器人设计向更高能效、更强稳定性和更优智能化发展。公司积极布局机器人应用，推出的相关产品已经在市场上获得一定认可。多元化的产品布局，让英诺赛科满足不同客户需求的同时，也为公司带来了新的增长点与利润来源。全球氮化镓功率半导体领航者研发驱动多领域布局再加速随着氮化镓技术的不断发展和应用市场的不断扩大，氮化镓功率半导体市场前景广阔。据市场预测，氮化镓功率半导体市场预计2028年达501亿元。得益于中国完整的供应链资源优势，英诺赛科在制造自主可控、工程师团队等方面，相较于竞争对手拥有更多便利，这也为公司在市场竞争中提供了先手。以消费电子产品中的充电头产品为例，公司作为芯片公司，与国内众多知名品牌建立了密切的合作关系，在下游客户的新产品开发、大规模出货上，英诺赛科凭借IDM模式的天然优势，将采用Fabless的竞争对手远远甩在身后。随着智能手机、平板电脑等设备对高性能、低功耗功率半导体的需求不断增加，氮化镓功率半导体迎来更广阔的市场空间。英诺赛科不断满足市场对高性能功率半导体的需求，市场份额进一步扩大。除此之外，公司还与全球顶尖的半导体制造服务商、专门从事可再生能源技术的高科技公司等建立了深度合作关系，客户身影不乏国内外知名厂商。同时，英诺赛科重视产品研发，不断加强研发创新。2024年，公司推出3.0高低压工艺及车规/合封器件平台，单位晶圆芯片（Chip/Wafer）产出量较上一代产品提升30%以上，芯片关键性能指标进一步提升。为紧抓市场机遇，英诺赛科将继续扩大8英寸晶圆产能，提升市场份额。通过不断提升技术创新能力和市场竞争力，在半导体市场占据更重要的地位，引领行业发展新航向。破局IDM盈利困境加速海外扩张虽然IDM模式具有诸多优势，但在初期也面临着巨大的挑战。由于需要在设计、制造、封装等多个环节进行大量的资本投入，且在产能利用率较低的情况下，企业往往需要较长时间才能实现盈利。根据行业普遍规律，IDM模式企业通常需要8-10年时间才能实现盈亏平衡。相比之下，英诺赛科在较短的时间内实现了业绩的迅速增长。一方面，英诺赛科通过开展有效的经营管理，加强成本管控，减轻了费用压力。公司不断进行氮化镓工艺技术迭代，突破技术瓶颈，有力降低了制造成本，提高了生产效率，提升产品的竞争力。另一方面，随着氮化镓应用市场的需求爆发，英诺赛科的销售规模快速攀升。公司所处的氮化镓应用领域，如消费电子、电动汽车等，正处于快速发展阶段，对氮化镓功率半导体的需求不断增加。凭借亮眼技术优势和上乘产品质量，公司迅速占领了市场份额，从收入端缩短了IDM模式到达盈亏平衡点的时间。同时，英诺赛科积极开拓海外市场，深化客户合作，抓住下游市场需求爆发机遇期。公司与全球主要硅MOS功率半导体企业密切协作，共同推进下游用户转向氮化镓芯片，以满足数据中心、汽车电子等行业功率电源转型需求。报告期内，公司海外市场销售收入为人民币1.26亿元，占总收入的15.20%，同比增长118.1%，增长迅猛。英诺赛科的表现之所以优于同行，不仅得益于公司在经营管理、应用市场以及客户扩张等方面的优势，更体现在IDM经营模式上的创新能力上，突破业界瓶颈，探索出一条新的成长路径。
从技术方面上看，英诺赛科是全球首家实现8英寸硅基氮化镓量产的企业，技术壁垒高。依托过往前瞻布局核心技术和关键工艺，以及长期持续投入，已经建立全球领先的成熟工艺技术平台。报告期内，公司基于已量产工艺平台，继续优化器件设计和生产工艺，减少工艺层数、降低原材料使用成本、提升机台利用效率，进一步降低芯片生产成本，提高芯片性价比，扩大市场竞争力及领先优势。而在产品创新上，英诺赛科不断推出具有竞争力的新产品，产品矩阵上实现多维度突破。报告期内，中低压（15-200v）GPU终端供电等产品在汽车及AI领域获大客户导入；高压1200V大功率器件实现突破并完成客户送样；低压GaN双向导通产品销量同比增长97%，高压双向导通产品开发成功，并完成客户送样。同时，推出氮化镓合封产品，可应用于数据中心、电动汽车及机器人伺服电机电源等。2025年，公司将继续完善氮化镓在消费电子领域的布局，提高市场渗透率。在数据中心、汽车电子领域，推动新产品落地，完成客户导入和应用量产。积极深化与机器人、无人机等新应用领域客户的技术合作。在产品方面，英诺赛科计划持续投入研发，丰富现有产品组合，在2025年或迎来更大规模的成长。展望未来，英诺赛科将继续通过技术领导力与规模化制造能力，携手多方战略伙伴实现市场资源的共享与整合，成为全球氮化镓功率器件解决方案的领跑者，用第三代半导体技术赋能全球绿色科技革命，助力全球能源转型和可持续发展，推动半导体行业向更高效、更环保的方向变革，为人类创造更智慧、更低碳的未来。（本文不构成任何投资建议，信息披露内容以公司公告为准。投资者据此操作，风险自担。） 来源：每日经济新闻
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