摘要：当地时间12月2日，美国商务部工业与安全局（BIS）发布了《临时最终规则》（Interim Final Rule, IFR），进一步加强了针对先进计算、超级计算及半导体制造领域相关技术和设备的出口管制。此次规则的发布是对美国《出口管制条例》（EAR）的一次重要
当地时间12月2日，美国商务部工业与安全局（BIS）发布了《临时最终规则》（Interim Final Rule, IFR），进一步加强了针对先进计算、超级计算及半导体制造领域相关技术和设备的出口管制。此次规则的发布是对美国《出口管制条例》（EAR）的一次重要修订，涉及多项技术和设备的新增管控条款。根据美国商务部的声明，这些措施旨在进一步遏制中国等国家在先进技术领域的自给能力，防止敏感技术被用于军事现代化、武器扩散以及所谓侵犯人权等行为。
一、出台背景
近年来，美国政府对中国技术领域的出口管制逐步加码，尤其是在半导体制造和高性能计算领域。这些措施主要是为了遏制中国在“先进节点集成电路”（Advanced-Node ICs）生产、超级计算和人工智能（AI）领域的技术进步。此次《临时最终规则》是对2022年和2023年多项对华出口管制措施的进一步补充，其核心目标在于阻止中国通过本土研发或从外国获取“先进节点集成电路”及相关技术。
BIS将于2024年12月6日凌晨举行线上公开简报会，介绍最新发布的两项规则的详细内容。会议时间为北京时间凌晨4点至5点（对应美国东部时间12月5日下午3点至4点）。如需参加此次线上会议，需要在12月6日北京时间凌晨2点前（对应美国东部时间12月5日下午1点）通过以下链接注册：
https://events.gcc.teams.microsoft.com/event/abac2c31-743f-4f61-806f-0b7f4c376bcf@44cf3ec3-840c-4086-b7de-e3bc9a6c2db4
二、规则的生效时间及合规要求
此次规则明确了不同条款的生效时间与合规框架。具体而言，这些条款分为即时生效和延迟合规两类。
2024年12月2日为主要生效日期，当日生效的条款包括新增的红旗警示机制和软件密钥的出口管控规定（§734.19）。除此之外，所有未特别说明具体合规日期的条款也在这一日期内生效。这些即时生效的规定将立即对相关企业的出口行为产生约束，企业需要迅速调整合规制度以满足新的要求。
另一方面，部分条款的生效时间被延迟至2024年12月31日，以便企业有更多时间适应这些复杂的新规。延迟生效的条款主要集中在高带宽存储器（HBM）的具体管控措施、半导体制造设备的新增管控，以及相关软件和技术管控。这些条款具体包括ECCN 3A090.c（针对HBM的新增管控）、ECCN 3B001和3B002的修订、ECCN 3B991和3B992的调整，以及新增的ECCN 3B993和3B994。此外，与这些设备相关的软件和技术管控条款（例如3D001和3E001）也包含在延迟生效的范围内。
此次规则还针对部分受管控物项提供了临时通用许可证（Temporary General License，TGL），有效期至2026年12月31日。具体而言，受反恐（AT）管控的物项、此次新增的半导体制造设备，以及新增的HBM相关物项均在TGL的适用范围内。这为企业在全面调整合规制度的过程中提供了一定的缓冲时间。
此外，美国商务部设定了意见征询期，从2024年12月2日开始，直至2025年1月31日结束。在此期间，相关方可对新规的具体条款和实施方式提出意见或建议。
三、新规的主要内容
3.1 半导体制造设备的新增管控
半导体制造设备是此次规则更新的核心领域之一。美国商务部在此次规则中新增了多个ECCN（出口管控分类编号），同时对部分现有ECCN进行了技术参数修改。这些变化覆盖了关键设备类别及其技术门槛。
首先是离子注入设备（Ion Implantation Equipment）的新增管控。ECCN 3B993.b.1新增了“等离子掺杂设备”的管控条款，该设备主要用于3D结构（例如FinFET或GAAFET）侧壁掺杂，要求设备必须具备射频（RF）和脉冲直流电源，适用于多种类型的n型或p型掺杂。此外，ECCN 3B994.b.2专门针对低能量、高精度离子注入设备进行了管控，这类设备是先进节点芯片制造中超浅结形成的关键技术设备。
其次是高纵横比蚀刻设备（High Aspect Ratio Etch Equipment）的新增限制。ECCN 3B993.c.1和3B993.c.2明确规定，能够处理纵横比大于30:1且特征尺寸小于40纳米的蚀刻设备将受到管控。此类设备广泛应用于制造先进节点半导体器件（例如逻辑芯片和存储芯片）。
原子层沉积设备（Atomic Layer Deposition, ALD）的新增管控同样是本次更新的重点之一。ECCN 3B001.d.18新增了对钼（Mo）和钌（Ru）等金属沉积设备的管控，这些设备被认为是制造低电阻金属互连的关键技术。此外，ECCN 3B993.d.4则主要针对用于支持高纵横比结构的介电材料沉积设备，特别是用于先进DRAM存储芯片生产的设备。
在光刻设备方面，ECCN 3B001.f.5新增了对叠层精度小于1.5纳米的纳米压印光刻设备的管控；ECCN 3B993.f.2则针对叠层精度在1.5至4纳米之间的低端纳米压印设备进行了限制。光刻设备是芯片制造的核心设备，其精度直接影响芯片的性能和成本。
此外，单晶圆清洗设备（Single Wafer Cleaning Equipment）的管控也有所加强。ECCN 3B001.p.4新增了对超级临界二氧化碳清洗和升华干燥清洗设备的管控，这些设备对于先进节点集成电路生产中的精密清洗至关重要。
在本次规则中，ECCN 3B993和3B994被明确列入“脚注5”外国直接产品规则（FN5 FDP）。即使这些设备在外国制造，但如果使用了受美国管控的核心技术或工具，也需要获得出口许可。特别需要注意的是，即使设备未直接出口到中国，但被用于支持“先进节点集成电路”（Advanced-Node IC）的生产活动时，也必须遵守EAR的许可要求。
3.2 新增两项外国直接产品（FDP）规则及相应“最低含量”条款
半导体制造设备（SME）FDP规则：此规则适用于特定外国制造的半导体制造设备及其相关物项，当这些物项计划出口至澳门或EAR中的D:5组国家（包括中国）时，需要符合美国出口管控规定。规则要求管控对象包括通过使用美国技术、软件或工具直接生产的商品，以及包含由此类技术生产的关键部件的商品。
实体清单脚注5FDP规则：此规则针对实体清单中标注有“脚注5”（FN5）的实体，管控与这些实体有关的外国制造的半导体制造设备及其相关物项。尤其是，这些规则涉及通过美国原产技术或工具直接生产的商品，以及包含此类部件的商品，确保其不能间接支持中国的先进节点集成电路生产。
最低含量条款明确了对上述规则的进一步补充。当外国制造的半导体设备及相关物项中包含任何比例的美国原产集成电路时，该物项将被纳入EAR管辖范围。
3.3 先进计算芯片与相关技术的管控
此次规则更新对ECCN 3A090.a和3A090.b的核心技术参数未作直接调整，但通过明确许可例外适用条件、新增“脚注5”规则的适用范围，以及新增与高带宽存储器（HBM）相关的管控，进一步强化了对先进计算芯片的出口限制。
首先，在数据中心用途方面，规则对设计或市场化用于数据中心的芯片进一步明确了管控要求。对于未设计或市场化用于数据中心的芯片，即便其技术参数符合3A090.a或3A090.b（例如总处理性能≥4800或性能密度≥1.6），在部分情况下仍可享受NAC/ACA许可例外。然而，如果芯片被明确设计或市场化用于数据中心，则出口至中国或其他被列为D:5的国家和地区时，必须获得出口许可，不得适用NAC/ACA许可例外。
此次新增的“脚注5”规则（FN5 FDP）在先进计算芯片领域的适用范围进一步扩展，特别是对ECCN 3A090.a和3A090.b芯片的间接管控得到了显著加强。根据新规则，凡符合3A090.a或3A090.b技术参数的芯片，如果涉及“脚注5”实体（即EAR附录4部分实体清单中标注Footnote 5的企业或机构），即使这些芯片是在外国生产，但如果使用了美国技术或软件进行直接生产，也必须获得出口许可。除了直接出口限制外，该规则还覆盖了间接出口的场景，例如外国制造的高性能芯片被用来开发或生产“脚注5”实体的产品时，相关交易行为也必须符合EAR的许可要求。
从技术分级的角度来看，规则进一步对3A090.a和3A090.b进行了细化。3A090.a主要管控总处理性能（TPP）≥4800的高性能计算芯片，这类芯片通常应用于AI训练、超级计算和数据中心。而3A090.b则管控总处理性能在2400至4800之间，且性能密度≥1.6的芯片，这些芯片主要覆盖中高端计算应用场景，例如边缘计算或嵌入式AI设备。
在定义上，新规则还对“先进节点集成电路”的技术标准进行了更新，特别是对DRAM（动态随机存取存储器）部分的判定标准进行了调整。此前，“18纳米半节距或更小”的工艺节点标准已被删除，取而代之的是两个具体的技术指标：一是存储单元的面积小于0.0019平方微米；二是存储密度大于每平方毫米0.288吉比特。这些标准适用于所有DRAM制造工艺，且满足任一条件即被认定为先进节点集成电路。为了计算存储密度，规则提供了一套明确的计算方法，即以存储容量（以GB为单位）除以封装或堆叠的占地面积（以平方毫米为单位）。对于采用堆叠式封装的存储器，则使用整个封装的占地面积作为计算依据。
3.4 将高带宽存储器（HBM）的纳入管控
高带宽存储器（HBM）作为支持高性能计算（HPC）、AI训练和超级计算的重要部件，此次被单独列入ECCN 3A090.c进行管控。规则对HBM的出口施加了严格限制，其核心管控参数为“内存带宽密度”大于每平方毫米2GB/秒。需要注意的是，这一标准覆盖了当前市场上几乎所有用于高性能计算的HBM产品。
为了便于企业理解和执行，规则新增了技术说明，明确如何计算HBM的“内存带宽密度”。计算公式为：内存带宽（GB/秒）÷ 封装面积（平方毫米）。例如，对于一块封装面积为100平方毫米、内存带宽为300GB/秒的HBM，其“内存带宽密度”即为3GB/秒/平方毫米，这将触发出口管控要求。如果HBM被封装在一个多芯片模块（MCM）中，则需要使用整个封装设备的总面积进行计算。
尽管HBM受到了严格管控，但规则也为某些特殊场景提供了例外。例如，如果HBM与逻辑芯片共同封装，且逻辑芯片的主要功能是计算而非存储，则HBM可能不单独受到出口限制。此外，如果HBM被集成在符合3A090.a或3A090.b许可例外条件的芯片中，则HBM的出口可能享受与该芯片相同的豁免。（相关企业可以复习3A090.a或3A090.b许可例外条件）
为了进一步细化管控标准，规则还明确了许可审查政策的细节。在推定批准的情况下，出口的HBM必须满足以下条件：最终用户和最终母公司均不位于澳门或其他D:5国家和地区（主要针对中国）；内存带宽密度小于3.3GB/秒/平方毫米；具有明确的民用最终用途；并且直接出口至指定的封装设施。而在推定拒绝的情况下，如果最终用户或其母公司位于D:5国家或地区，或无法确认最终用途，或涉及实体清单中的企业，则相关出口请求将被拒绝。
3.5 新增许可例外机制
此次规则新增了两种重要的出口许可例外机制，分别是针对HBM许可例外（License Exception HBM, §740.25）和针对特定实体的受限制造设施许可例外（Restricted Fabrication Facility, §740.26）。
HBM许可例外允许企业在满足特定条件的情况下出口HBM。首先，HBM的内存带宽密度必须小于3.3GB/秒/平方毫米；其次，HBM必须直接出口至特定的封装设施，且封装方需确认相关交易，并将设备返回给芯片设计公司。规则还对HBM许可例外的适用范围进行了限制，例如禁止出口至分销商，以及禁止出口至与“先进节点IC生产”设施直接关联的封装工厂。此外，如果发现HBM交易中存在1%以上的数量差异，企业需在60天内向BIS报告。
受限制造设施许可例外（RFF）则针对实体清单中某些特定企业的出口活动。该例外机制适用于未列入ECCN 3B001、3B002、3B993、3B994及相关软件技术管控范围的设备。RFF许可例外明确禁止用于支持“先进节点集成电路”的生产，且不得用于管控设备的运营、安装、维护或维修。此外，企业在进行相关交易前需提前45天向BIS提交通知，并在设备安装后30天内提交报告。每年，企业还需向BIS递交确认报告，以证明相关设备未被用于先进节点IC的生产。
3.6 新增EDA软件和技术管控
此次规则明确规定，凡涉及设计先进节点集成电路的电子计算机辅助设计（ECAD）和技术计算机辅助设计（TCAD）软件，无论是否为美国原产，若其生产过程或技术包含了美国原产技术或工具，则需符合EAR的出口许可要求。尤其是在软件和技术计划出口至澳门或D:5组国家（包括中国）的情形下，其出口行为将受到严格监管。
这些新增管控特别针对设计先进节点集成电路（例如FinFET或GAAFET结构）的软件和技术。这些工具广泛应用于高性能计算、人工智能及超级计算领域，能够显著提升芯片的设计能力。
3.7 软件密钥的新管控要求
此次规则新增了对软件密钥（Software Keys）的具体定义和管控要求。软件密钥包括允许使用特定软件的授权密钥，以及用于更新现有软件和硬件使用许可的密钥。根据新规，软件密钥的管控级别与其对应的软件或硬件相同。如果某项软件或硬件需要出口许可，则其对应的软件密钥也需要相同级别的许可。
新规还对软件密钥的特殊情况进行了说明。如果最初出口时不需要许可，但后续由于最终用户被列入实体清单或其他原因导致许可要求发生变化，则后续提供的软件密钥也需要符合新的许可要求。同时，规则明确指出，解锁设备潜在功能的密钥（例如用于提升设备性能的密钥）可能会影响设备的分类，从而触发额外的管控要求。
3.8 新增红旗警示机制
为了进一步帮助企业识别潜在的出口管控风险，此次规则新增了8个红旗警示场景。这些场景主要针对涉及“脚注5”实体和高风险交易的情形，对于企业出口合规审查具有重要指导意义。
第一，非先进节点制造设施订购先进节点IC生产设备。
如果客户的制造设施技术水平较低，但订购了用于生产“先进节点集成电路”（Advanced-Node IC）的高端设备，例如先进光刻机或离子注入设备，这种技术需求的矛盾性可能表明客户计划升级其设施，或将设备转移用于支持先进节点IC的生产。对此，企业需特别留意这类订单，并对客户背景以及最终用途进行深入核查。
第二，订单中最终用途或最终用户信息模糊。
当收到客户订单时，若客户未能明确说明设备的最终用途或最终用户，尤其是涉及高度定制化或敏感设备的交易，则存在设备被转移至受管控目标的风险。例如，某些客户可能故意隐瞒设备的实际用途或最终用户背景，企业需对此进行进一步审查，并视情况向BIS提交相关信息。
第三，客户管理层或技术团队与实体清单上的企业存在人员重叠。
如果客户的高级管理人员或技术团队成员与被列入实体清单的公司（特别是标注“脚注5”的实体）有直接或间接关联，这可能表明客户正在从事或支持与被管控实体相关的敏感活动。企业在尽职调查过程中需仔细审查客户的人员背景，尤其是在技术研发或管理层级的交叉关联。
第四，设备或技术的最终用户位置存在风险。
如果企业发现设备或技术的最终用户设施与生产“先进节点IC”的设施通过物理方式直接相连，例如共享基础设施或通过桥梁、隧道等方式连接，则可能存在敏感技术或设备被共享的风险。此类情况需提交至BIS进行进一步审查。
第五，客户或中间商要求隐藏最终用户身份。
若客户或中间商在交易中刻意隐藏最终用户身份，或未提供完整的采购链信息，则可能表明设备或技术存在被转移至受管控目标的风险。企业需警惕这类订单，并通过补充文件或访谈确认最终用户背景。
第六，请求提供敏感设备的服务支持。
如果客户要求对已出口的敏感设备进行升级、维护或改造，尤其是这些设备可能被第三方修改以实现更高的技术性能，则可能违反出口管制规则。例如，某些客户可能通过设备升级绕过管控限制，从而提升其技术能力。
第七，客户设备采购量异常。
当客户的采购量明显超出其实际生产能力，或订单中包含多套相同类型的受控设备时，可能表明客户计划将设备转移至其他受控终端用户。例如，一个中小型企业订购大量先进蚀刻设备，明显超出其产能范围，企业需对此进行深入调查。
第八，新客户背景不明。
如果客户是新成立的公司或此前从未合作过的分销商，且无法提供明确的业务背景或详细用途说明，尤其是当客户订购高端设备时，企业需特别关注。此外，新客户的实际控制人或资金来源模糊也可能构成风险警示。
新增红旗机制的8个场景为企业提供了识别潜在出口管控风险的具体指导。这些场景并不局限于上述情形，企业在实际操作中还需结合其他因素，综合评估订单的合规性。
四、1202规则结语
此次1202规则更新是近年来美国对中国技术领域出口管制的又一次全面升级，其主要目标是遏制中国在半导体制造、人工智能和高性能计算领域的技术进步，特别是阻止中国通过本土研发或外国技术获取“先进节点集成电路”（Advanced-Node ICs）及相关技术。在规则内容上，通过技术管控、许可例外和风险预警机制的多重手段，进一步强化了美国对高性能计算芯片、半导体制造设备及相关技术的出口限制。这些措施不仅限制了中国直接获取高端芯片和制造设备的能力，还通过间接方式切断了中国在第三国利用美国技术实现技术突破的可能性。对于企业而言，合规压力将显著增加，尤其是在涉及“脚注5”实体、敏感技术出口或复杂供应链的情形下，企业需加强内部合规管理，确保在规则生效日期前完成必要的调整。
五、实体清单新增140家中国半导体相关企业
China
· AccoTest Technology Co., Ltd. (Hong Kong);
· ACM Research (Shanghai);
· Beijing E-Town Semiconductor Technology Co., Ltd.;
· Beijing Guangke Xintu Technology Co., Ltd.;
· Beijing Guowei Integration Technology Co., Ltd.;
· Beijing Huada Jiutian Technology Co., Ltd.;
· Beijing Huafeng Electronic Equipment Co., Ltd.;
· Beijing Huafeng Test & Control Technology Co., Ltd.;
· Beijing Jingyuan Microelectronics Technology Co., Ltd.;
· Beijing Kaishitong Semiconductor Co., Ltd.;
· Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd.;
· Beijing Naura Semiconductor Equipment Co., Ltd.;
· Beijing Sevenstar Flowmeter Co., Ltd.;
· Beijing Sevenstar Integrated Circuit Equipment Co., Ltd.;
· Beijing Shuoke Zhongkexin Electronic Equipment Co., Ltd.;
· Beijing Skyverse Technology Co., Ltd.;
· Beijing Zhongke Xin Electronic Equipment;
· Changguang Jizhi Optical Technology Co., Ltd.;
· Changsha Zhichun Application Technology Co., Ltd.;
· Chengdu Huada Jiutianke Technology Co., Ltd.;
· Chengdu Skyverse Technology Co., Ltd.;
· Chinese Academy of Sciences Institute of Microelectronics;
· Dongfang Jingyuan Electron Co., Ltd.;
· Guangzhou Huada Jiutian Technology Co., Ltd.;
· Guangzhou Skyverse Technology Co., Ltd.;
· Guowei Group (Shenzhen) Co., Ltd.;
· Hefei Kaishitong Semiconductor Co., Ltd.;
· Hefei Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd.;
· Hefei Zhihui Semiconductor Application Technology Co., Ltd.;
· Hefei Zhiwei Microelectronics Co., Ltd.;
· Hefei Zhiwei Semiconductor Co., Ltd.;
· Huafeng Test & Control Technology (Tianjin) Co., Ltd.;
· Hwa Tsing (Beijing) Technology Co., Ltd.;
· Hwa Tsing (Guangzhou) Semiconductor Co., Ltd.;
· Hwa Tsing (Shanghai) Semiconductor Co., Ltd.;
· Hwa Tsing Technology Co., Ltd.;
· JAC Capital;
· Jiangsu Nata Optoelectronic Material Co., Ltd.;
· Jiangsu Qiwei Semiconductor Equipment Co., Ltd.;
· Jiangsu Zhichun System Integration Co., Ltd.;
· Kingstone Technology Hong Kong Limited;
· Nanda Optoelectronic Semiconductor Materials Co., Ltd.;
· Nanjing Huada Jiutianke Technology Co., Ltd.;
· Naura Technology Group Co., Ltd.;
· Ningbo Nanda Optoelectronic Materials Ltd.;
· Northern Integrated Circuit Technology Innovation Center (Beijing) Co., Ltd.;
· Oriental Crystal Microelectronics Technology (Qingdao) Co., Ltd.;
· Oriental Crystal Microelectronics Technology (Shanghai) Co., Ltd.;
· Piotech;
· Piotech (Beijing) Co., Ltd.;
· Piotech (Shanghai) Co., Ltd.;
· Piotech Chuangyi (Shenyang) Semiconductor Equipment Co., Ltd.;
· Piotech Jianke (Haining) Semiconductor Equipment Co., Ltd.;
· Qingxin Technology Co., Ltd.;
· Quanjiao Nanda Optoelectronic Materials Ltd.;
· Raintree Scientific Instruments (Shanghai) Corporation;
· Ruili Microelectronics Equipment (Shanghai) Co., Ltd.;
· Shandong Feiyuan Gas Co., Ltd.;
· Shanghai AGM Gas Co., Ltd.;
· Shanghai Aipusi Precision Equipment Co., Ltd.;
· Shanghai Feiai Technology Co., Ltd.;
· Shanghai Huada Jiutian Information Technology Co., Ltd.;
· Shanghai Integrated Circuit Equipment & Materials Industry Innovation Center Co., Ltd.;
· Shanghai Jingce Semiconductor Technology Co., Ltd.;
· Shanghai Jingzhuo Information Technology Co., Ltd.;
· Shanghai Kaishitong Semiconductor Co., Ltd.;
· Shanghai Lingang Kaishitong Semiconductor Co., Ltd.;
· Shanghai Lizhi Technology Co., Ltd.;
· Shanghai Modern Advanced Ultra-Precision Manufacturing Center Co., Ltd.;
· Shanghai Nanpre Mechanics Co., Ltd.;
· Shanghai Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd.;
· Shanghai Siwave Technology Co., Ltd.;
· Shanghai Skyverse Semiconductor Technology Co., Ltd.;
· Shanghai Xinsheng Jingrui Semiconductor Technology Co., Ltd.;
· Shanghai Xinsheng Jingtou Semiconductor Technology Co., Ltd.;
· Shanghai Xinsheng Jinko Semiconductor Technology Co., Ltd.;
· Shanghai Xinsheng Semiconductor Technology Co., Ltd.;
· Shanghai Yanquan Technology Co., Ltd.;
· Shanghai Yuliangsheng Technology Co., Ltd.;
· Shanghai Yuwei Semiconductor Technology Co., Ltd.;
· Shanghai Zhichun Alloy Manufacturing Co., Ltd.;
· Shanghai Zhichun Electronic Technology Co., Ltd.;
· Shanghai Zhichun Optoelectronic Equipment Co., Ltd.;
· Shanghai Zhichun Precision Gas Co., Ltd.;
· Shanghai Zhichun Precision Manufacturing Co., Ltd.;
· Shanghai Zhichun Purification System Technology Co., Ltd.;
· Shanghai Zhichun Semiconductor Equipment Co., Ltd;
· Shanghai Zhichun System Integration Co., Ltd.;
· Shanghai Zhijia Semiconductor Gas Co., Ltd.;
· Shanghai Zixi Optical Technology Co., Ltd.;
· Shengmei Semiconductor Equipment (Beijing) Co., Ltd.;
· Shengmei Semiconductor Equipment Wuxi Co., Ltd.;
· Shengwei Semiconductor Equipment (Shanghai) Co., Ltd.;
· Shenyang Xinyuan Micro Business Development Co., Ltd.;
· Shenyang Xinyuan Microelectronic Equipment Co., Ltd.;
· Shenzhen Guowei Hongbo Technology Co., Ltd.;
· Shenzhen Guowei Sensing Technology Co., Ltd.;
· Shenzhen Guoweichip Technology Co., Ltd.;
· Shenzhen Huada Jiutianke Technology Co., Ltd.;
· Shenzhen Jingyuan Information Technology Co., Ltd.;
· Shenzhen Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd.;
· Shenzhen Pengxinxu Technology Co., Ltd.;
· Shenzhen Qianhai Skyverse Semiconductor Technology Co., Ltd.;
· Shenzhen SiCarrier Technologies Co., Ltd.;
· Shenzhen Xinkailai Industrial Machinery Co., Ltd.;
· Shenzhen Zhangge Instrument Co., Ltd.;
· Si’En Qingdao Co. Ltd.;
· Skyverse;
· Skyverse Limited;
· SMIC Advanced Technology R&D (Shanghai) Corporation;
· Suzhou Nanda Optoelectronic Materials Co., Ltd.;
· SwaySure Technology Co., Ltd.,
· Taiyuan Jinke Semiconductor Technology Co., Ltd.;
· Ulanqab Nanda Microelectronics Materials Co., Ltd.;
· Wingtech Technology Co., Ltd.;
· Wise Road Capital;
· Wuhan Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd.;
· Wuhan Skyverse Semiconductor Technology Co., Ltd.;
· Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Company Limited;
· Wuhan Yiguang Technology Co., Ltd.;
· Wuxi Kaishitong Technology Co., Ltd.;
· Wuxi Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd.;
· Xiamen Skyverse Technology Co., Ltd.;
· Xi’an Huada Jiutian Technology Co., Ltd.;
· Xi’an Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd.;
· Xinlian Rongchuang Integrated Circuit Industry Development (Beijing) Co., Ltd.;
· Yusheng Micro Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd.;
· Yuwei Semiconductor Technology Co., Ltd.;
· Zhangjiang Laboratory;
· Zhejiang Shenqihang Technology Co., Ltd.;
· Zhejiang Zhichun Precision Manufacturing Co., Ltd.;
· Zhiwei Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd.;
· Zhiyi High Purity Electronic Materials (Shanghai) Ltd.;
· Zhuhai Cornerstone Technology Co., Ltd.;
· Zhuhai Skyverse Technology Co., Ltd.; and
· Zibo Keyuanxin Fluorine Trading Ltd.
Japan
· Kingsemi Japan K.K.
Singapore
· Skyverse Pte. Ltd.
South Korea
· ACM Research Korea Co., Ltd.; and
· Empyrean Korea.
六、三家中国企业被移除VEU
VEU (Validated End-User) 是美国商务部设立的一项授权机制，允许经过认证的企业无需单独申请许可即可接收特定的受控商品、软件或技术。被列入 VEU 的企业需符合严格的条件，确保出口商品仅用于非军事和非敏感用途，并接受定期审查。
本次从 VEU 项目中移除的三家中国企业分别是：
· Advanced Micro-Fabrication Equipment, Inc., China
· CSMC Technologies Corporation
· Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation
来源：科技新鲜汇Tech
