如何进行带隙修正?
HSE06(Heyd-Scuseria-Ernzerhof 2006)是一种杂化泛函,通过引入短程Hartree-Fock交换(HFX)与PBE交换相关泛函的组合,显著提升了半导体和绝缘体带隙的计算精度。
HSE06(Heyd-Scuseria-Ernzerhof 2006)是一种杂化泛函,通过引入短程Hartree-Fock交换(HFX)与PBE交换相关泛函的组合,显著提升了半导体和绝缘体带隙的计算精度。
“从头算”(Ab initio)和“第一性原理”(First-principles)是理论计算科学中两个密切相关但又略有区别的概念,均指不依赖实验参数、从最基本的物理定律出发来研究材料或分子的性质。
动态平均场理论(DMFT)是固体物理学中描述强关联电子体系的重要方法之一。它最早由 Georges 等人在1990年代提出,并迅速发展成为研究金属、磁性材料、超导材料等领域中的一种强有力的理论工具。DMFT本质上是一种自洽的平均场方法,它解决了在强电子关联条件
缺陷形成能(Defect Formation Energy)是材料科学中量化缺陷热力学稳定性的关键参数,其定义为在完整晶体中引入特定缺陷所需的能量变化。该能量决定了缺陷的平衡浓度及其对材料电学、光学等性质的影响。对于带电缺陷,其形成能还与费米能级(EF)密切相
石墨烯家族的结构调控与性能优化通过密度泛函理论(DFT)计算揭示了多尺度设计规律:氮/硼掺杂可打破石墨烯的零带隙特性,N掺杂使带隙扩展至0.45 eV,B掺杂则达0.6 eV,电荷密度分布显示掺杂原子周围形成局域电子云畸变,实现载流子浓度与类型的精准调控;