台积电2nm资讯

台积电2nm，全部细节披露

在 IEDM 上，人们对即将转向全栅 (GAA) 晶体管结构进行了大量讨论。这种新设备为继续缩小设备尺寸带来了许多好处，无论是在单片设备级别还是在多芯片设计中。通往 GAA 的道路并不简单，需要处理新的材料、工艺和设计考虑因素。台积电在这方面投入了大量精力。

OpenAI为期12天的年终“技术盛宴”中，“满血版”o1模型、最贵ChatGPT Pro服务、强化微调等新发布标志着AI世界又一次全新的产品迭代。有着“AI教母”之称的李飞飞创立的World Labs以及谷歌DeepMind团队本周先后发布重磅产品。Meta

鉴于现代设计对 SRAM 的依赖程度，SRAM 单元大小和密度是新制造技术的主要特征。根据 ISSCC 2025 先进计划，英特尔 18A 制造工艺（1.8nm 级）的 SRAM 密度显然远低于台积电的 N2（2nm 级），并且更接近台积电的 N3 。不过，英

原本高雄工厂的计划是在2025年中期引进设备，年底进行生产。受益于需求高涨，台积电高雄工厂的时间线整整提前了半年，这也把全球2nm制造的时间表向前推进了一步。