中科院上海微系统所:双向高导热石墨膜研究获突破,为5G芯片、功率半导体热管理提供技术支撑
格隆汇6月23日|近日,中国科学院上海微系统所联合宁波大学研究团队在《Advanced Functional Materials》发表研究,提出以芳纶膜为前驱体通过高温石墨化工艺制备低缺陷、大晶粒、高取向的双向高导热石墨膜,在膜厚度达到40微米的情况下实现面内
格隆汇6月23日|近日,中国科学院上海微系统所联合宁波大学研究团队在《Advanced Functional Materials》发表研究,提出以芳纶膜为前驱体通过高温石墨化工艺制备低缺陷、大晶粒、高取向的双向高导热石墨膜,在膜厚度达到40微米的情况下实现面内
近日,中国科学院上海微系统所联合宁波大学研究团队在《Advanced Functional Materials》发表研究,提出以芳纶膜为前驱体通过高温石墨化工艺制备低缺陷、大晶粒、高取向的双向高导热石墨膜,在膜厚度达到 40 微米的情况下实现面内热导率 Kin
【中科院上海微系统所:双向高导热石墨膜研究获突破 为5G芯片、功率半导体热管理提供技术支撑】财联社6月23日电,中国科学院上海微系统所联合宁波大学研究团队近日在《Advanced Functional Materials》发表研究,提出以芳纶膜为前驱体通过高温