SK海力士：4F2 VG和3D DRAM技术将应用于10nm及以下级内存 2025 年 IEEE VLSI 研讨会正于日本东京举行。SK 海力士在会议上提出了未来 30 年的新 DRAM 技术路线图和可持续创新方向。 海力士 dram sk vg 3ddram 2025-06-10 14:05 2