蓝宝石衬底

垂直结构 GaN功率器件可靠性探讨

垂直GaN器件的性能在很大程度上取决于漂移区的特性。降低非故意意杂质浓度有利于提高迁移率，对于高残余碳(C:1017cm-3)，迁移率低至 20cm2/Vs)的，而对于更高质量的材料，则有报道称其迁移率值约为 960cm2/Vs，可与碳化硅的迁移率相媲美。漂移

此前，谷歌的“悬铃木”处理器在 32 个周期内实现了 67 个量子比特（SYC-67），以及在 24 个周期内实现了 70 个量子比特（SYC-70），并保持着最大规模随机量子电路的记录。