芯恩(青岛)集成电路申请金属间介质层结构及其制备方法专利,降低器件整体的寄生电容 国家知识产权局信息显示,芯恩(青岛)集成电路有限公司申请一项名为“金属间介质层结构及其制备方法”的专利,公开号CN 119361570 A,申请日期为2023年9月。 器件 集成电路 寄生电容 2025-01-28 19:30 2