SOT-MRAM，中国公司实现关键突破
SOT-MRAM（自旋轨道矩磁性随机存取存储器）以其纳秒级写入速度和无限次擦写次数，是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术，有望解决当前SRAM成本及静态功耗过高等问题。然而，SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性，特别是传统方案从原理上导致刻
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SOT-MRAM中国公司实现关键突破
SOT-MRAM（自旋轨道矩磁性随机存取存储器）以其纳秒级写入速度和无限次擦写次数，是一种有望替代CPU各级缓存的高性能非易失存储技术，有望解决当前SRAM成本及静态功耗过高等问题。然而，SOT-MRAM在器件制造工艺上极具挑战性，特别是传统方案从原理上导致刻
MRAM，三项新进展
IEDM是全球最大的半导体器件技术与工艺技术国际学术会议，于2024年12月11日闭幕。这次也有不少值得关注的讲座（研究论文）。在本文中，我们将介绍与磁存储器（MRAM）相关的三项研究成果。