晶圆翘曲对光刻工艺的影响及多维度控制策略
随着芯片制程不断缩小，光刻对晶圆平整度要求达到纳米级，而内部应力失衡或材料热膨胀系数失配引发的翘曲，会导致光刻对准失效、图形畸变等问题。今天我们将深入剖析晶圆翘曲在光刻工艺中的作用机制，系统阐述材料、工艺与检测等方面的控制策略，并结合实际案例，探索突破这一技术
光刻
2025年，光刻材料行业收入达50.6亿美元
据悉，这一增长主要由先进光刻胶需求大幅增长驱动，特别是EUV光刻胶预计同比增长30%。随着芯片产量增长，尤其是逻辑芯片和DRAM芯片领域先进节点器件产量提升，辅助材料和扩展材料也将呈现强劲增长态势。
化学所张德清课题组在不对称醌式分子合成和聚合物半导体光刻图案化方面取得新进展
近日，中国科学院化学研究所有机固体实验室张德清研究员课题组在不对称醌式分子的合成方面、聚合物半导体的光刻图案化方面取得新进展，相关研究成果发表在Angew. Chem. Int. Ed.、Adv. Mater.上。
三星电子NRD-K半导体研发综合体进机 将导入ASML High NA EUV光刻设备
【三星电子NRD-K半导体研发综合体进机 将导入ASML High NA EUV光刻设备】《科创板日报》20日讯，三星电子举行了位于器兴园区的NRD-K新半导体研发综合体的进机仪式。NRD-K半导体研发综合体将成为三星电子DS部下属三大事业部（存储器、系统LS
三星 NRD-K 研发综合体进机，将导入 ASML High NA EUV 光刻设备
三星电子韩国当地时间本月 18 日举行了位于器兴园区的 NRD-K 新半导体研发综合体的进机仪式，标志着这一 2022 年动工的研发中心开始设备安装。