Nature Photonics | 基于深紫外microLED显示的无掩膜光刻技术与应用
近期，香港科技大学Feng Feng和南方科技大学刘召军教授等携手改进UVC微LED的制备工艺，成功实现了270 nm波长的高效UVC微LED，3 μm的微LED达到了创纪录的5.7%峰值外量子效率和396 W cm⁻²的最大亮度。以上成果在Nature Ph
光刻
解散EUV团队！SK海力士和三星在光刻上分道扬镳
韩国两大半导体巨头三星电子和SK海力士在极紫外（EUV）光刻技术上采取了不同的策略，引起了业界的高度关注。这一发展正值两家公司都致力于增强其在高度动态和竞争激烈的半导体市场中的竞争力之际。
科学家打造干式剥离光刻技术，兼容纳米至晶圆级多工艺场景
图 | 段辉高（来源：段辉高）其通过力学剥离替代传统的湿法溶剂剥离工艺，实现了无需化学溶剂的图形转移，仅利用普通日用品“胶带”即可完成去胶过程。该方法从源头上消除了去胶过程中有害化学品的使用，不仅降低了化学足迹，还简化了工艺流程。该范式具有 100% 的工艺良
科学家打造干式剥离光刻技术，聚焦湿法光刻技术环境污染工艺难题
该范式具有 100% 的工艺良率，兼容多尺度结构（纳米至晶圆级）及多工艺场景，还可用于难加工衬底表面的图形转移，为绿色光刻和多功能化微纳加工提供了全新解决方案。
佳能瞄准印度半导体市场机遇，积极洽谈光刻设备合作
日本佳能公司印度总裁兼首席执行官Toshiaki Nomura近日透露，佳能看好其半导体光刻设备在印度市场的前景，正与计划在印设厂的芯片制造商展开深入洽谈。随着众多芯片企业将印度视作半导体制造的新兴热点，佳能积极布局，力求把握这一战略机遇。
光刻机研制为什么难？
光刻机作为重大技术装备领域的国之重器，不仅是衡量一个国家综合国力与科技水平的关键指标，还直接关系到国家安全和科技自主可控的未来。然而，其研制之路却异常艰难，充满了重重挑战。近期，工业和信息化部发布的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》中，
vivo S20入手感受：极窄直屏+光刻织绣+6500mAh，综合体验出众
作为vivo主打中端旗舰市场的最新力作，vivo S20已经在12月6日正式开售，这款新机不但在外观打磨上采用了多种全新美学设计，同时在性能、屏幕、影像以及续航等方面也采用了相对出众的堆料方案，结合2299元起售的定价，展现出了强大的竞争力，因此成为了大家关注
光刻机研制为什么难
光刻机作为重大技术装备领域的国之重器，不仅是衡量一个国家综合国力与科技水平的关键指标，还直接关系到国家安全和科技自主可控的未来。然而，其研制之路却异常艰难，充满了重重挑战。近期，工业和信息化部发布的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》中，
DNP实现适用于超2nm一代的EUV光刻光掩模精细图案分辨率
东京--(美国商业资讯)-- Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO: 7912) 成功实现超2nm（nm：10
化学所张德清课题组在聚合物半导体的光刻图案化方面取得新进展
高迁移率聚合物半导体的设计合成已经取得很大进展，但将聚合物半导体的可溶液加工、本征柔性这些独特性质应用在集成电路里仍面临很多困难。在集成电路中，对聚合物半导体进行图案化加工可以降低漏电流，避免相邻器件间的串扰，降低电路整体功耗。可控光化学交联技术是一种与现有微
光刻巨头ASML松口，认为中国大陆企业或许能限量产出 5、3 纳米芯片
我是一个对生活充满激情、对知识渴望探索的创作者。在这里，我准备了一系列令人眼前一亮、心跳加速的精彩内容，涵盖了科技潮流、生活智慧、娱乐八卦等众多领域。每篇文章都是我用心准备的礼物，愿你在我的文章中找到快乐和智慧，愿你的每一天都充满阳光和希望！
与时俱进，引领未来！东方晶源计算光刻PanGen商标 V5.0强势来袭
OPC（Optical Proximity Correction）即光学邻近校正，是一种光刻分辨率增强技术，通过对掩膜版上图形的修正来弥补因衍射受限成像而导致的图像失真，进而提高芯片制造过程中的良率。
鄂享健康·中医药文化“六进”活动走进湖北省武昌水果湖第一小学
“中医文化润童心，经典传承谱新篇。”2024年11月29日，鄂享健康·中医药文化“六进”活动走进湖北省武昌水果湖第一小学，开展了科普、表演、义诊等一系列活动，为中医药文化的传承播撒下希望的种子。
与时俱进，引领未来！东方晶源计算光刻PanGen V5.0强势来袭
OPC（Optical Proximity Correction）即光学邻近校正，是一种光刻分辨率增强技术，通过对掩膜版上图形的修正来弥补因衍射受限成像而导致的图像失真，进而提高芯片制造过程中的良率。
化学所张德清课题组在不对称醌式分子合成和聚合物半导体光刻图案化方面取得新进展
近日，中国科学院化学研究所有机固体实验室张德清研究员课题组在不对称醌式分子的合成方面、聚合物半导体的光刻图案化方面取得新进展，相关研究成果发表在Angew. Chem. Int. Ed.、Adv. Mater.上。
三星电子NRD-K半导体研发综合体进机 将导入ASML High NA EUV光刻设备
【三星电子NRD-K半导体研发综合体进机 将导入ASML High NA EUV光刻设备】《科创板日报》20日讯，三星电子举行了位于器兴园区的NRD-K新半导体研发综合体的进机仪式。NRD-K半导体研发综合体将成为三星电子DS部下属三大事业部（存储器、系统LS
三星 NRD-K 研发综合体进机，将导入 ASML High NA EUV 光刻设备
三星电子韩国当地时间本月 18 日举行了位于器兴园区的 NRD-K 新半导体研发综合体的进机仪式，标志着这一 2022 年动工的研发中心开始设备安装。