造芯之路 - 世界芯片格局的形成
想象一下，你手中的手机、电脑，甚至家里的智能电器，它们跳动的心脏——芯片，其源头竟是一粒粒普通的沙子（硅）。就是这不起眼的沙子，牵动着大国的博弈...
光刻
光刻技术，走下 “神坛”
光刻机，向来被视为半导体制造的命脉。但近期多家芯片巨头释放的信息显示，未来光刻技术可能不再是唯一选择，即便是很难抢到的High-NA EUV，也多处于“闲置”状态。
原子光刻横空出世：精度超EUV15年
原子光刻技术正以颠覆性姿态闯入芯片制造领域。挪威Lace Lithography公司研发的原子束直写技术，分辨率突破0.3纳米，相当于在头发丝截面上雕刻整部《红楼梦》，精度超越当前最先进EUV光刻机15年。这项技术不仅绕开ASML光刻机的物理极限，更将芯片制造
群贤毕至，共襄盛会——IWAPS 2025诚邀投稿！
第九届国际先进光刻技术研讨会（IWAPS）将于10月14-15日在深圳隆重举行！本次研讨会由中国集成电路创新联盟、中国光学学会主办，中国科学院微电子研究所、深圳市半导体与集成电路产业联盟（深芯盟）、南京诚芯集成电路技术研究院有限公司联合承办，诚邀全球业界精英共
颠覆性技术，让芯片制造速度提高15倍
为现代芯片制造商打造强大、可靠且可制造的光源是当今业界最复杂的挑战之一。在所有光刻系统制造商中，只有 ASML 成功研发出用于打印最小芯片特征的 EUV 光源——但一家初创公司却提出了一个颠覆现状的全新理念。
芯片 asml 光刻 semiconductor 粒子加速器 2025-06-11 00:20 4
科创板IPO-恒坤新材经营状况分析
厦门恒坤新材料科技股份有限公司(以下简称“恒坤新材”或公司) 致力于集成电路领域关键材料的研发与产业化应用，是境内少数具备12英寸集成电路晶圆制造关键材料研发和量产能力的创新企业之一，主要从事光刻材料和前驱体材料的研发、生产和销售。
颠覆性技术，让芯片制造速度提高15倍！
为现代芯片制造商打造强大、可靠且可制造的光源是当今业界最复杂的挑战之一。在所有光刻系统制造商中，只有 ASML 成功研发出用于打印最小芯片特征的 EUV 光源——但一家初创公司却提出了一个颠覆现状的全新理念。
芯片 asml 光刻 semiconductor 粒子加速器 2025-06-10 17:48 4
光刻工艺中的显影技术
微流控芯片专家 - 苏州汶颢微流控技术股份有限公司是半导体制造的核心技术，通过光刻胶在特殊波长光线或者电子束下发生化学变化，再经过曝光、显影、刻蚀等工艺过程，将设计在掩膜上的图形转移到衬底上，是现代半导体、微电子、信息产业的基础，直接决定了这些技术的发展水平。
中美一通电话，马克龙改口、印度低头、光刻巨头急了，信号太强！
先是法国总统马克龙，前脚还在新加坡香会上对中国指手画脚，甚至夹带私货暗踩“一个中国”红线。结果呢？一看中美通话谈得欢，特朗普放软身段、中国释放善意（像批准美车企稀土供应、接收波音飞机），马克龙立马坐不住了！法国外长巴罗火急火燎打电话给我外长王毅。为啥这么急？细
俄罗斯总理呼吁提升国产光刻技术竞争力
据telesputnik.ru网6月2日报道，俄罗斯总理米哈伊尔·米舒斯京近日表示，提升国产光刻技术的竞争力应成为俄罗斯的优先任务。他指出，政府需根据企业需求推动设备、材料、化学品及电子设计工具的本土化生产，以减少对进口技术的依赖。
中国突破EUV光刻“光源中的光源”，锡靶技术成胜负手！
在EUV（极紫外）光刻机中，锡靶是产生13.5nm极紫外光的核心材料。当高功率激光轰击液态锡滴时，锡原子电离形成等离子体并辐射EUV光。这一过程需每秒精准击打5万次锡滴，误差小于0.1微米，堪称“用激光击中高速飞行的子弹”。
半导体概念爆火：产业链深度剖析
近年来，半导体行业热度持续攀升，成为全球科技竞争的战略制高点。其产业链涵盖多个精细且关键的环节，每个环节都在技术迭代与产业发展中扮演着独特且重要的角色。
第六代双光束超分辨光刻机概念、技术和未来
集成电路的发展至今已有60余年，对更为强大性能芯片的追求使得芯片制造技术不断迭代升级。长期以来，基于紫外光源投影曝光光刻的芯片制造方法是大规模集成电路制造的唯一选择。然而，随着极紫外光刻机进入产线应用和不断性能优化，芯片制造已经进入了7nm及以下节点。对于摩尔
又一家公司，想颠覆EUV光刻
由ASML打造的EUV光刻机是现代芯片不可或缺的重要生产工具。尤其是随着芯片工艺来到了3nm之后，EUV光刻的重要性与日俱增。ASML也通过提高NA的方式，引领EUV光刻机进入到High NA时代，以满足客户更严苛的需求。
光刻基础——干法刻蚀
干法刻蚀技术作为半导体制造的核心工艺模块，通过等离子体与材料表面的相互作用实现精准刻蚀，其技术特性与工艺优势深刻影响着先进制程的演进方向，本文分述如下：
晶圆翘曲对光刻工艺的影响及多维度控制策略
随着芯片制程不断缩小，光刻对晶圆平整度要求达到纳米级，而内部应力失衡或材料热膨胀系数失配引发的翘曲，会导致光刻对准失效、图形畸变等问题。今天我们将深入剖析晶圆翘曲在光刻工艺中的作用机制，系统阐述材料、工艺与检测等方面的控制策略，并结合实际案例，探索突破这一技术
2025年，光刻材料行业收入达50.6亿美元
据悉，这一增长主要由先进光刻胶需求大幅增长驱动，特别是EUV光刻胶预计同比增长30%。随着芯片产量增长，尤其是逻辑芯片和DRAM芯片领域先进节点器件产量提升，辅助材料和扩展材料也将呈现强劲增长态势。
化学所张德清课题组在不对称醌式分子合成和聚合物半导体光刻图案化方面取得新进展
近日，中国科学院化学研究所有机固体实验室张德清研究员课题组在不对称醌式分子的合成方面、聚合物半导体的光刻图案化方面取得新进展，相关研究成果发表在Angew. Chem. Int. Ed.、Adv. Mater.上。
三星电子NRD-K半导体研发综合体进机 将导入ASML High NA EUV光刻设备
【三星电子NRD-K半导体研发综合体进机 将导入ASML High NA EUV光刻设备】《科创板日报》20日讯，三星电子举行了位于器兴园区的NRD-K新半导体研发综合体的进机仪式。NRD-K半导体研发综合体将成为三星电子DS部下属三大事业部（存储器、系统LS
三星 NRD-K 研发综合体进机，将导入 ASML High NA EUV 光刻设备
三星电子韩国当地时间本月 18 日举行了位于器兴园区的 NRD-K 新半导体研发综合体的进机仪式，标志着这一 2022 年动工的研发中心开始设备安装。