原厂停产引发市场骚动，本周存储产品呈现“内热闪冷”
在关税不确定性的影响下，前两个季度主要受益于原厂减产或者部分产品停产，市场出现囤货和抢货的现象，促使价格上涨。
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端侧大模型部署新引擎：无需硬件修改，解锁商用DRAM的大模型推理
随着应用场景的扩展，端侧设备（如手机、电脑、可穿戴设备、机器人等）对大模型高效运行的需求日益增长，但端侧设备对模型运行的计算资源、访存带宽、能耗都有着极其苛刻的要求。存内计算技术有望从根本上解决以上资源问题，它能够将存储单元和计算单元融合，显著减少数据在存储和
TrendForce：2025 年 Q3 DRAM 价涨减缓 ：DRAM 价格
【TrendForce：预计 2025 年第三季度 DRAM 整体价格涨幅减缓】5 月 28 日消息，据 TrendForce 最新的内存现货价格趋势报告，DRAM 领域，DDR5 价格现放缓迹象，预计 2025 年第三季度其整体价格涨幅会减缓。在 NAND
dram trendforce dram价格 q3dram 2025-05-28 14:53 2
TrendForce：预计2025年第三季度DRAM整体价格涨幅减缓
【TrendForce：预计2025年第三季度DRAM整体价格涨幅减缓】《科创板日报》28日讯，根据TrendForce最新的内存现货价格趋势报告，DRAM方面，DDR5价格已出现放缓迹象，预计2025年第三季度DRAM整体价格涨幅将有所减缓。NAND闪存方面
dram 降温 trendforce 现货价格 价格涨幅 2025-05-28 14:20 2
长鑫存储将逐步降低DDR4产量，全面转向DDR5和HBM3
去年末，国内有内存厂商推出了新款DDR5-6000 32GB套装，其中一个重要的卖点就是用上了来自长鑫存储（CXMT）的国产DDR5颗粒，标志着国内存储领域的新突破。传闻长鑫存储已达到约80%，与最初量产时的50%相比有了大幅度的提升。另一方面，长鑫存储最近开
DRAM，如何微缩？
几十年来，计算架构一直依赖动态随机存取存储器 (DRAM)作为主存储器，为处理单元检索数据和程序代码提供临时存储空间。DRAM 技术凭借其高速运行、高集成度、高性价比和卓越可靠性，在许多电子设备中得到了广泛应用。
三星揭秘存储技术新蓝图：DRAM与NAND闪存如何突破极限？
回溯至1990年代，DRAM单元的选择晶体管主要依赖于平面n沟道MOSFET。然而，随着21世纪的到来，短沟道效应与关断漏电流问题日益凸显，迫使工程师们探索新的晶体管结构。一种创新设计应运而生，它能在不缩短沟道长度的前提下，实现晶体管在横向方向上的微型化，从而
存储路线图，三星最新分享
在 1990 年代，平面 n 沟道 MOS FET 是单元选择晶体管（单元晶体管）的标准。然而，进入21世纪，短沟道效应和关断漏电流已变得无法忽视。一种在不缩短沟道长度的情况下使横向（水平）方向微型化的晶体管结构被设计出来并被用于DRAM单元晶体管。随着光刻技
DRAM价格飙升，NAND将反弹
受中东人工智能投资和全球关税担忧的推动，DRAM 价格飙升，HBM 需求旺盛，预计将提振三星电子和 SK 海力士的盈利。主要客户正争相在美国可能加征关税之前囤积 DRAM，而美国芯片制造商英伟达与沙特阿拉伯达成的大规模人工智能芯片交易，也为韩国领先的内存芯片制
全球闪存大厂减产，2025年第二季度价格能否迎来反弹？
近期，全球NAND闪存市场迎来重大调整动向。据工商时报最新报道，全球五大NAND闪存制造商——三星、SK海力士、美光、铠侠和西部数据，计划在2025年上半年共同实施减产策略，减产比例预计介于10%至15%之间，旨在改善长期存在的供过于求状况。
三星美光齐减产，闪存价格反弹超预期
工商时报今天（5 月 20 日）发布博文，报道称三星、SK 海力士、美光、铠侠和西部数据全球五大 NAND 闪存原厂计划 2025 年上半年集体启动减产计划，减产幅度达 10% 至 15%，调整长期供过于求的市场格局。
佰维存储盈利两个季度后又陷亏损 近三个季度连亏3.2亿 产品价格腰斩下的盈利困局
2025年4月末，佰维存储发布2024年全年业绩，虽然公司全年实现归母净利润1.61亿元，但从单季角度来看，其四个季度分别实现归母净利润1.68亿元、1.16亿元、-0.55亿元、-0.67亿元，下半年两个季度持续为亏损状态。
卖4亿的光刻机，DRAM大厂推迟引进
三星电子和 SK 海力士将推迟引进 ASML 用于其 DRAM 曝光工艺的“高数值孔径 (NA) 极紫外 (EUV)”设备。这是由于天文数字般的设备价格和 DRAM 架构即将发生的变化。
利基DRAM供需或临再平衡，兆易创新总经理何卫给出价格回升预期
5月14日，兆易创新总经理何卫在投资者交流会中表示，“今年3月以来，我们已经欣喜地观察到行业涌现出一些边际改善的迹象，特别是以D4 8Gb、LPD4等产品为代表的一些利基型产品，价格已经有所回升。待市场充分消化大厂的尾货后，利基型DRAM价格有望在二、三季度进
精智达：公司研发的半导体成品测试（FT）设备已向客户提供多款样机供验证评估
精智达回复：尊敬的投资者您好！基于公司及控股、参股公司长期技术积累，公司研发的半导体成品测试（FT）设备已向客户提供多款样机，供客户进行验证和评估，详见《关于自愿性披露半导体测试设备研发进展的公告》。公司已与重点客户签订设备采购协议，合同总金额为3.2220亿
DRAM芯片，“甜蜜点”已至
DRAMeXchange 4月30日数据显示，用于个人电脑的通用DRAM DDR4 8Gb（千兆字节）产品的固定交易价格为1.65美元，较3月份上涨22.22%。用于存储卡和USB的128Gb MLC NAND闪存的固定交易价格也较3月份上涨11.06%，达到
威刚预期DRAM行情旺到第三季
陈立白表示，大厂将产能转进AI需求相关的HBM、DDR5，即使消费性产品需求还是不好，但因大厂停产DDR4，加上客户积极回补安全库存，预期将带动基期较低的DDR4涨价，第二季、第三季的合约价与现货价涨幅会大于DDR5。
三星电子开发混合CXL模块
三星电子宣布开发出将NAND闪存与Compute Express Link（CXL）模块相结合的产品，该产品被认为是下一代存储。
江波龙股价微涨0.18% DRAM市场涨价潮持续发酵
截至2025年5月13日15时，江波龙股价报79.39元，较前一交易日上涨0.14元，涨幅0.18%。当日开盘价为80.64元，最高触及81.68元，最低下探至79.22元，成交量为49674手，成交金额达4亿元。
DRAM价格暴涨近50%！AI需求激增与原厂控盘引爆市场
2025年5月13日，DRAM市场迎来新一轮涨价潮，部分型号价格单月涨幅高达50%，引发行业震动。据产业链消息，三星、SK海力士等存储巨头近期上调DDR4价格20%，DDR5价格亦上涨5%，主要受AI算力需求爆发及原厂产能调整影响。