北京君正21nm DRAM预计今年推出
在最新的机构调研中，北京君正透露，在DRAM的新工艺上，21nm和20nm都有在研。
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北京君正最新公告：DRAM新工艺21nm和20nm预计今年推出
北京君正接待了国泰基金、中银理财、信达澳亚、英大基金等机构的现场交流。公司表示，DRAM的新工艺21nm和20nm都有在研，预计今年会推出，后续还会继续进行更新工艺的产品研发。21nm工艺首先会用来提升DDR3的性能，后续的更新工艺会用在DDR4和LPDDR4
北京君正：DRAM新工艺21nm和20nm预计今年推出
北京君正接待了国泰基金、中银理财、信达澳亚、英大基金等机构的现场交流。公司表示，DRAM的新工艺21nm和20nm都有在研，预计今年会推出，后续还会继续进行更新工艺的产品研发。21nm工艺首先会用来提升DDR3的性能，后续的更新工艺会用在DDR4和LPDDR4
240110芯报丨美光将投资21.7亿美元扩大美国厂DRAM内存生产
美国弗吉尼亚州州长Glenn Youngkin表示，美光计划投资21.7亿美元扩建其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的半导体工厂，创造340个就业岗位并提高其在美国的半导体生产能力。该项目将升级该工厂，以生产用于工业、汽车、航空航天和国防应用的专用DRAM内存。（集微网
世界第一款无DRAM NVMe SSD问世
在CES 2025上，群联电子重磅发布了，世界上第一款无DRAM的PCIe Gen5 SSD控制器。
存储市场迎三大挑战！
刚刚过去的2024年，存储市场上演了一出“冰与火之歌”：终端市场消费电子复苏迟缓，AI应用则继续强势突围。存储产品因而开启两极化发展：消费类存储需求平淡，高性能、企业级存储产品市场反响热闹。
端侧AI时代，存算一体化渐成“标配”，倒逼存储“芯”革命
目前AI技术正与终端产品快速融合，推动了以消费电子代表的诸多终端硬件产品的创新。2024年极具代表性的AI Phone、AI PC等创新端侧AI产品也的确激发了新的市场，以更智能的功能刺激了消费需求，给我们日常生活带来智能化改变的同时，也带动了上下游产业链加速
内存制造商无法像3D NAND那样创建3D DRAM但这种情况很快就会改变
另一个有前途的领域是将电容器侧放，这将有助于减少层的厚度，以便将这些层垂直放置。芯片生产设备制造商 Lam Research 提出了几种实现这一目标的方法：翻转单元、移动位线和使用环境栅极晶体管 （GAA）。考虑完全没有电容器的 DRAM 设计;提供浮体 DR
3D DRAM，将要到来
内存行业以保守著称，通常倾向于渐进式改进而非革命性变革。但展望本世纪末，世界似乎将迎来 3D 单片堆叠 DRAM 的出现。剩下的唯一问题是它将采取何种形式以及何时可以投入量产。
DRAM制造商探索新设计克服3D堆叠带来的障碍
内存行业以保守著称，通常倾向于渐进式改进而非革命性变革。 但是，当我们将目光投向本世纪末时，似乎很有可能看到 3D 单片堆叠 DRAM 的出现。 现在唯一的问题是，它将以何种形式出现，以及何时能够投入大规模生产。
受市场需求疲软等因素影响，预计2025Q1 DRAM和NAND闪存合约价格都将下滑
近日TrendForce发布了新的市场调查报告，表示DRAM市场2025年第一季进入淡季循环，因智能手机等消费性产品需求持续萎缩，加上笔记本电脑等产品因担心美国可能拉高进口关税的疑虑，已提前备货，造成DRAM均价下跌，预计合约价格降幅为0%至5%（不计入HBM
存储大厂预警NAND增长不及预期，高端DRAM等被押注
近日，存储大厂美光、三星纷纷披露最新市况。美光方面披露将投资21.7亿美元扩大其DRAM内存生产，近期其也公布了2025财年第一季度（2024年9月至2024年11月）的业绩报告，该季营收较为亮眼，但美光对于下一季度的预测，体现了其对存储市场的隐忧，美光表示N
存储：AI影响加深，DRAM、NAND供需随动
高带宽内存（HBM）是2024年半导体领域的绝对热词。随着AI持续推动，2025年HBM大概率依旧霸榜。因为数据中心和AI处理器越来越多地依赖这种类型的存储器来处理庞大数据，缓解带宽压力。而激增的HBM需求也将影响2025年的DRAM市场供需，预计存储厂商将会
存储价格恐出现全面下滑
机构分析，预计2025年第一季度DRAM、NAND和企业级SSD等产品的价格将全线下滑，这引发了外界对该行业可能出现存储寒冬的担忧。
2025年第一季度，NAND与DRAM价格或将大幅下跌
近期，知名咨询机构TrendForce集邦咨询在其最新发布的报告中，对2025年第一季度NAND Flash和DRAM市场的价格走势进行了预测。据该机构分析，NAND Flash和DRAM的合约价格均将在这一时期出现显著下滑。
集邦咨询预测2025Q1 NAND平均合约价降10~15%，DRAM降8~13%
TrendForce 集邦咨询昨日（12 月 31 日）发布博文，预测 2025 年第 1 季度 NAND Flash 平均合约价环比下降 10~15%；DRAM 合约价环比下降 8~13%。
DRAM大跌，存储前途未卜
DRAM 市场将在 2025 年第一季度迎来明显价格下跌，其中 PC、服务器和 GPU VRAM 领域预计将出现大幅下滑。根据TrendForce 的最新预测，季节性需求波动加上买家的战略库存管理正在推动下行趋势。
明年存储，令人忧心
在2024年下半年，存储行业再度步入下行周期，其价格后续的发展态势引发了广泛关注。至2025年，存储价格究竟会走向何方？是延续下行趋势，还是触底反弹？这一系列问题已然成为业界内外聚焦的核心。
美媒：中国DRAM内存芯片，明年将占全球15%市场，后年超过美国
中国DRAM内存，已经取得了巨大的进展，长鑫的DDR5已经量产了，采用的是17.5nm的技术，良率高达80%左右，不输给国外的大厂了。
韩媒：长鑫存储DDR5良率可能只有10%-20%
12月25日，据韩国媒体BusinessKorea报导，韩国半导体业界认为，受美国联合日本与荷兰对华进行半导体设备出口管制影响，中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）所生产的DDR5的良率可能只有10%-20%，而非传闻的80%。