摘要：这几年，美国对中国芯片产业的打压可谓花样百出。拉上日本、荷兰这些半导体设备强国，从设备到技术全面围堵，目标直指三个关键领域：逻辑芯片、DRAM内存和NAND闪存。

这几年，美国对中国芯片产业的打压可谓花样百出。拉上日本、荷兰这些半导体设备强国，从设备到技术全面围堵，目标直指三个关键领域：逻辑芯片、DRAM内存和NAND闪存。

说白了，就是想让中国逻辑芯片永远卡在14纳米、DRAM内存在18纳米，NAND闪存在128层这些“老旧工艺”上，彻底掐灭高端芯片的火苗。可现实呢？中国芯片产业愣是顶着压力，把这三个封锁线全给捅破了。

先说逻辑芯片。美国最在意的7纳米、5纳米这些尖端工艺，之前被他们拿光刻机卡得死死的。可中芯国际2019年就搞定了14纳米FinFET技术，后来虽然没大张旗鼓宣传，但华为Mate 60系列用的麒麟9000S芯片，性能直接对标7纳米工艺。更夸张的是，今年华为又掏出麒麟9010、9020，工艺水平再进一步。这哪是原地踏步？分明是闷声干大事！

再看DRAM内存。美国划的“红线”是18纳米，结果长鑫存储直接来了个“贴脸突破”。2023年底人家就量产了DDR5内存颗粒，主打的DDR4和LPDDR4X用的还是17-18纳米工艺。这还没完，今年又要上15纳米新制程，产能占全球13%，出货量也啃下6%的市场份额。虽然和三星、美光这些巨头比还有差距，但能自己造、自己卖，底气完全不一样了。

NAND闪存更解气。美国原以为卡住128层就能高枕无忧，谁料长江存储2022年就量产了232层3D NAND，直接登顶全球第一。后来被美国断了设备供应，转头用国产装备继续搞研发，176层、232层产品照样推新。现在打开电商平台，国产固态硬盘清一色标着“长存颗粒”，消费者用脚投票，市场自然会说话。

更让人惊喜的是，这波突破不是单点开花，而是全面开花。华为的AI芯片性能追平英伟达H200，小米自研3纳米手机芯片，蔚来、小鹏的汽车芯片用上5纳米、4纳米工艺……这些消息放以前，谁敢信？

有人可能要问：美国封锁真没用？其实不然。他们确实逼着中国芯片产业把“备胎”转正，把“替代”升级。以前买设备图省事，现在自己造设备；以前依赖进口，现在国内供应链越做越强。就像被逼着学游泳的人，呛了几口水后反而游得更顺了。

当然，差距还是存在的。全球最先进的5纳米、3纳米工艺，我们还没完全吃透；高端光刻机这些“硬骨头”，还得继续啃。但回头看看，从14纳米到7纳米，从128层到232层，每一步都是顶着封锁走出来的。美国想靠技术霸权锁死中国芯片？这账，怕是要彻底黄了。

来源：只说数码科技一点号