垂直结构 GaN功率器件可靠性探讨
垂直GaN器件的性能在很大程度上取决于漂移区的特性。降低非故意意杂质浓度有利于提高迁移率，对于高残余碳(C:1017cm-3)，迁移率低至 20cm2/Vs)的，而对于更高质量的材料，则有报道称其迁移率值约为 960cm2/Vs，可与碳化硅的迁移率相媲美。漂移
阈值电压
山东大学开发出阈值电压为7.1V的高击穿电压的P-GaN HEMTs
山东大学报道了一种通过在栅极金属沉积之前将P-GaN的热氧化处理与原子层沉积（OTALD）相结合的增强型P-GaN/AlGaN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMTs）。与传统器件相比，该器件的阈值电压从1.8V显著提高到7.1V，栅
低温启动可能的问题
我们长期南方生活的人可能没有概念，-22℃时候，网线的外皮变脆，一捏就碎了。有部分设备出现无法启动的问题。