被英特尔诅咒了存储巨头
目前有两家公司高度专注于 DRAM 和 NAND 的生产——美光科技和SK 海力士。两家公司都在企业级 SSD 和高带宽内存领域展开激烈竞争，但都通过早期庞大的业务扩张，以复杂而间接的方式，在两个市场中保持着各自的定位，期间既有失误，也有灵光乍现。
海力士
2025年半程已过，全球芯片巨头TOP10新座次如何？
全球芯片行业在2024年经历了显著的市场变动，根据Omdia最新发布的排名，行业格局迎来了新的篇章。在这一年里，英伟达凭借其在人工智能芯片领域的卓越成就，成功登顶全球芯片公司榜首，这一变化标志着AI技术的快速发展对半导体行业产生的深远影响。
全球芯片巨头TOP10，最新出炉
此次选取的公司参照去年第二季度WSTS公布的半导体厂商排行TOP15 公司，分别为英伟达、三星、博通、英特尔、SK海力士、高通、美光、AMD、英飞凌、联发科、TI、ST、恩智浦、铠侠、亚德诺。
全球芯片巨头TOP10，最新出炉！
此次选取的公司参照去年第二季度WSTS公布的半导体厂商排行TOP15 公司，分别为英伟达、三星、博通、英特尔、SK海力士、高通、美光、AMD、英飞凌、联发科、TI、ST、恩智浦、铠侠、亚德诺。
存储双雄，分岔路口
目前有两家公司高度专注于DRAM 和 NAND 的生产——美光科技和SK 海力士。两家公司都在企业级 SSD 和高带宽内存领域展开激烈竞争，但都通过早期庞大的业务扩张，以复杂而间接的方式，在两个市场中保持着各自的定位，期间既有失误，也有灵光乍现。
三星与客户达成DRAM涨价共识
报道指出，由于DRAM价格是按多月基础谈判的，最近的价格上涨预计将在一段时间内支持盈利能力，为三星在第二季度提供了急需的利润率提升。
CXL ，开启争夺战
随着高带宽内存 （HBM） 领域的竞争白热化，领先的内存芯片制造商正在扩展其人工智能 （AI） 半导体战略，以包括高级内存接口技术 Compute Express Link （CXL）。这种转变反映了大型科技公司对下一代 AI 数据中心的需求激增，其中有效处理
存储芯片价格普涨，三星等巨头如何应对市场需求激增？
近期，存储芯片市场迎来了一波价格调整的风潮。据悉，三星电子在本月早些时候与多家核心客户就提升DRAM等存储产品价格达成了一致意见。据内部消息透露，SK海力士紧随其后，对其DRAM产品价格进行了上调，调整幅度高达12%。
存储芯片价格全面上涨，三星与客户达成新售价协议应对市场需求增长
根据供应链的最新情报，三星电子在本月初与主要客户就DRAM等存储产品的价格上涨达成一致。消息来源透露，SK海力士最近也对其DRAM产品价格进行了上调，涨幅达到了12%。
联合 HLDS 打造，SK 海力士 Gold P42、Silver S32 SSD 在韩上市
SK 海力士与消费级 SSD 合作伙伴 HLDS 日立乐金数据储存公司联手，在韩国市场推出了同时印有 SK 海力士和 HLDS 旗下品牌 Super Multi 商标的两款存储产品。
SK海力士在NAND闪存领域获得技术优势，与三星在存储器市场的差距迅速缩小
凭借适用于人工智能（AI）应用的高附加值存储器销售额大幅增长，过去几个月里SK海力士有着非常亮眼的业绩表现，这主要来自于HBM和eSSD产品。SK海力士在HBM细分市场的优势自然不必多说，几乎垄断着英伟达的HBM3和HBM3E的供应。由于SK海力士的子公司So
SK海力士在NAND闪存领域获得技术优势，与三星在存储器市场的差距正迅速缩小
凭借适用于人工智能（AI）应用的高附加值存储器销售额大幅增长，过去几个月里SK海力士有着非常亮眼的业绩表现，这主要来自于HBM和eSSD产品。SK海力士在HBM细分市场的优势自然不必多说，几乎垄断着英伟达的HBM3和HBM3E的供应。由于SK海力士的子公司So
SK海力士正在NAND闪存领域获得技术优势 觊觎三星的主导地位
根据BusinessKorea的报道，SK海力士在NAND技术方面的优势已经超越了三星，特别是在"单元堆叠"技术方面取得了优势，并且正在向三星在 NAND 闪存市场的宝座发起冲击。SK Hynix 最新的"321 层"NAND 闪存芯片将大幅提升性能，这要归功
继DRAM及HBM后，三星NAND Flash也受SK海力士威胁
内存大厂SK海力士宣布推出首款321层堆栈NAND Flash闪存产品，直接威胁竞争对手三星电子地位。三星不但高带宽内存（HBM）和DRAM被超越，NAND Flash堆栈层数竞争也失去领先地位，劣势蔓延至各内存产品。
三星电子新领导上任
三星电子宣布2025年定期人事变动，共有9人，其中2人晋升为总裁，7人职责变更。
SK海力士量产321层1TB TLC NAND闪存 明年上半年上市
SK海力士宣布已经量产全球最高的321层1Tb TLC 4D NAND闪存，并计划于2025年上半年开始供应，以响应市场的需求。相比上一代238层NAND闪存，数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上。
SK海力士开始量产全球首款321层NAND闪存
SK海力士(SK hynix Inc.)宣布，已开始量产全球首款容量为1Tb的基于三层单元的321层4D NAND闪存。自去年6月以来，SK海力士首次推出了世界最高的238层NAND，这一次，SK海力士找到了堆叠技术的突破口，成为世界上第一家拥有300层以上N
SK海力士量产321层1Tb TCL 4D NAND闪存，计划2025H1开始供应
SK海力士宣布，量产全球最高的321层1Tb TCL 4D NAND闪存，并计划于2025年上半年开始供应，以响应市场的需求。相比上一代238层NAND闪存，数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上。
SK海力士宣布量产321层NAND闪存，明年上半年发货
SK海力士的321层NAND闪存采用了“3-Plug”工艺技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形材料，引进了通孔间自动排列（Alignment）矫正技术。SK海力士还使用与其前
SK海力士开始量产业界领先的321层NAND闪存
SK海力士于11月宣布1月21日，全球最高321层1Tb三级单元(TLC)4DNAND闪存开始量产。这一里程碑使SK海力士成为NAND闪存行业第一家开始量产超过300层产品的公司，标志着重大的技术进步。