摘要：新莱应材高纯管路系统唯一国产供应商，解决光刻机气体传输污染控制问题，认证壁垒极高。

一、光刻机核心设备供应商

1、新莱应材高纯管路系统唯一国产供应商，解决光刻机气体传输污染控制问题，认证壁垒极高。

2、富创精密精密结构件核心供应商，提供真空腔体等关键部件，技术对标ASML合作伙伴。

3、奥普光电中科院背景，承担光刻机物镜系统研发，军民技术协同转化。

4、华卓精科（拟上市）双工件台技术打破ASML垄断，直接授权新凯来使用。

二、光刻工艺设备配套

1、至纯科技湿法清洗设备覆盖28nm制程，多重曝光工艺必备，国产化率不足20%。

2、盛美上海单片清洗设备龙头，技术达国际水平，配套新凯来前道制程。

3、芯源微国内唯一涂胶显影设备商，光刻前道关键环节，替代空间巨大。

4、蓝英装备清洗设备补充供应商，与至纯科技形成技术互补。

三、光刻核心材料光刻胶方向：

1、彤程新材 KrF/ArF胶国产主力，市占率超60%

2、上海新阳 g/i线及KrF胶成熟，加速ArF研发

3、南大光电 ArF胶通过验证，填补国内空白

光学元件方向：

1、茂莱光学 深紫外镜头替代蔡司，毛利率60%+

2、福晶科技，激光晶体龙头，用于光源系统

掩模版：清溢光电，中低端掩模版国产替代第二梯队

高纯材料：

1、菲利华，光刻机石英腔体全球四大供应商之一

2、江丰电子，溅射靶材龙头，客户含台积电、中芯

四、检测与量测设备

1、精测电子电子束检测设备识别3nm缺陷，价格仅为KLA的60%。

2、中微公司刻蚀设备延伸至检测领域，等离子去胶机替代Lam。

3、华峰测控半导体测试设备龙头，覆盖光刻工艺参数检测。

五、气体与化学材料

1、华特气体光刻用电子级气体国产化核心企业，已切入英特尔供应链。

2、雅克科技光刻胶辅助材料（显影液/剥离液）龙头，并购韩国技术。

3、沪硅产业12英寸硅片通过光刻验证，替代信越化学。

六、综合配套服务

1、万业企业离子注入机+半导体基金双轮驱动，布局光刻全产业链。

2、正帆科技工艺介质供应系统专家，配套高纯气体传输。

3、华亚智能精密金属件供应商，客户含ASML、应用材料。

新凯来（SiCARRIER）公司概况及产品体系

新凯来（SiCARRIER）以深圳为创新中心，构建了覆盖半导体制造全流程的装备体系，在关键工艺（如外延、刻蚀、薄膜）及量检测领域实现技术突破。其产品以高精度、高稳定性、智能化为核心竞争力，致力于打破国际垄断，助力中国半导体产业自主化进程。

一、公司概况

总部与研发网络：总部位于深圳，国内研发中心覆盖上海、北京、西安、武汉等城市，并设有海外分支机构。

研发体系：构建“基础材料工艺-零部件-装备”全链条研发能力，聚焦半导体工艺装备及量检测设备的开发与制造。

战略目标：打造半导体产业基础平台，成为全球领先的装备供应商及客户信赖的合作伙伴。

二、核心产品线：半导体工艺装备

1. 扩散工艺设备（Diffusion）

EPI系列（峨眉山1-3号）

技术：12英寸单片减压外延系统，支持逻辑/存储芯片的锗硅、磷硅、沟道外延等先进工艺。

特点： 多分区温控+流控系统，提升膜层均匀性； 小腔室架构+智能调度算法，降低运营成本； 自研核心部件，实现性能与稳定性优化。

应用场景：源漏极外延（SiGe:B、SiP）、超晶格叠层、埋层外延（Si/Ge）等。

RTP系列（三清山2/3号）

三清山2号：超快尖峰退火设备 技术：磁悬浮升降+背照式退火，适用于逻辑/存储芯片的源漏退火、硅化物生成。特点：非对称多区补偿技术提升均匀性，毫秒级温控提高片间重复性。

三清山3号：均温/尖峰退火设备 技术：低温退火+氦冷流场控制，支持阱退火、深N阱退火等工艺。特点：辐射式超低温测温，热预算调节灵活。

2. 刻蚀设备（Etch）

武夷山1号MASTER（介质刻蚀）技术：全对称CCP刻蚀架构，支持接触孔、硬掩膜刻蚀。特点：原子层刻蚀技术减少材料损伤，多区温控优化均匀性。

武夷山3号（硅/金属刻蚀）技术：ICP电感耦合等离子体，适用于栅极、鳍刻蚀。特点：三区分气+百区ESC温控，提升自由基分布均匀性。

武夷山5号（高选择性刻蚀）技术：自由基刻蚀，解决伪栅去除、无定形硅回刻等难题。特点：创新匀气方案提高选择比，支持氧化硅/硅选择性组合刻蚀。

3. 薄膜沉积设备（Thin Film）

PVD系列（普陀山1-3号）普陀山1号：平面金属膜（AlOx/TiN/W等），用于刻蚀阻挡层、DRAM位线。普陀山2号：中道金属互连（MOL）及硬掩膜，低颗粒缺陷。普陀山3号：后道金属互连，高均匀性沉积。技术亮点：全靶腐蚀算法提升靶材利用率，智能调度算法优化产能。

ALD/CVD系列 阿里山系列：高保形性介质膜（ALD）、后道刻蚀阻挡层。长白山系列：介质/金属薄膜（CVD），覆盖高深宽比填充需求。

三、量检测装备体系

1. 光学检测设备

有图案晶圆检测： 岳麓山BFI（明场）、丹霞山DFI（暗场），识别微小缺陷。

无图案检测： 蓬莱山PC（表面缺陷）、莫干山MBI（空白掩模缺陷）。

2. 光学量测设备

天门山系列：DBO（衍射）与IBO（图形）套刻量测，支持先进制程对准精度。

3. PX量测设备（物性分析）

沂蒙山AFM：原子力显微镜表面形貌分析。

赤壁山系列：XPS（成分分析）、XRD（晶体结构）、XRF（元素检测）。

4. 功率检测设备

RATE-FT：功率器件（单管/模组）电性能测试，满足第三代半导体检测需求。

四、核心技术优势

自主可控能力：自研射频系统、温控模块、核心零部件，保障供应链安全。

智能化设计：智能调度算法、人机交互界面（HMI）提升设备效率与易用性。

工艺扩展性：模块化架构支持向先进节点（如3nm以下）演进，覆盖逻辑/存储/封装全场景。

性能指标领先： 刻蚀选择比、膜层均匀性（±1%以内）、缺陷检测灵敏度（纳米级）达国际水平。

五、市场定位与竞争力

覆盖领域：逻辑芯片、DRAM/3D NAND存储、先进封装、第三代半导体。

差异化策略：通过端到端研发体系提供定制化解决方案，降低客户综合成本。

目标客户：全球晶圆代工厂、IDM厂商、封测企业

来源：全产业链研究一点号