摘要：国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种具有自旋极化电子层的半导体激光元件”的专利，公开号CN 119050803 A，申请日期为2024年7月。

金融界2024年12月2日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种具有自旋极化电子层的半导体激光元件”的专利，公开号CN 119050803 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明公开了一种具有自旋极化电子层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，还包括自旋极化电子层，所述下限制层具有第一下限制层、第二下限制层和第三下限制层；所述自旋极化电子层具有第一自旋极化电子层、第二自旋极化电子层和第三自旋极化电子层；所述第一自旋极化电子层位于第一下限制层和第二下限制层之间；所述第二自旋极化电子层位于第二下限制层和第三下限制层之间；所述第三自旋极化电子层位于第三下限制层和下波导层之间。本发明自旋极化电子层控制自旋边界态，增强激光元件的自旋极化率，激发并提升自旋波传播，抑制激光被未离化Mg杂质吸收的内部光学损耗。

来源：金融界