摘要：一、一句话引爆舆论：65纳米=落后20年？高盛报告原文写道：“中国本土光刻设备制造能力集中在65纳米节点，相较ASML最新EUV存在约20年代际差距。”数字刺眼，迅速冲上热搜。但多位业内人士提醒：节点差距≠时间差距，更不等于“永远追不上”。· 65纳米是哪一年
“20年差距”刷屏，中国光刻机到底行不行？
一、一句话引爆舆论：65纳米=落后20年？
高盛报告原文写道：“中国本土光刻设备制造能力集中在65纳米节点，相较ASML最新EUV存在约20年代际差距。”数字刺眼，迅速冲上热搜。但多位业内人士提醒：节点差距≠时间差距，更不等于“永远追不上”。
· 65纳米是哪一年的技术？2005年国际量产，但别忘了，当年中国连90纳米都还靠进口。
· 20年怎么算？ASML 2024年已量产0.55数值孔径High-NA EUV，分辨率8纳米；如果把65纳米等同于2005年，确实相差近20年。可这种线性外忽视了中国速度——高铁从引进到反超只用10年，5G更是同步起跑。
二、现场调研：上海微电子的“两张照片”
照片1：2020年，SSA600光刻机出厂，90纳米量产，客户是中芯国际深圳厂。工程师回忆：“老外专家看完只说一句‘Not bad’，但半年后追加第二台订单。”
照片2：2024年6月，SSA800-10W 28纳米浸没机台搬入客户验证线，关键部件国产化率90%。“光源、双工件台、浸没单元全是国产，只剩蔡司镜头还进口。”项目负责人透露，“明年一季度跑通工艺，就能用多重曝光做到14纳米。”
从90纳米到28纳米，中国用了8年；ASML走同样路程用了6年——差距在缩小，而非扩大。
三、ASML的“甜蜜烦恼”：36%收入靠中国，却卖不了EUV
2024年二季度财报，中国大陆贡献ASML 36%销售额，创历史新高。但受荷兰政府出口管制，EUV、部分高端DUV被禁运。ASML CEO温宁克在电话会议坦言：“如果失去中国市场，我们将损失20%利润。”
一边赚钱，一边封锁，ASML陷入“吃饭砸锅”尴尬。更让它紧张的是，中国正把买不到的高端设备“拆解”成零部件清单，用全国产化思路重新设计。
四、国产供应链“全家福”首次亮相
光源：科益虹源6kHz ArF激光器通过28纳米验证，下一代13.5纳米 EUV光源样机2025年出光；
镜头：长春光机所NA=0.25 EUV投影物镜完成装配，波像差1.2纳米，满足初期实验线；
光刻胶：南大光电ArF胶通过中芯国际14纳米认证，EUV胶2026年小批量；
双工件台：华卓精科超精密气浮平台，运动误差<1.5纳米，已交付上海微电子；
测量：中科飞测电子束缺陷检测机，每小时20万晶圆缺陷图像，AI实时分类。
“过去我们缺课太多，现在把每个零部件拆成国家专项，同时起跑。”工信部装备司相关负责人说。
五、技术路径“三箭齐发”：多重曝光、3D堆叠、新光源
多重曝光：用28纳米DUV通过四重图形实现7纳米，台积电2016年就这么做，中国2026年有望跑通；3D堆叠：长江存储Xtacking架构把外围电路置于晶圆背面，减轻光刻负担，256层NAND已量产；新光源：清华大学SSMB-EUV方案，用同步辐射加速器产生13.5纳米光，2025年出光，成本或只有激光等离子体路线的1/10。“如果新光源成功，相当于在燃油车时代直接做电动车，”清华教授唐传祥表示。
六、资本与人才：光刻赛道的“高铁式”投入
国家大基金二期明确把“高端光刻机及核心零部件”列为头号赛道，首期出资300亿元，带动社会资本超千亿。
人才端，华为“天才少年”计划、中芯国际“光刻领军”项目，应届博士年薪开到80万；上海临港新片区更给出“买房打七折、落户秒批”礼包。
“我们算过账：一台EUV 2.5亿美元，如果国产能做到1.5亿美元，国内晶圆厂全用国产，每年节省100亿美元，足够养2万工程师。”券商分析师笑称。
七、结论：保持耐心，给“时间”一点时间
高盛的“20年差距”是一记警钟，但绝非判决书。历史规律显示，一旦技术路线被锁死，垄断者往往高估壁垒、低估追赶者；而当追赶者把“买不到”转化为“自己干”，壁垒就会以指数级速度坍塌。
光刻机不是神话，只是人类工业史上最复杂的机器。中国已经用高铁、大飞机、空间站证明：只要把市场、资本、人才、政策四张牌打成组合，就没有翻不过的山。
下一次热搜，也许不再是“差距20年”，而是“国产EUV交付”——我们只需保持战略定力，给工程师多一点时间，给国产多一次试错。
来源：大卫行摄
