摘要：三星在2022年6月末量产了3nm工艺，采用了全新的GAA（Gate-All-Around）晶体管架构，这也是该技术的首次实际应用，取代自2011年推出FinFET晶体管架构。台积电（TSMC）在3nm制程节点上并没有像三星那样引入GAA晶体管架构，要等到新一

三星在2022年6月末量产了3nm工艺，采用了全新的GAA（Gate-All-Around）晶体管架构，这也是该技术的首次实际应用，取代自2011年推出FinFET晶体管架构。台积电（TSMC）在3nm制程节点上并没有像三星那样引入GAA晶体管架构，要等到新一代2nm制程节点才引入。英特尔也将在即将到来的Intel 18A中，引入类似设计的RibbonFET晶体管架构。

据EE Times报道，最近英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋在GTC 2025与媒体互动的问答环节中表示，依赖于GAA晶体管架构的下一代半导体制程技术会为芯片带来20%的性能提升，而更大的性能提升来自于GPU架构和软件的创新设计。

黄仁勋强调摩尔定律放缓，新一代制造工艺只会带来20%左右的改进，虽然先进制程技术受到了欢迎，但是不再具有变革性，其他因素变得更加重要，大家需要接受这一点。现在数据中心越来越关注每瓦性能，这与近年来出现的“我们处于物理极限”这个话题无关。

该讨论是现场有人提问英伟达未来是否会选择三星代工时出现的，而黄仁勋回答时没有说明参照的具体工艺甚至代工厂。按照过去台积电的说法，相比3nm工艺，初代2nm工艺会带来10%到15%的性能提升，或者将功耗降低25%到30%。

来源：超能网