突破内存技术封锁！中国长江、长鑫联手，加速本土HBM布局

摘要：目前高带宽内存（HBM）已经成为存储市场一个极大的热点，因为AI芯片的热度，HBM内存几乎成为了存储厂商利润最高的一个领域，无论是三星、海力士还是美光，在这部分都加大了投入，希望在未来利用产能的优势获得更多的市场份额。对于国内存储厂商而言，尽管一直也在HBM内

目前高带宽内存（HBM）已经成为存储市场一个极大的热点，因为AI芯片的热度，HBM内存几乎成为了存储厂商利润最高的一个领域，无论是三星、海力士还是美光，在这部分都加大了投入，希望在未来利用产能的优势获得更多的市场份额。对于国内存储厂商而言，尽管一直也在HBM内存上进行研发，但受到海外制裁的影响，所以相对发展得要慢一些。而现在看来，这种情况有望在短期内获得改变，中国两大存储厂商的联手或会促进中国本土HBM内存的发展。

从最新的市场消息看到，目前长江存储（YMTC）正准备跨入DRAM内存芯片制造领域，并计划与长鑫存储（CXMT）合作，共同开发高带宽内存（HBM）市场。如果两家联手并且在产品以及产能上获得突破，那么很显然将降低国内厂商对三星、美光以及海力士的依赖，大量中国自己的芯片将用上本土的HBM内存。

实际上在HBM技术研发上，国内并不算太落后。长鑫存储先前已完成HBM2 开发，并且正在加速HBM3的量产化，而且早在2024年，长鑫就开始大规模投资设施。根据国内从业者的预测，长鑫存储的HBM3与HBM3E将在2026-2027年间量产。所以尽管长鑫存储和三星、海力士等韩国企业相比还落后数年，但从追赶节奏而言是非常快的。

据悉长江存储在这次潜在合作中，其价值不在于DRAM 经验，而是键合（bonding）技术。长江存储使用Xtacking技术应用于3D NAND，能有效提升数据处理速度。随着HBM堆叠高度增加，整体正朝向混合键合（Hybrid Bonding）技术迁移，以提升带宽与散热效能。同时，国内也在建构HBM封装供应链，据报道长鑫存储与武汉新芯正在研发HBM封装技术，而通富微电也切入封装领域。所以从技术角度考量，国内HBM内存的发展是相当有前景的。

考虑到目前海外对国内晶圆厂的管制条例，甚至南京的台积电工厂都失去了快速审评资格，所以国内高端芯片的自主研发和生产，就显得尤为重要了。而且在当下AI芯片迅猛发展的时代，国产HBM内存的出现无疑有着非常重大的意义，国内厂商在AI芯片的内存上不再完全依赖海外HBM内存，甚至如果产能足够价格竞争力强，国产HBM内存甚至会迎来不少海外订单。