摘要：金融界 2025 年 3 月 27 日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“电容结构”的专利，公开号 CN 119677105 A，申请日期为 2023 年 10 月。

金融界 2025 年 3 月 27 日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“电容结构”的专利，公开号 CN 119677105 A，申请日期为 2023 年 10 月。

专利摘要显示，本发明有关于一种电容结构，可应用于三维 AND 闪存元件。所述电容结构包括基底、阵列下电路结构、底部导电层、堆叠结构以及多个柱状结构。所述基底具有电容阵列区以及电容阶梯区。所述阵列下电路结构设置于所述基底上。所述底部导电层设置于所述阵列下电路结构上。所述堆叠结构设置于所述底部导电层上，且包括交替堆叠的多个第一介电层与多个导电层，其中所述电容阶梯区中的所述多个导电层排列为阶梯形式。所述多个柱状结构，以阵列方式设置于所述电容阵列区中，且贯穿所述堆叠结构与所述底部导电层。所述多个导电层中的一部分的导电层电性连接至第一共同电压源，且所述多个导电层中的其余部分的导电层与所述底部导电层电性连接至第二共同电压源。

来源：金融界