摘要：2024年第四季度以来，全球存储行业迎来关键转折点。在三星、美光等原厂主动减产干预下，行业库存加速去化，供需格局显著优化。与此同时，DeepSeek等开源大模型推动的AI端侧设备加速渗透，驱动存储芯片性能与容量需求升级。多重因素叠加下，存储市场正呈现结构性复苏

2024年第四季度以来，全球存储行业迎来关键转折点。在三星、美光等原厂主动减产干预下，行业库存加速去化，供需格局显著优化。与此同时，DeepSeek等开源大模型推动的AI端侧设备加速渗透，驱动存储芯片性能与容量需求升级。多重因素叠加下，存储市场正呈现结构性复苏态势。

一、存储原厂集体调涨价格，供需格局加速改善

全球主要存储厂商已启动新一轮价格调整。闪迪于2025年3月向客户发送涨价函，宣布自4月1日起渠道及消费类产品价格上调10%，并明确后续季度可能继续调价。这一策略迅速引发行业联动效应，美光计划将旗下闪存产品提价超10%，三星、SK海力士等厂商也宣布将在4月跟进调整。

价格调涨的底气来自供需关系的实质性改善。根据TrendForce集邦咨询数据，2025年第二季度NANDFlashWafer价格预计季增10%-15%，DRAM均价或上涨3%-8%。其中，MobileDRAM的LPDDR5X因AI手机需求增长，价格有望提升0-5%；消费级DDR4受新基建推动或上涨0-5%。原厂通过动态调节产能，将PC/ServerDRAM等品类价格维持平稳，既保障市场供应又避免价格过快上涨冲击需求。

厂商策略呈现显著分化特征。闪迪等企业选择全品类普涨，而SK海力士则聚焦高附加值产品，其HBM3e产能加速释放带动DRAM产品结构优化。这种差异反映出存储厂商正根据技术储备和市场定位，采取针对性策略把握复苏机遇。行业数据显示，2025年3月NAND指数环比上涨3.98%，企稳回升态势明确。

二、AI端侧设备加速渗透，存储性能需求持续升级

生成式AI向端侧设备的快速渗透，正在重塑存储需求结构。SK海力士预测，2025年AI手机、AIPC的渗透率将分别达到30%和30%-40%，带动16/24/32GB大容量DRAM成为标配。IDC数据印证了这一趋势，2025年全球智能眼镜出货量预计达1205万台，同比增长18.3%，其搭载的LPDDR5X/LPDDR5T等高性能嵌入式存储需求激增。

存储技术规格迎来代际升级。为满足本地AI推理需求，端侧设备的SSD容量从传统4T/8T向32T/64T跃迁，PCIe5.0接口产品在头部AI公司渗透率超过60%。据行业测算，AI终端设备的存储成本占比虽不足10%，但其吞吐性能直接决定设备算力上限，这使得存储厂商必须持续提升产品能效比。目前，支持AI工作负载的SSD随机读写速度已突破2000KIOPS，较传统产品提升3倍以上。

国产存储生态实现突破性进展。国产SSD厂商在中国市场份额有望突破50%，长江存储颗粒的良品率与国际竞品持平，平头哥半导体基于RISC-V架构的主控芯片完成商用部署。产业链协同效应下，国内企业已具备32TPCIe5.0SSD的批量化交付能力，在AI推理服务器等场景实现进口替代。行业数据显示，2024年高性能PCIe5.0SSD出货量同比增长超150%，印证技术升级与需求扩张的共振效应。

来源：金融界