摘要：金融界 2025 年 3 月 19 日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件及其形成方法”的专利，公开号 CN 119629997 A，申请日期为 2023 年 9 月。

金融界 2025 年 3 月 19 日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件及其形成方法”的专利，公开号 CN 119629997 A，申请日期为 2023 年 9 月。

专利摘要显示，本公开是一种存储器元件及其形成方法，该存储器元件包括由下而上的基底、叠层和堆叠结构。多个垂直通道柱穿过堆叠结构和叠层。多个第一隔离结构配置在多个垂直通道柱侧边且穿过堆叠结构的下部。多个第二隔离结构分别配置在多个第一隔离结构上方，且穿过堆叠结构的上部。多个共同源极线配置在多个垂直通道柱侧边且穿过堆叠结构和部分叠层。从俯视图看，多个共同源极线在第一方向上延伸，多个第一隔离结构和多个第二隔离结构中的每一个在第一方向上具有两个宽端部，分别邻接两个共同源极线。所述存储器元件可以应用于制造具有高容量与高性能的 3DNAND 闪存的工艺中。

来源：金融界