摘要：专利摘要显示，多光谱光学传感器包括：单片半导体芯片(510，810)，其限定光学检测器区域(511，811)的多个子阵列(512，812)，每个子阵列包括相同数目和相对空间布置的光学检测器区域(511，811)；多个透镜布置，多个透镜布置中的每一个与多个子阵列

金融界2025年8月25日消息，国家知识产权局信息显示，艾迈斯传感器德国有限责任公司申请一项名为“多光谱光学传感器及其制造方法”的专利，公开号CN120530304A，申请日期为2024年04月。

专利摘要显示，多光谱光学传感器包括：单片半导体芯片(510，810)，其限定光学检测器区域(511，811)的多个子阵列(512，812)，每个子阵列包括相同数目和相对空间布置的光学检测器区域(511，811)；多个透镜布置，多个透镜布置中的每一个与多个子阵列(512，812)中的一个对应；其中，每个透镜布置包括具有上凸透镜元件(570a，870a，970a)的上透镜布置，以及具有下凸透镜元件(570b，870b，970b)和底部玻璃基板(571c，871d，971c)的下透镜布置，该底部玻璃基板(571c，871d，971c)通过其底表面安装在单片半导体芯片(510，810)上；其中，每个透镜布置还包括设置在底部玻璃基板(571c，871d，971c)的顶表面上的光学滤光器(566，866，966)，以使得来自场景的入射光穿过光学滤光器(566，866，966)，并且然后在底部玻璃基板(571c，871d，971c)中沿着朝向与光学滤光器(566，866，966)对应的子阵列(512，812)的检测器区域(511，811)的方向传播。

本文源自金融界

来源：湖北台科技快报